CN119404141A 用于极紫外光源的碎片处置装置和方法 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.20PCT/EP2023/0697372023.07.15WO2024/033020EN2024.02.15一种碎片处置装置控制极紫外(EUV)辐射源的室的受控环境内部中的碎片，其中产生的EUV彼此被布置为使得在阵列的相邻翅片之间形成该流体端口包括位于室外部并且与室内部流体2v形翅片阵列，其中所述翅片相对于彼此被布置为使得在所述阵列的成对相邻翅片之其中每个段与所述流动方向之间的角度小于20°。2.根据权利要求1所述的碎片处置装置，其中每个v3.根据权利要求1所述的碎片处置装置，其中4.根据权利要求1所述的碎片处置装置，其中每个v形翅片由5.根据权利要求4所述的碎片处置装置，其中所述第一子翅片与所述第二子翅片之间6.根据权利要求4所述的碎片处置装置，还包括7.根据权利要求6所述的碎片处置装置，其中所述第一子翅片被安装到所述衬垫的第8.根据权利要求6所述的碎片处置装置，其中所述衬9.根据权利要求6所述的碎片处置装置，其中所述10.根据权利要求6所述的碎片处置装置，其中相邻的成对v形翅片在所述相同的连接11.根据权利要求6所述的碎片处置装置，其中所述v形翅片各自在多个连接接口处被所述排放装置被配置为移除由所述v形翅片阵列收集16.一种碎片处置装置，用于控制极紫外(EUV)辐射源的室的受控环境内部中的碎片，线性翅片阵列，所述翅片相对于彼此被布置为使得在所3端口衬垫限定流体端口，所述流体端口包括位于所述室外部17.根据权利要求16所述的碎片处置装置，其中所述沟槽中的所有沟槽的所述流动方18.根据权利要求16所述的碎片处置装置，其中所述端口衬垫的所述上游侧借助于所述室外部的室通道与所述室的壁中的排放开20.根据权利要求18所述的碎片处置装置，其中所述端口衬垫的所述上游侧以关于所所述端口衬垫的所述上游侧借助于所述室外部的室通道与所述室的壁中的排放开口流体连通，并且所述排放开口在重力作用下被定位于所述端口衬垫的所述流体端口下方，所述排放开口在重力作用下被定位于所述端口衬垫的所述流体端口上方，并23.根据权利要求16所述的碎片处置装置，其中所述25.根据权利要求24所述的碎片处置装置，其27.根据权利要求16所述的碎片处置装置，其中每个翅片包括彼此分离的第一子翅片28.根据权利要求27所述的碎片处置装置，还包括其中安装有所述翅片阵列的阵列衬述第二子翅片借助于可拆卸的连接件被安装到所述阵列衬29.根据权利要求27所述的碎片处置装置，其中所述第一子翅片与所述第二子翅片之30.根据权利要求29所述的碎片处置装置，其中所述间隙沿着与所述流动方向垂直的31.根据权利要求16所述的碎片处置装置，其中每个翅片包括在相邻的所述沟槽的所433.根据权利要求31所述的碎片处置装置，其中每个翅片包括在相邻的所述沟槽的所翅片的温度维持在高于所述EUV光的产生期间产生的所述室，包括限定室内部的一个或多个壁，其中由与靶所在的主焦点和由所述等离子体产生的EUV辐射所聚焦的次焦点在所述室内部中，并且在控制系统，被配置为将所述室和所述室内部的温度维持在低于所述靶标的材料的熔碎片处置装置，包括位于所述室外部的流体端口，并且包括排放开口，在第一端处与所述室内部流体连通，并且在第二38.根据权利要求37所述的EUV辐射源容器置装置的至少一部分的温度维持在高于所述靶标的所述材料和在所述室内部产生的碎片39.一种处理在极紫外(EUV)辐射源的室使气流通过所述室的壁中的排放开口，包括将所述气流从所述室通过排放装置排出由所述碎片处置装置收集40.根据权利要求39所述的方法，其中引导来自所述室内部的所述气流通过所述排放开口包括将来自所述室内部中的收集器的所述气流41.根据权利要求39所述的方法，其中将所述气流从所述排放开口引导至所述室外部的所述碎片处置装置包括使所述气流围绕所述室的外圆周的至少一部分通过位于所述碎42.根据权利要求39所述的方法，其中在所述碎片处置装置处收集所述气流内的碎片43.根据权利要求42所述的方法，其中排出由所述碎片处置装置收集的所述碎片包括544.根据权利要求42所述的方法，其中排出由所述碎片处置装置收集的所述碎片包括碎片处置装置收集的所述碎片包括使收集的所述碎片沿着与引导所述气流的气体路径分45.根据权利要求39所述的方法，还包括补偿其中安装有所述翅片的衬垫与所述翅片46.根据权利要求39所述的方法，其中将所述气流从所述排放开口引导至所述室外部47.一种用于控制极紫外(EUV)辐射源的受控环境室内的碎片的每个v形翅片包括彼此成钝角布置的两个段，并且每个v形沟槽包每个v形翅片包括在相邻的所述v形沟槽的所述输入沟槽通道处49.根据权利要求47所述的碎片处置装置，其中每个v形翅片包括在相邻的所述v形沟51.根据权利要求50所述的碎片处置装置，还6[0002]本申请要求于2022年8月12日提交的美国申请63/397,794和于2022年11月21日提[0003]本公开涉及用于处置碎片的装置和方法，该碎片在等离子体生成EUV辐射期间在[0004]可以在光刻工艺中使用极紫外辐射，例如波长约为50nm或更小的电磁辐射(有时10600纳米(nm)的红外光的CO2激光器，用一个或多个光脉冲照射包含一个或多个EUV线发[0005]在一些一般方面，一种碎片处置装置用于控制极紫外(EUV)辐射源的受控环境室[0006]实现方式可包括以下特征中的一个或多个。例如，每个v形翅片可以具有在1mm_[0007]每个v形翅片可由第一子翅片和第二子翅片制成。第一子翅片与第二子翅片之间7并且小于13°。[0009]在其他一般方面，一种碎片处置装置用于控制极紫外(EUV)辐射源的室的受控环的排放开口流体连通，并且排放开口可以在重力作用下被定位于端口衬垫的流体端口下[0013]EUV光可在室内沿着光轴从主焦点被传输到次焦点，主焦点和次焦点均不在流体[0018]碎片处置装置还可包括加热器，该加热器被配置为将翅片的温度维持在高于EUV8EUV光沿着光轴从主焦点被传输到次焦点。控制系统被配置为将室和室内部的温度维持在的流体端口，并且包括与室内部流体连通的上游侧和与碎片捕获阵列流体连通的下游侧。碎片处置装置的至少一部分的温度维持在高于靶标的材料和室内部产生的碎片的材料的[0022]在其他一般方面，执行一种处置在极紫外(EUV)辐射源的室的受控环境内部产生置收集的碎片可以通过使收集的碎片沿着与引导气流的气体路径重叠的排出路径通过而[0025]在其他一般方面，一种用于控制极紫外(EUV)辐射源的受控环境室内的碎片的碎9[0045]图8为图1A和图1B以及图2的碎片处置装置的实现方式的端口衬垫和阵列衬垫的[0046]参考图1A和图1B，碎片处置装置100用于控制极紫外(EUV)辐射源160的室(或容运输到内部161外部的一个或多个位置来控制内部161内的碎片。EUV辐射源160在X_Z平面PF处)的靶标164单独地与光束166中的一个或多个光脉冲相互作用。从该相互作用产生等和蒸汽是当靶标164与光束166的脉冲相互作用时可发生的基于光的蒸发或烧蚀过程的副面168r的物理损坏和局部加热。碎片处置装置100被设计为与将室162的内部161中的碎片沟槽107(或间隙)(图1B)形成在阵列于阵列105中限定的所有沟槽107一般是相同的。翅片106和沟槽107沿着进入和/或离开图端口116包括位于室162外部169的上游侧117u。流体端口116借助于上游侧117u与室内部[0051]端口衬垫115的流体端口116的上游侧117u与室162的壁170中的排放开口120流体开口120之间的流体连接是借助于位于室162的外部169的圆周室通道121。室通道121被限得主焦点PF和次焦点SF均不在流体端口116的上游侧117u的由照射位置165处的靶标164的照射和所产生的等离子体167产生的靶标材料的高能碎片[0053]当使用锡或含锡的靶标164时，使用氢气作为锡靶标164的气流可造成室162内部锡喷溅的一种方法是通过保持表面温度低于或远低于靶标材料的熔点来防止熔化的靶标置装置100(特别是翅片106的线性阵列105)移出内部161，可能将表面和内部161维持在如[0054]内部161内的冷表面上的碎片的沉积可以缩短EUV辐射源160的使用间隔时间。通为另一示例，气流(称为动态气闸)可以用于防止168流出的稳定的引导流171可以由这些流中的一个或多个流的组合形成。该引导流171有离收集器168并朝向排放开口120的各含在流171中的碎片的稳定引导流171由此被引导至排放开口120中，并且被引导出内部[0056]由于翅片106的阵列105位于室162的外部，阵列105可制成线性形式(与安装在室处置装置100包括排放装置130，排放装置130被配置为将收集在阵列105的翅片106中的任装置130被配置为如果排放开口120在重力作用下被定位于端口衬垫115的流体端口116下置为如果排放开口在重力作用下被定位于端口衬垫115的流体端口116上方时起作用(如图阵列衬垫109和/或流体端口116的特定特征构成(如图7所示)。排放装置130能够独立于排[0059]参考图2，所示的碎片处置装置100的实现装置200借助于通道结构222被安装到道结构222内的室通道221以及通过流体端口216的上游侧217u被吸入。排出材料和碎片穿[0060]阵列衬垫209、阵列205、端口衬垫215和流体端口216的细节参照图3A_3E进行论205的与室162的内部161流体连通的一侧(借助于流体端口116、室通道221和排放开口[0065]如图5A和图5C所示，各个相邻翅片之间的距离D可有利地位于9mm至20mm的范围506_8包括段526s1_8和526s2_8，并且翅片506_9包括段526s1_9和526s2_9(也在图5E中示二子翅片427f2包括两个段426s1和426s2的两个下部。第一子翅片427f1与第二子翅片427f2之间的接口428相对于流动方向F成角度被线性地定向。接口428是第一子翅片427f1口428相对于Xf方向以斜角延伸，所以特定沟槽内的任何碎片在穿过该沟槽时仍被夹带在伸部429e1和第二延伸部429e2，第一延伸部429e1被限定在第一子翅片427f1距接口428最429e1可以由第一子翅片427f1的弯曲边缘形成，并且第二延伸部429e2可以由第二子翅片与阵列衬垫209的相应的内壁齐平。第一延伸部429e1和第二延伸部429e2可以沿着XfYf平面从相应的第一子翅片427f1和第二子翅片[0068]每个v形翅片406的第一子翅片427f1借助于第一延伸部429e1在第一连接接口430I1处被安装到阵列衬垫209的第一上壁309w1。并且，每个v形翅片406的第二子翅片427f2借助于第二延伸部429e2在第二连接接口430I2处被安装到阵列衬垫209的第二下壁段426s2中的第一子翅片427f1的一部分和接口428位置附近的第二段426s2中的第二子翅翅片406保持在高于碎片材料熔点的温度。这种低温流将冷却翅片的前缘(面向流体端口这些较低温度的流接近翅片406，翅片406的温度也保持在高于碎片和/或靶标材料的熔化沿着Zf方向相对于彼此堆叠的相应的第一子翅片527f1_8、527f1_9和相应的第二子翅片被形成在第一子翅片527f1_8与第二子翅片527f2_8之间，接口528_9(其可以是间隙或空间)被形成在第一子翅片527f1_9与第二子翅片527f2_9之间。这些接口528_8和528_9类似[0071]v形翅片506_8和506_9成对，并且在连接接口530I1和530I2处一起被安装到阵列翅片506_8还包括在第二连接接口530I2处的第二延伸部529e2_8，并且v形翅片506_9包括在第二连接接口530I2处的第二延伸部529e2_9。为了将v形翅片506_8和506_9组装到阵列断开而不会损坏组件。在该特定示例中，第一连接接口530I1包括子连接接口532I1_1、[0072]子连接接口532I1_3处的连接机构的实现方式如图5D所示，注意，在该实现方式过阵列衬垫209的第一上壁309w1内的开口和相应v形翅片506_8、506_9的第一延伸部529e1_8、529e1_9内的开口的螺栓531。在图5E中，子连接接口532I1_3处的第一延伸部列605的沟槽607的输出沟槽通道607o流体连通的排放端口642。排放路径由箭头640表示。计)相对于EUV辐射源760被布置，其中排放开口720在重力作用下被定位于端口衬垫715的列衬垫209(和/或端口衬垫215)外表面的沟槽。阵列衬垫209和端口衬垫215可以由金属片[0078]v形翅片阵列，其中所述翅片相对于彼此被布置为使得在所述阵列的成对相邻翅[0083]5.根据条款4所述的碎片处置装[0085]7.根据条款6所述的碎片[0088]10.根据条款6所述的碎片处置装置，[0089]11.根据条款6所述的碎片处置装所述排放装置被配置为移除由所述v形翅片阵列收集[0097]17.根据条款16所述的碎片处置装[0098]18.根据条款16所述的碎片处置装置，述室外部的室通道与所述室的壁中的排放开[0100]20.根据条款18所述的碎片处置装置[0103]所述端口衬垫的所述上游侧借助于所述室外部的室通道与所述室的壁中的排放者述排放装置包括与所述输出沟槽通道流体连[0109]27.根据条款16所述的碎片处置装[0110]28.根据条款27所述的碎片处置装述第二子翅片借助于可拆卸的连接件被安装到所述阵列衬[0111]29.根据条款27所述的碎片处置装置[0112]30.根据条款29所述的碎片处置装[0113]31.根据条款16所述的碎片处置[0115]33.根据条款31所述的碎片处置装置翅片的温度维持在高于所述EUV光的产生期间产生的所述子体所在的主焦点和由所述等离子体产生的EUV辐射所聚焦的次焦点在所述室内部中，并置装置的至少一部分的温度维持在高于所述靶标的所述材料和在所述室内部产生的碎片[0130]40.根据条款39所述的方法，其中开口包括将来自所述室内部中的收集器的所述气流[0131]41.根据条款39所述的方法，的所述碎片处置装置包括使所述气流围绕所述室的外圆周的至少一部分通过位于所述碎[0132]42.根据条款39所述的方法，其中在所[0133]43.根据条款42所述的方法，其[0134]44.根据条款42所述的方法，其碎片处置装置收集的所述碎片包括使收集的所述碎片沿