CN119411072A 一种基于相分离生长v2o5纳米线的方法 （南方科技大学）_第1页
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文档简介

本发明公开了一种基于相分离生长V2O5纳到以WO3为基底，生长在所述WO3基底上的V2O5纳2对所述钨钒氧化物薄膜进行退火处理，所述退火处理诱导所述钨钒氧化将钨源靶、钒源靶和衬底放置在磁控溅射设备的真空室内，然所述磁控溅射设备的参数包括：钨源靶的溅射功率为10_100W，钒源靶的溅射功率为理的温度为300℃_600℃。3[0001]本发明涉及纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种基于相分离4[0022]本发明公开了一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法，其仅通[0030]本发明实施例提供一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法，所尺寸可控β_Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)5[0053]向真空室中充入氩气、氧气，并将气压调节至预定范围，气压预定范围为0.7_[0054]施加直流/射频电流，调控W靶、V靶的溅射功率控制钨钒混合非晶氧化物的原子该基底上生长正交相V2O5纳米线，调节退火时间及温度，从而调控V2O5纳米线的长度和密6[0064]将所得的钨钒混合非晶氧化物放置在马弗炉内，大气气氛中进行400℃2h的退火[0070]将所得的钨钒混合非晶氧化物放置在马弗炉内，大气气氛中进行400℃4h的退火[0076]将所得的钨钒混合非晶氧化物放置在马弗炉内，大气气氛中进行400℃2h的退火78

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