CN119411212A 一种单晶生长装置及单晶生长方法 （北京中材人工晶体研究院有限公司）_第1页
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文档简介

本申请提供了一种单晶生长装置及单晶生时间在熔化状态下引起的组分分凝和单晶原料2所述坩埚组件包括辅助坩埚、晶体生长坩埚和导流管，所述辅助坩埚所述炉体与所述晶体生长机构在垂直方向上可以在晶体生长坩埚内放入籽晶及5mm～20mm高的原料，在辅助坩埚的内坩埚圆周孔洞下通过坩埚下降或者炉体上升进行晶体生长，使籽晶中上部的籽晶位置埚下降速度或炉体上升速度，控制加料速度使加料机构中的原料通过加料管进入辅助坩31400℃,所述晶体生长温度为1280℃~1290℃,所述纵向温度梯度为0℃/厘米～40℃/厘4代表性单晶产品为铌镁酸铅_钛酸铅(分子式为(1_x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]_x[PbTiO3]，简称PMN_PT，缩写为PMNT)和铌铟酸铅_铌镁酸铅_钛酸铅(分子式为x[Pb(In1/2Nb1/2)O3]_y[Pb22O5由内坩埚和外坩埚连接而成，所述内坩埚的侧壁和底部与所述外坩埚内表面之间设有间述内坩埚侧壁孔洞与内坩埚底部的距离为0.5厘5[0010]在本申请的一些实施方案中，单晶生长装置还包括坩埚升降装置和/或炉体升降所述坩埚升降装置和炉体升降装置的下端连接[0012]本申请的第二方面提供了一种本申请第一方面提供的单晶生长装置用于生长弛[0016]在晶体生长坩埚内放入籽晶及5mm～20mm高的原料，在辅助坩埚的内坩埚圆周孔铌镁酸铅钛酸铅或铌铟酸铅铌镁酸铅钛酸铅，所述熔化温度为1320℃~1400℃,所述晶体生长温度为1280℃~1290℃,所述纵向温度梯度为0℃/厘米～40℃/厘米，所述坩埚下降速度或者炉体上升速度为0.5厘米/天～2[0023]当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优6[0028]传统的坩埚下降法生长单晶是在晶体生长开始前，将全部原料一次性加入坩埚[0030]如图1所示，加料机构1可均匀的通过加料管2向内坩埚中添加预先制备的单晶原晶井9，籽晶井9与晶体生长坩埚8上部具有锥形过7[0034]在本申请的一些实施方案中，如图1所示，单晶生长装置还包括坩埚升降装置11[0040]本申请的第二方面提供了一种本申请第一方面提供的单晶生长装置用于生长弛[0043]在晶体生长坩埚8内放入籽晶及5mm～20mm高的原料，在辅助坩埚3的内坩埚圆周[0044]控制辅助坩埚3的温度处于原料熔化温度，的晶体生长区域的纵向温度梯度为0℃/厘米～40℃/厘米，控制坩埚下降速度或炉体上升8[0049]在本申请中，单晶原料为预合成的PMNT或PIMNT陶瓷颗粒，陶瓷颗粒的直径为[0056]从各实施例和对比例获得的晶棒上沿垂直于晶体生长方向精确定向后切割出厚粒预合成直径为0.5mm的PMNT陶瓷颗粒。晶体生长前，在晶体生长坩埚8内预先放入直径9

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