CN119414669A 测量系统及基板处理系统、以及元件制造方法 （株式会社 尼康）

201780065873.22017.08.22法用于微元件生产线的测量系统(500)具备：分别进行针对基板的测量处理的多个测量装置置(530)，上述多个测量装置(1001～1003)包含至少1个获取基板上所形成的多个标记的位置信2上述第1测量装置于对上述基板的第m层(m为1以上的整数)进过曝光及显影处理而形成于上述基板的上述第m层的多上述控制装置将基于上述多个标记的位置信息所求出的信息，提供给用于上述第m层上述提供的信息为与上述多个标记一同形成于上述基板上的多个区划区域的排列信上述区划区域的排列信息为使用上述多个标记的位置坐标上述提供的信息为使用上述第1测量装置所获取的上述基板上的上述多个标记的绝对上述第1测量装置获取通过曝光及显影处理而形成于上述基板的第m层(m为1以上的整上述控制装置分别输出形成于上述第m层的多个标记的位置信息上述控制装置输出基于形成于上述第m层的多个标记的位置信息与形成于上述第n层基于形成于上述第m层的多个标记的位置信息、与形成于上述第3第2位置测量系统，其获取上述标记检测系统与上述第1位置测量系统的相对位置信上述控制装置控制上述驱动系统所进行的上述载台的移动，控制使述多个标记各自的检测时使用上述第1位置测量系统所获得的上述载台的位置信息、及使用上述第2位置测量系统所获得的上述标记检测系统与上述第1位置测量系统的相对位置将使用上述第1测量装置所获取的上述多个标记各自的上述绝对位置坐标的信息，输上述第1位置测量系统包含具有格子部的测量面及对上述测量面照射光束的读头部，上述底座构件是在6自由度方向上可移动地支持上述载台，该上述第2位置检测系统可获取上述标记检测系统与上述底座构件的关于上述6自由度上述控制装置于求取上述多个标记的上述绝对位置坐标时，将使用上述第2位置测量系统而获得的上述标记检测系统与上述底座构件于上述既定平面内的相对位置信息用作上述格子部具有2维格子，该2维格子具有于上述既定平面内彼此交叉的第1周期方向来自上述测量面的返回光束包含来自上述格子来自上述第1读头的上述第1光束于上述测量面上的照射点、与来自上述第2读头的上述第2光束于上述测量面上的照射点是被设定为位于上述标记检测系统的检测区域下方的同一检测点，来自上述至少3个第3读头各自的第3光束于上述测量面上的照射点是被设定4上述检测点位于上述标记检测系统的检测中心的下方最近处，上述第1周期方向和上述第2周期方向中的其中一者与上述第1方使用构成权利要求20所述的基板处理系统的一部分的曝光装置对基板进行曝光的动5于该标记位置信息与新形成的图案(例如标来的曝光装置不仅对晶圆变形的1次成分进行修正，还具有对因工艺产生的照射区域排列6个测量装置包含至少1个获取基板上形成的多个标记的位置信息的第其获取于基板上所形成的多个标记的位置信息；以及控制装置，其可控制上述第1测量装置，上述第1测量装置获取于经实施曝光及显影处理的基板上所形成的多个标记的位置信上述第1测量装置获取于经蚀刻处理及成膜处理后且涂布感光材之前的基板上所形成的多包含的上述第1测量装置对上述多个标记的位置信息的测量结束后的上述基板，对于载置及第5形态的基板处理系统中的任一者的一部分的曝光装置对基板进行曝光以及对经曝[0018]图1是将第1实施形态的基板处理系统与用于微元件生产线的其他装置一同予以以通过标记检测系统的光轴AX1的XZ平[0023]图6是以通过标记检测系统的光轴AX1的YZ平面剖开的测量装置的一部分省略的7[0030]图13(A)是用于说明高次偏微分修正的一例的图，图13(B)是用于说明1次近似修[0031]图14是概略地表示第2实施形态的将使用测量装置的起因于曝光装置的晶圆格子[0032]图15是概略地表示将第2实施形态的使用测量装置的迭合测量方法适用于图1的测量装置1001～1003、及统一管理整个测量系统500的测量系统控制装置530等。测量装置1001～1003各自具有控制装置60i(i＝1～3)，控制装置60i各自连接于测量系统控制装置[0039]曝光装置200所具有的曝光控制装置220、C/D300所具有的C/D控制装置320与测合测量器400、蚀刻装置2100、CMP装置2200及CVD装置等成膜装置2300。除此之外，于8架系统510，其配置于该腔室502的一侧。本实施形态中，载架系统510为EFEM(Equipment装置1001～1003亦可不各自具备腔510是具备EFEM本体512与负载埠的模组机器，该EFEM本体512于内部设置有晶圆搬送用机个以上。此处，所谓FOUP，是指以SEMI标准E47.1中所规定的迷你洁净环境(mini一[0050]3个负载埠514各自具有载置部515、及对载置于载置部515的FOUP520的罩进行开闭的开闭机构518。开闭机构518是设于与载置于负载埠514的载置部515上的FOUP520对向的、EFEM本体512的前侧部分，可将FOUP520的内部相对于外部而保持气密状态地开闭9[0053]EFEM系统510的构成各部(机器人516、开闭机构518等)由测量系统控制装置530[0055]负载用搬送构件524可藉由具有内建于导轨522A中的固定件及设于搬送构件524系统521亦可具有仅与测量装置1001进行晶圆输送的搬送装置(包含导轨与搬送构件)、仅3)具有于搬送构件524及搬送构件526之间进行晶圆输送的多关节型机器人。晶[0060]搬送构件524是在设定于EFEM本体512与腔室502的边界附近的晶圆输送位置(负[0061]搬送构件526自晶圆搬送系统70i(i＝1～3中的任一个)接取测量已结束的晶圆，并搬送至设定于EFEM本体512与腔室502的边界附近的卸载侧晶圆输送位置(前述负载侧晶[0062]机器人516将藉由搬送构件526搬送至卸载侧晶圆输送位置的完成测量处理的晶置1001～1003排列配置于地面F上，并于该等测量装置1001～1003(不论是否收容于同一腔器人进行晶圆输送的负载用晶圆保持部及卸载用以各自的轴承面与滑件10的下表面成为大致同一面的状态予以安装，藉由自该等4个空气轴承18朝向定盘12喷出的加压空气的轴承面与定到悬浮支持。本实施形态中，滑件10是使用为零膨胀材料的一种的零膨胀玻璃(例如，[0073]于滑件10的上部，形成有稍大于晶圆W的直径的内径的俯视圆形的既定深度的凹的晶圆的非接触保持构件例如白努利夹具等的情形时，无须于滑件10上设置上下移动构[0077]除振装置14为主动型振动分离系统(所谓的AVIS(ActiveVibrationIsolation轴方向的驱动量较朝向Z轴方向的驱动量小。3个除振装置14连接于控制装置60i(参照图以6自由度方向移动的致动器。控制装置60i基于由第2位置测量系统50所测量的标记检测系统MDS(测量单元40)与定盘12的相对位置信息，始终即时地控制3个除振装置14的致动i亦可基于第1位置测量系统30的测量信息，对3个除振装置14各自动装置20A一体地沿Y轴方向驱动滑件10的第个空气轴承18相对于定盘12而产生的悬浮力固定件26b之间的电磁相互作用，产生将一对可动件22b沿X轴方向驱动的驱动力(电磁力)方向以既定行程进行驱动并且沿Y轴方向进行微小驱动的第1驱动装置20A(参照图9)。第1驱动装置20A藉由使XY线性电机28A与XY线性电机28B各自产生的X轴方向的驱动力的大小[0085]可动载台24具有一对板构件24a、24b以及沿X轴方向隔开既定距离而配置且分别是藉由轴承面与线性导轨27a的一X侧的面之间的加压空气的静压与真空预压压力的平衡，[0087]于可动件23a的上表面上，沿Y轴方向隔开既定间隔地固定有由多个例如2个长方体构件构成的X导轨19。于2个X导轨19上分别非接触地卡合有剖面逆U字状的滑动构件21，[0089]位于X侧的另一个线性导轨27b于内部收纳有由线圈单元(或磁铁单元)构成的Y由同样的剖面L字状的磁铁单元(或线圈单元)构成，且与固定件25b一同构成Y轴线性电机台24的移动，防止(或者有效地抑制)因对滑件10于可动载台24而沿Y轴方向驱动滑件10的驱动力引起的振动的产生[0092]Y轴线性电机29A藉由可动件23a与固定件25a之间的电磁相互作用而产生沿Y轴方向驱动可动件23a的驱动力(电磁力)，Y轴线性电机29B藉由可动件23b与固定件25b之间的自该对象标记的反射光而于受光面上成像的对象标记具有对光学系统的焦点位置进行调整的对准自动对焦记检测系统MDS作为检测信号而输出的摄像信号进行处理，而算出对象标记相对于检测中自该对象标记产生的2个绕射光(例如同次数的绕射光、或者朝同方向绕射的绕射光)干涉扫描型对准系统是在使滑件10朝既定方向移动的期间，使测量光沿既定方向扫描对象标系统33可自读头部32对滑件10下表面的测量部(光栅RG1的形成面)照射多个光束，并且接收来自滑件10下表面的测量部的多个返回光束(例如来自光栅RG1的多个绕射光束)，以获统33中，例如使用与美国专利第7,238,931号说明书及美国专利申请案公开第2007/288,121号说明书等中揭示的编码器读头(以下适当地简称为读头)为同样构成的绕射干涉型读该等中的至少光学系统与光栅RG1对向地配置于读头部32的框体内部即可，光源及受光系于X轴方向的位置进行测量的X读头37x构成前述X线性编码器33x，由使用光栅RG1的Y绕射格子对滑件10于Y轴方向的位置进行测量的一对Y读头37ya、37yb构成一对Y线性编码器[0104]如图7(A)及图7(B)所示，X读头37x是自通过读头部32中心且平行于X轴的直线LXLBx12如图7(A)及图7(B)所示，是自直线LYa上距直线LX的距离相等的2点(参照图7(B)的白圆)，[0107]Y读头37yb是自关于直线CL而与Y读头37ya的测量光束LBya1、LBy的2点(参照图7(B)的白圆)，将测量光束LByb1、LByb2照射至光栅RG1上的共同的照射点(第2绕射光束)彼此的的控制是基于由第2位置测量系统50所测量的标记检测系统MDS(测量单元40)与定盘12的[0111]激光干涉仪系统35可使测长光束入射至滑件10下表面的测量部(形成有光栅RG110的下表面(形成有光栅RG1的面)。激光干涉仪系统35具备分别照射该等4束测长光束LBz123~35d构成4个Z读头。滑件10于θx及θy的各方向的位移会产生编码器系统33的测量误差(阿贝误差)。考虑到该可使光束入射至形成有光栅RG1的面上的不同的3点便足够，因此Z读头例如激光干涉仪只选择滤光片，该波长选择滤光片使来自编码器系统33的各测量光束通过保护玻璃的表面，并阻止来自激光干涉仪系统35的各测长光的表面的Z位置的差ΔZ(即，编码器系统33的检测点与标记检测系统MDS的检测中心(检测点)于Z轴方向的位置偏离)，而产生与光栅RG1相对于XY平面的倾斜相应的定位误差(一种[0120]如图8所示，于读头安装构件51的+X侧的端部的下表面所固定的其中一个读头部束于2维光栅RG2a上的照射点)是配置于同一平行于[0121]另一个读头部52B是于通过标记检测系统MDS的光轴AX1且平行于Y轴的直线(以下YZ读头58Y2分别照射至光栅RG2b上的测量光束的照射点是设定于同一平行于Y轴的直线[0122]作为XZ读头58X1及58X2以及YZ读头58Y1及58Y2的各个，例如可使用与美国专利第7,561,280号说明书中揭示的位移测量该4轴编码器582对定盘12相对于标记检测系检测系统MDS的关于Z轴方向的位置信息，求出(测统MDS的关于Y轴方向的位置信息，求出(测量出)定盘12相对于统50对定盘12相对于标记检测系统MDS的6自由度方向的位置信息，亦即标记检测系统MDS与定盘12的关于6自由度方向的相对位置的信息进行测量。由第2位置测量系统50所测量位置测量系统30的检测点相对于标记检测系统MDS的检测中心而成为所期望的位置关系，具体而言，第1位置测量系统30的检测点于XY平面内的位置例如以nm级一致于标记检测系记检测系统MDS的检测中心而成为所期望的位置关系，则第2位置测量系统50即使无法于6量系统对滑件10相对于标记检测系统MDS的6自由度方向的[0127]图9表示一方块图，该方块图表示主要构成本实施形态的测量装置100i的控制系域的区划区域(以下称为照射区域)，于围绕各照射区域的界线或各照射区域内部的界线(于1照射区域取多个晶圆的情形时)的上，设有多种标记例如搜寻对准用的搜寻对准标记[0130]又，测量装置100i可设定标记检测系统MDS的标记检测条件互不相同的多个测量有测量开始时。此时，1批次中所含的多个晶圆(例如25片晶圆)是被收纳在位于测量装置内的1批次的晶圆藉由机器人516依序取出，并藉由搬送构件524而搬送至与测量装置100i530对控制装置60i及机器人516给予搬控制装置220不通过主机电脑2000而对测量系统控制装置530晶圆搬送系统70i，将晶圆W自晶圆载架(或输送位置)搬送至位于加载位置的滑件10的上的内压(除振装置14所产生的Z轴方向的驱动力)，以将定盘使得晶圆W表面被设定于可藉由标记检测系统MDS的自动对焦功能而调整光学系统的焦点表面的Z位置调整亦可包含晶圆表面的倾斜调整。藉由使用驱动系统20以调整晶圆表面的倾斜，从而于有可能产生因光栅RG1的配置面与晶圆W的表面的Z位置的差ΔZ引起的误差[0138]于接下来的步骤S108中，进行晶圆W的搜寻对准。具体而言，使用标记检测系统域(检测视野)内，并获取第1位置测量系统30的测量信息及第2位置测量系统50的测量信结果(自检测信号求出的标记检测系统MDS的检测中心(指标中心)与各搜寻标记的相对位统MDS的检测信号所求出的标记检测系统MDS的检测中心(指标中心)与各搜寻标记的相对[0141]于接下来的步骤S110中，判断所设定的测量模式是否为A模式。并且，于该步骤述搜寻对准时的各搜寻标记的位置坐标的测量同样地，求出晶圆W上的晶圆标记于基准坐制装置60i基于第2位置测量系统50的测量信息来即时地控制3个除振装置14的致动器，以使第1位置测量系统30的检测点于XY平面内的位置例如以nm级一致于标记检测系统MDS的记的检测时，不进行使第1位置测量系统30的检测点于XY平面内的位置例如以nm级一致于标记检测系统MDS的检测中心的补偿，因此必须将两者的位置偏离量考虑为补偿值而算出置测量系统30的测量值进行修正，可对所算出的晶圆W上的晶圆标记于基准坐标系上的位[0145]于步骤S112的针对所有晶圆的对准测量(全照射区域1点测量)时，若滑件10于XY是预先决定者。例如，亦可将可藉由统计运算而求差)的配置的多个晶圆标记设为测量对象。测量的流程除了作为测量对象的标记的数量不量的K_1片(例如于K＝4的情形时为3片)晶圆W的晶圆标记的检测结果，对每个照射区域决骤S118中对每个照射区域决定应设为测量对圆标记的测量(EGA测量)之后，基于取样照射区域的位置坐标的设计值与实测值的差的数EGA测。(区果而获得的检测信号的波形未必于所有晶圆所谓晶圆格子，是指将依照照射区域映射(与晶圆W上所形成的照射区域的排列相关的数后的模型公式(1)的数据)，是作为各晶圆数据档案的一部分而由测量装置100i的控制装置60i发送至测量系统控制装置530。测量系统控制装置530将包含所收到的各晶圆的晶圆格子的信息、例如所收到的各晶圆的晶圆格的多个晶圆各自的晶圆格子的信息(对准履历数据档案)发送至主机电脑2000。不言而喻的，自测量系统500发送的晶圆格子的信息(对准履历数据档案)中亦包含晶圆格子的非线晶圆格子的信息(对准履历数据档案)不通过测量系统控制装置530而自控制装置60i发送[0172]作为一例，构成基板处理系统1000的一部分的曝光装置200是步进扫描方式的投在由标线片遮廉(遮蔽系统)所设定(限制)的标线片R上沿X轴方向(图11中的纸面正交方行照明。照明系统IOP的构成例如于美国专利申请案公开第2003/0025890号说明书等中有[0175]标线片载台RST是配置于照明系统IOP的图11中的下方。标线片载台RST例如藉由线片载台定盘上于水平面(XY平面)内进行微小驱动，并信息(包含于θz方向的旋转信息)是藉由标线片激光干涉仪(以下称为“标线片干涉仪”)右的解析度进行检测。标线片干涉仪214的测量信息被供给至曝光控制装置220(参照图[0177]投影单元PU是配置于标线片载台RST的图11中的下方。投影单元PU包含镜筒240、PL的第2面(像面)侧。因此，当藉由来自照明系统IOP的照明光IL对标线片R上的照明区域缩小像(电路图案的一部分的缩小像)通过投影光学镜可藉由未图示的驱动元件例如压电元件等，而沿Z轴方向(投影光学系统PL的光轴方向)[0179]晶圆载台WST藉由包含平面电机或线性电机等的载台驱动系统224(图11中为了方可将晶圆载台WST与晶圆载台WST的晶圆保持具的其中任一者或两者称为“第2基板保持构[0180]晶圆载台WST于XY平面内的位置信息(包含旋转信息(平摆量(θz方向的旋转量θ下简称为干涉仪系统)218，通过移动镜216(或者于晶圆载台WST的端面所形成的反射面)，例如始终以0.25nm左右的解析度进行检测。再者，对于晶圆载台WST于XY平面焦点感测器AFS(参照图12)而测量，该焦点感测器AFS包含于美国专利第5,448,332号说明书等中揭示的斜入射方式的多点焦点位置检测系统。该焦点感测器AFS的测量信息亦被供及由后述的标线片对准检测系统所检测的一对[0184]于投影单元PU的镜筒240的侧面，设有对形成于晶圆W的对准标记或者第1基准标成像式对准感测器的一种的FIA(FieldImageAlignment)系统，该FIA系统是利用卤素灯可同时检测于标线片载台RST上所载置的标线片R上的位于同一Y位置的一对标线片标记。标线片对准检测系统213对标记的检测结果被供给至曝光控制装置则分析装置3000例如基于来自迭合测量器400的迭合偏离的测量结果，进行依照既定程式[0191]于基板处理系统1000中，藉由测量系统500与包含曝光装置200及C/D300的微影象晶圆的前述测量处理、与微影系统的对测量系统500的测量已结束的晶圆的处理是彼此于C/D300与曝光装置200之间所设的基板输送部[0196]前述载置于加载侧基板载置部的晶圆W1藉由晶圆搬送系统270搬送至曝光装置装置100i所进行者同样地，使用晶圆载台WST上的未图示的上下移动构件与晶圆搬送系统脑2000提供给曝光装置200的曝光控制装置220。于曝光装置200自主机电脑2000获取的对准履历数据中，包含有由测量系统500所测量的各晶圆的晶圆格子的信息，曝光控制装置射区域设为对准照射区域的EGA方式的晶圆对准的[0198]由测量装置100i所求出的晶圆W的照射区域的位置坐标的修正量(上述式(1)的系数a00…)，例如是被用于藉由曝光装置200对晶圆W进行曝光时的晶圆相对于工艺的晶圆W的变形而产生的成分，故可认为其是与晶圆保持具对晶圆的保持状态无关的[0199]基于该考量，由测量装置100i耗费时间而对晶圆W求出的高次成分的系数a3、9的位置坐标修正量的线性成分的简易EGA测量(例如3～16个左右的晶圆标记的测量)便足中使用有标记的位置信息)的晶圆标记中，选择与对准照射区域数对应数量的晶圆标记来的下式(3)所表示的、与将晶圆的中心作为原点的晶圆坐标系上的各照射区域的设计上的干个照射区域的多个晶圆标记与关于剩余照射区域的各1个晶圆标记之中的检测信号为良使用该等晶圆标记的位置信息(实测值)，进行例如对[0209]然后，曝光控制装置220一边依照该定位目标位置对晶圆载个进行调整，以使标线片R的图案藉由投影光学系统PL的投影像配合所求出的照射区域形由曝光控制装置220通过成像特性修正控制器2[0212]与对上述交换后的晶圆W2的晶圆对准并行地，藉由晶圆搬送系统270将完成曝光[0213]如前所述，藉由晶圆搬送系统270而载置于基板输送部的卸载侧基板载置部的完成曝光的晶圆是藉由C/D内搬送系统而搬入至烘烤部内，藉由该烘烤部内的烘烤装置进行100i进行对象晶圆的对准测量，从而可实现几乎不会使曝光装置200的晶圆处理的产出量藉由测量系统500的测量装置100i事先进行了测量处理的某批次晶圆的对准及曝光处理、与测量系统500的测量装置100i对另一批次晶圆的测量处理，从而亦可实现几乎不会使晶装置200对某批次晶圆的晶圆对准及曝光的动作并行地，对另一批次的晶圆进行将所有照晶圆对准及曝光动作之前，先进行将所有照射区域设为取样照射区域的全照射区域EGA或者包含关于至少一部分照射区域的多点EGA的全照射区域EGA(以下总称为与模式的设定相格子的变形成分的数据)的对准履历数据。所获取的关于各晶圆的对准履历数据是对每个活用使用测量系统控制装置530而求出的关于对象晶圆的包含晶圆格子信息的对准履历数由测量系统500的测量装置100i中的事先测量处理所获得的关于对象晶圆的、包含晶圆格[0218]又，藉由测量装置100i的事先测量处理中的全照射区域EGA所获得的模型公式中用该低次成分的系数与由测量装置100i所获取的高次成分的系数，不仅可确认模型公式时的标线片图案的像与晶圆上的各照射区域中所形成的图10相对于定盘12的于6自由度方向的位置信息进行检测的第1位置测量系统的测量点的位置关系以nm级维持于所期望的关系。又，控制装置60i一边控制驱动系统20对滑件10的驱测量系统50的测量信息(定盘12与标记检测系统MDS的相对位置信息)，基于使用标记检测系统MDS对形成于晶圆W上的标记进行检测时的检测信号、使用标记检测系统MDS对形成于晶圆W的标记进行检测时所获得的第1位置测量系统30的测量信息、及使用标记检测系统MDS对形成于晶圆W的标记进行检测时所获得的第2位置测量系统50的测量信息，求出多个只要将使用标记检测系统MDS对形成于晶圆W的标记进行检测时所获得的第2位置测量系统RST)的移动进行控制。的位置信息进行测量的第1位置测量系统30是利用标记检测系统MDS至少对晶圆W上的晶圆标记进行检测，因此可于滑件10移动的范围内，自读头部32将测量光束持续照射至光栅内的装置的启动阶段)，找出由第1位置测量系统30的测长轴所规定的正交坐标系(基准坐息与标记检测系统MDS的检测结果所求出的、保持于滑件10上的晶圆W上的标记(不限于搜寻标记、晶圆标记，亦包含其他标记例如迭合测量标记(时间)内，进行用于求出晶圆的位置坐标修正量的线性成分的简易EGA测量(例如使用对准装置200具备条码阅读器的情况进行了说明，但亦可取代条码阅读器而具备无线IC标签即1次以下的低次成分的系数，并使用该低次成分的系数与由测量装置100i所获取的上述模次以下的成分的系数、与由测量装置100i所获取的上述模型公式的N次以上的高次成分的…及b3公式(1)表达晶圆坐标系(与基准坐标系一致)上的各照射区域的设计上的位置坐标X、Y与i中[0228]晶圆W上的晶圆格子会因工艺而发生变形，各个照射区域亦会因该工艺而稍许变数)确定后的式(3)，求出晶圆上的多个照射3相对于Y轴的旋转有关的1次的系数来修正照射区域形状。于进行了该1次近似修正的情形片R的图案藉由投影光学系统PL的投影像配合所求出的照射区域形状(藉由照射区域变形位置测量系统50各自具备的格子部(2维光栅)将XY平面内彼此交叉的2方向作为周期方向可设置对相对于光栅RG1上的既定点而于X轴方向上相隔同一距离的2点照射检测光束的一位置测量系统30未必需要可测量滑件10相对于定盘12的6自由度方向的位置信息，例如亦测量系统未必需要具备自前述读头部对滑件10的光栅RG1照射光束的编码器系统，亦可包含对滑件10相对于定盘12的6自由度方向或者于水平面内的3自由度方向的位置信息进行位置测量系统50亦可不必能测量6自由度方向所有的位置置与多个加载埠的载置部之间进行载架(FOUP等)输送所求出的、保持于滑件10上的晶圆W上的晶圆标记例如迭合测量标记(对位标记)的绝对位的位置关系在设计上已知的与各照射区域对应的晶圆处理可对收容于FOUP中的多个晶圆的全部或一统30所测量的滑件10于θx方向及θy方向的测量值，使第1位置测量系统30的X轴方向及Y轴a00系数确定后的式(1)作为晶圆格子的变动信息，而存储于测量系统500内部的存储器(例如间的载台格子的误差等引起的照射区域排列的误[0273]再者，用于获取晶圆W0的晶圆格子变动信息的测量装置100i既[0282]再者，亦可将于步骤212中求出的晶圆W0的晶圆格子的信息提供(反馈)给曝光装各种工艺(包含蚀刻处理及成膜处理)而子变动信息的晶圆W0的对准履历数据提供(前馈)给进行第2层的曝光处理的曝光装置200300的涂布部中，对藉由曝光装置200或者与曝光装置200不同的曝光装置例如扫描器或步成有与照射区域的设计上的位置关系为已知的晶圆标记及迭合偏离测量用的第1标记(准进行位置控制，一边以步进扫描方式对晶圆W11上的各照射区域进行第2层(将第1层设为下搬送至基板输送部的卸载侧基板载置部，并藉由C/D内搬送系统而自卸载侧基板载置部搬量系统50)来测量滑件10的位置信息，一边使用标记检测系统MDS分别检测晶圆W11上的I个第1标记像与I个第2标记像，基于I个第1标记像与I个第2标记像各自的检测结果及各个标量的滑件10于θx方向及θy方向的测量值，使第1位置测量系统30的X轴方向及Y轴方向阿贝像与I个第2标记像各自于XY平面内的绝对第2标记像的绝对位置坐标，例如以下述方式判断迭合误差主要起因于第1层的曝光与第22标记像的绝对位置坐标自设计上的位置坐标的偏离合误差于X轴方向及Y轴方向皆是主要起因于第1层的曝光，于ΣX1i<ΣX2i且ΣY1i<ΣY2i位置坐标与I个第2标记像的绝对位置坐标来判断迭合误差主要起因于第1层的曝光与第2差主要起因于第1层的曝光与第2层的曝光的何者的判断结果的数据，被反馈给控制装置的形状及大小相关的第2信息的情形时，亦可将第1信息提供(反馈)给对第1层进行曝光的使第2层的各照射区域的形状与大小成为所期据与第2标记像的绝对位置坐标的数据作为第1层与第2层的迭合误差(第1层与第2层的位(反馈)给进行第1层的曝光的曝光装置(曝光装置200或其他曝光装置)与进行第2层的曝光将自测量系统500输出的数据提供(反馈)给进行第1层的曝光的曝光装置(曝光装置200或其他曝光装置)与进行第2层的曝光的曝光装置200迭合测量方法，测量系统500可分别测量第1标记像的绝对位置坐标与第2标记像的绝对位取完成显影的晶圆W11的第1标记像(或第1层的晶圆标记)的绝对位置坐标与第2标记像(或第2层的晶圆标记)的绝对位置坐标，但亦可于第1层的曝光处理后且第2层的曝光处理前，利用测量系统500的测量装置100i获取完成显影的晶圆W11的第1标记像(或第1层