CN119418730A 磁记录介质、磁记录再生装置及磁记录介质的制造方法 （株式会社力森诺科硬盘）

202210092809.62022.01.26的至少1层包含氧化物，上述扩散防止层设置于2所述垂直磁性层的最上层在磁性粒子中包含所述垂直磁性层的最上层以外的层的至少1层包含所述垂直磁性层所包含的所述磁性粒子的平均粒径为10n2.根据权利要求1所述的磁记录介质，所述扩散防止层所包含的Si、Ti和B的含量为％～4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质，所述9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁记录介质，所10.根据权利要求1～9中任一项所述的磁记录介质，所述垂直磁性层的厚度为1nm~34[0023]对于本发明的第1实施方式涉及的磁记录介质进行说明。本实施方式涉及的磁记[0030]软磁性层12的厚度的合计通过磁记录介质10的记录再生特性与OW(OverWrite)5[0034]基底层14设置于种子层13上，基底层14具有提高垂直磁性层15的(002)面取向性[0036]基底层14的平均结晶粒径优选为6nm～20nm的范围内，更优选为6nm～8nm的范围情况下，可举出CoCrPt_B2O3、CoCrPt_SiO2、CoCrPt_Cr2O3、CoCrPt_TiO2、CoCrPt_ZrO2、[0044]溅射气体压力以使各层的特性成为最佳的方式适性层15所包含的氧化物扩散至磁记录介质10的表面，从而磁记录介质10的腐蚀通路消失，[0047]因此，研究了在垂直磁性层15与保护层17之间设置特定的组成的扩散防止层1扩散防止层16基本上为没有参与信息记录的层，因此如果设置于垂直磁性层15与磁头之述氧化物的扩散，并且需要获得垂直磁性层15的最上层151与保护层17的高密合性和晶格623C67C34等。优选为0.5at10at更优选为2at4at％。层部易于扩散的物质具有Co的氧化物和Fe的氧化物，但是通过扩散防止层16含有这些物[0056]扩散防止层16能够由溅射法等公知的方法形成。通过提高扩散防止层16的结晶2_2_[0061]此外，将垂直磁性层15的表面利用包含有机硅化合物的气体进行蚀刻也是有效[0063]保护层17具有保护磁记录介质10不受由于磁头与磁记录介质10的接触带来的损7高垂直磁性层15的最上层151与保护层17的密合性和晶格整合性，因此磁记录介质10能够[0073]对于使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁记录再生装置进行说明。图3为表录介质31使用上述本实施方式涉及的磁记录介[0075]本实施方式涉及的磁记录再生装置30通过使用本实施方式涉及的磁记录介质10[0077]对于本发明的第2实施方式涉及的磁记录介质进行说明。本实施方式涉及的磁记832O52O32236等。[0086]种子层22、第1基底层23_1和第2基底层23_2的至少1层中的氧化物的含量优选为9GeO2系合金(SiO2的含量为8molCr2O3的含量为4mol剩余部分(Pt的含量为45at剩余部止层25具有与第1实施方式涉及的磁记录介质10的扩散防止层16同样的构成，因此防止扩[0102]扩散防止层25具有与第1实施方式涉及的磁记录介质10的扩散防止层16同样的构[0103]即，磁记录介质20能够使扩散防止层25所包含的、Si、Ti、Cr、B和Ru的含量为高垂直磁性层24的最上层241与保护层26的密合性以及晶格整合性，由此磁记录介质20能[0112]将洗涤完的外径2.5英寸的玻璃制的非磁性基板(HOYA公司制)收容于DC磁控管溅[0114]接下来，使用Co_20at％Fe_5at％Zr_5at％Ta(Fe的含量20atZr的含量5at%,Ta的含量5at剩余部分Co)的靶标，使非磁性基板的温度为100℃以下，将厚软磁性基底层上分别形成厚度5nm的Ni_6at％W层和厚度20nm的Ru层，作为取向控制基底量15atPt的含量18at剩余部分Co的合金的含量91molSiO2的含量6molTiO2的含量3mol％)的靶标，将厚度9nm的具有粒状结构的垂直磁性层形成于取向控制基底层上。量11atPt的含量18at剩余部分Co的合金的含量92molSiO2的含量5molTiO2的[0121]接下来，使用Co_11at％Cr_18at％Pt(Cr的含量11atPt的含量18at剩余部垂直磁性层时的基板温度为310℃。10)利用RF等离子体进行离子化而进行。[0124]在形成保护层之后，利用XPS研究扩散防止层，结果形成厚度0.1nm的3mol％C_含的CoO为来自垂直磁性层的扩散物，C为来自四甲基硅烷的析出物和来自保护层的扩散[0129]在90℃,90％RH的环境下，将磁记录介质放置96小时之后，使50at％Ti合金)形成的基底层以及厚度25nm的、由75at％Co_20at％Ta_5at％B合金形成的82mol％(52at％Fe_48at％Pt)_18mol％SiO2形成的垂直磁性层，厚度3nm的由52at％Fe_[0152]实施例1～实施例19的磁记录介质与比较例1～3的磁记录介质不同，确认了通过