CN119421408A 半导体装置和半导体装置的制造方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）

和第二信号线的主体延伸部在衬底上的正投影2第一信号线和第二信号线，沿竖直方向层叠在所述衬底所述第一信号线和所述第二信号线均具有主体延伸部和引出端部所述第一信号线的主体延伸部和所述第二信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投所述第一信号线的引出端部和所述第二信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不其中，在所述第一信号线和所述第二信号线中：所述第一表在所述第二表面指向所述第一表面的方向为所述引出方向在所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述引出方向所述第二信号线的延伸长度小于所述第一信号线的延在第二水平方向上延伸的第三信号线，所述第三信号线与所述第所述第三信号线具有主体延伸部和引出端部，所述第三信号线的在第二水平方向上延伸的第四信号线，所述第四信号线与所述第所述第四信号线具有主体延伸部和引出端部，所述第四信号线的所述第四信号线的主体延伸部和所述第三信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投所述第四信号线的引出端部和所述第三信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不在所述功能层中：所述第四信号线形成在所述第二信号线远离所述第三信号线的一3其中，在所述第三信号线和所述第四信号线中：所述第一表在所述第二表面指向所述第一表面的方向为所述引出方向在所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述引出方向所述第四信号线的延伸长度小于所述第三信号线的延所述第一引出结构的一端与所述第一信号线的引出端部相接触，另一所述第二引出结构的一端与所述第二信号线的引出端部相接触，另一所述第三引出结构的一端与所述第三信号线的引出端部相接触，另一所述第四引出结构的一端与所述第四信号线的引出端部相接触，另一在所述第一表面指向所述第二表面的方向为引出方向时，引在所述第二表面指向所述第一表面的方向为所述引出方向时，能层的第一信号线的延伸长度大于靠近所述衬底的所述功能层的第二信号线的延伸长度，远离所述衬底的所述功能层的第三信号线的长度大于靠近所述衬底的所述功能层中第四在所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述引出方向时，能层的第一信号线的延伸长度小于靠近所述衬底的所述功能层的第二信号线的延伸长度，远离所述衬底的所述功能层的第三信号线的长度小于靠近所述衬底的所述功能层中第四4其中，所述第一晶体管的第一连接区与所述第一信号线的主体沟道部，所述沟道部包括所述第一连接区、所栅极部，通过栅绝缘部与所述沟道部相互绝缘设置，所述栅极部与所述沟道部所述第一晶体管的第一连接区形成在其栅极部与所述第一信号线的主体延伸部之间，所述第一晶体管的沟道区和第二连接区均环绕其所述第二晶体管的第一连接区形成在其栅极部与所述第一晶体管所述第三信号线的主体延伸部环绕所述第一晶体管的第二所述第二信号线的主体延伸部环绕所述第二晶体管的第二所述第一晶体管的栅极部之间形成有导电接其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极部在所述衬在所述衬底上形成第一信号线及覆盖所述第一信号线的第一绝在所述第一绝缘膜层远离所述衬底的一侧形成在第一水平方向上延伸的第二信号线；所述第一信号线和所述第二信号线均具有主体延伸部和引出端部所述第一信号线的主体延伸部和所述第二信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投所述第一信号线的引出端部和所述第二信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不5在形成所述第二信号线之前：在所述第一绝缘膜层远离所述衬在形成所述第二信号线之前：在所述第一绝缘膜层远离所述衬其中，所述第三信号线和所述第四信号线均具有主体延伸部和所述第三信号线的主体延伸部和所述第四信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投所述第三信号线的引出端部和所述第四信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不在衬底上依次形成堆叠的导电材料薄膜、牺牲材料薄膜及光刻胶利用所述光刻胶掩膜图案层对所述牺牲材料薄膜进行图案化处理，以形成牺牲图案去除所述光刻胶掩膜图案层，之后，再形成覆盖各所述牺牲掩膜条在所述中间掩膜材料薄膜远离所述衬底的一侧形成修剪掩膜利用所述修剪掩膜层去除所述中间掩膜材料薄膜去除所述牺牲图案层，并利用所述中间掩膜图案层对所述导电材6其中，所述利用所述中间掩膜图案层对所述导电材料薄膜进行利用所述中间掩膜图案层对所述硬掩膜材料薄去除所述中间掩膜条，并利用所述硬掩膜图案层对所述导电材料薄膜进行图案化处形成隔离材料薄膜，所述隔离材料薄膜覆盖各所述信号线并填充于去除所述隔离材料薄膜中高出所述信号线的部分，以形成隔离图案层，在所述第一表面为所述引出表面时，所述第二长度大于所述第一在所述第二表面为所述引出表面时，所述第二长度小于所述第一使所述第四信号线的延伸长度小于所述第三信号在所述衬底上形成依次堆叠的多层功能层，在相邻两层所述功能在所述第一表面为所述引出表面时：在形成所述上层功能层使用的修剪掩膜层在第一水平方向上的长度大于在形成所述下层功能层的第二信号线的7信号线的步骤中所使用的修剪掩膜层在第二水平方向上的长度大于在形成所述下层功能在所述第二表面为所述引出表面时：在形成所述上层功能层使用的修剪掩膜层在第一水平方向上的长度小于在形成所述下层功能层的第二信号线的信号线的步骤中所使用的修剪掩膜层在第二水平方向上的长度小于在形成所述下层功能能层的第三信号线的延伸长度小于所述下层功能层的第四信号形成沿竖直方向延伸且相互间隔设置的第一引出结构、第二引出结构、第所述第一引出结构的一端与所述第一信号线的引出端部相接触，另一所述第二引出结构的一端与所述第二信号线的引出端部相接触，另一所述第三引出结构的一端与所述第三信号线的引出端部相接触，另一所述第四引出结构的一端与所述第四信号线的引出端部相接触，另一形成依次贯穿所述第二绝缘膜层、所述第三信号线的主体延伸部、所在所述第一通孔内形成第一晶体管，所述第一晶体管的形成层间绝缘膜层，所述层间绝缘膜层覆盖所述第形成依次贯穿所述第三绝缘膜层、所述第二信号线及所述层间绝缘膜层的第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在所述衬底上的正投在所述第二通孔内形成第二晶体管，所述第二晶体管的第一连接8后续形成的所述第四信号线的主体延伸部与在堆叠结构远离所述衬底的一侧形成牺牲材料薄膜，所述在所述牺牲材料薄膜远离所述衬底的一侧形成光刻胶掩膜图案利用所述光刻胶掩膜图案层对所述牺牲材料薄膜进行图案化处理，以形成牺牲图案去除所述绝缘材料薄膜高出牺牲图案层的部分和所述盲槽结构的去除所述堆叠结构上的所述牺牲图案层和所述盲形成沟道薄膜，所述沟道薄膜覆盖堆叠结构远离所述衬底的表对所述沟道薄膜进行图案化处理，以形成位于所述通孔内的沟道部，槽状，且所述沟道部中槽侧壁远离所述衬底的表面低于所述堆叠结构远离所述衬底的表依次形成栅绝缘薄膜和栅极薄膜，所述栅绝缘薄膜和所述所述衬底的表面、所述沟道部中槽侧壁远离所述衬底的表面以及填充在所述沟道部的槽9将所述栅绝缘薄膜和所述栅极薄膜高出所述堆叠结构的部分去除，使得所述堆叠结其中，在形成所述第一晶体管的步骤中，所述堆叠结构包形成导电接触垫，所述导电接触垫靠近所述衬底的一侧与所述第一晶体管依次形成导电材料薄膜和牺牲材料薄膜，所述导电材料薄膜和在所述牺牲材料薄膜远离所述导电材料薄膜的一侧形成光刻胶掩膜利用所述光刻胶掩膜图案层对所述牺牲材料薄膜进行图案化处理，以形成牺牲图案盖所述牺牲图案层远离所述衬底的表面并填充在所述牺牲穿去除所述中间掩膜材料薄膜中高出所述牺牲图案层的部分，以形成中间掩膜图案层，取半导体装置)存储密度的需求越来越高，但现有1T1C(T代表晶体管transistor,C代表电所述第一信号线远离所述衬底的一侧，并通过绝缘膜层与所述第二信号线之间相互绝缘，[0010]在所述第一绝缘膜层远离所述衬底的一侧形成在第一水平方向上延伸的第二信[0012]所述第一信号线的主体延伸部和所述第二信号线的主体延伸部在所述衬底上的[0013]所述第一信号线的引出端部和所述第二信号线的引出端部在所述衬底上的正投[0021]图6至图43示出了本公开一实施例所示的半导体装置的制造方法中执行完各个步本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。[0032]如图2和图3所示，绝缘隔离层102可包括依次形成在衬底10上的第一膜层1021和第一信号线203之间相互绝缘，第一信号线203和第二信号线205均在第一水平方向X上延[0035]第一信号线203和第二信号线205均具有主体延伸部(图中未标示出)和引出端部水平方向X上的至少一端，此引出端部用于通过引出结构接收控制电路输出的电平信号或方向时，位于同一功能层20的第一信号线203的延伸长度小于第二信号线205的延伸长度；同一功能层20的第二信号线205的延伸长度小于第一信号线20信号线205中第二表面指向第一表面的方向为引出方向时，远离衬底10的功能层20的第一功能层20的第一信号线203的延伸长度小于靠近衬底10的功能层20的第二信号线205的延[0047]功能层20还可包括在第二水平方向Y上延伸的第三信号线204，第三信号线204具上的至少一端。第三信号线204与第一信号线203和第二信号线205沿竖直方向Z层叠设置，[0048]功能层20还包括在第二水平方向Y上延伸的第四信号线206，第四信号线206具有与第三信号线204连接的引出结构和与第四信号线206连接的引出结构同侧引出，方便制[0052]举例而言，第三信号线204和第四信号线206中引出端部的第一表面可为引出表向第一表面的方向为引出方向时，位于同一功能层20的第三信号线204的延伸长度小于第四信号线206的延伸长度；或在第三信号线204和第四信号线206中第一表面指向第二表面信号线206中第二表面指向第一表面的方向为引出方向时，远离衬底10的功能层20的第三信号线204的长度大于靠近衬底10的功能层20中第四信号线206的长度；或在第三信号线20的第三信号线204的长度小于靠近衬底10的功能层20中第四信三信号线204、第二信号线205及第四信号线206中引出端部位于主体延伸部在其延伸方向[0063]此外，第一晶体管201与第一信号线203的主体延伸部和第三信号线204的主体延伸部相连接，第二晶体管202与第二信号线205的主体延伸部和第四信号线206的主体延伸触，或第二晶体管202的第一连接区可与第一晶体管201的栅极区通过导电接触垫207相接四信号线206相互层叠设置且相邻两信号线之间通过绝缘膜层相互绝缘，以在降低第一晶还可减小晶体管所连接的两条信号线之间产生的寄生电容，通过将第一信号线203和第二信号线205的延伸方向设计为相同，第三信号线204和第四信号线206的延伸方向设计为相通过与其相接触的引出结构可与控制电路或读取电路相连，实现存储单元20a中信号线的信号线206在竖直方向Z上层叠设置时，第一晶体管201和第二晶体管202也可在竖直方向Z上层叠设置在衬底10上，减小存储单元20a所占面积，从而可提高功能层20整体的存储密方向Y上的相对两端在衬底10上的正投影均位于第三信号线204在衬底10的相对两边缘与第二信号线205在衬底10上的正投影不存在交叠，也就是说，第一信号线203在第一水平方向X上的相对两边缘远离衬底10的一侧均无第二信号线205遮挡，第一信三信号线204在第二水平方向Y上的相对两边缘与第四信号线206在衬底10上的正投影不存无第四信号线206遮挡，第三信号线204在第二水平方向Y上的相对两边缘均可通过第三引[0083]继续参考图2所示，第二信号线205在第一水平方向X上的相对两边缘均可通过第在第一信号线203远离衬底10的一侧，第四信号线206可形成在第三信号线204远离衬底10[0089]在信号线中引出端部远离衬底10的方向为引出方向时，可将第一信号线203和第三信号线204设计为相比于第二信号线205和第四信号线206更靠近衬底10设置，并将第一晶体管201设计为相比于第二晶体管202靠近衬底10设置，以方便第一信号线203和第三信样使得功能层20中在竖直方向Z上相邻信号线的延伸方向互不相同，以减小相邻信号线之功能层20设置多层，并在竖直方向Z上依次层叠设置在衬底10上时，在相邻两层功能层20的延伸长度小于靠近衬底10的功能层20中第四信号线206的延伸长度，以方便整个半导体可位于栅极部G的相对两侧。第二晶体管202的沟道部SD的第一连接区形成在其栅极部G与U型，这样设计相对于平板型的垂直晶体管，可在水平面积不变的情况下提高第一晶体管和第二晶体管202的栅极部G在衬底10上的正投影可均位于导电接触垫207在衬底10上的正[0107]步骤S1，在衬底10上形成第一信号线203及覆盖第一信号线203的第一绝缘膜层204与第二信号线205通过第二绝缘膜层210相互绝缘，第二信号线205与第四信号线206通[0117]在步骤S1001中，在衬底10形成多条在第二水平方向Y上间隔设置的第一信号线成第一隔离图案层213，第一隔离图案层213远离衬底10的表面与第一信号线203远离衬底成第二隔离图案层214，第二隔离图案层214远离衬底10的表面与第三信号线204远离衬底区与第一信号线203的主体延伸部相接触，第一晶体管201的第二连接区与第三信号线204成第三隔离图案层215，第二隔离图案层215远离衬底10的表面与第二信号线205远离衬底与第四信号线206中主体延伸部的相交处内，以降低后续第二晶体管202与第二信号线205[0140]示例地，为了实现第二晶体管202的第一连接区与第一晶体[0146]在步骤S1072中，在第一牺牲材料薄膜311远离第一导电材料薄膜301的一侧形成第一光刻胶掩膜图案层321，第一光刻胶掩膜图案层321包括多个在第一水平方向X和第二水平方向Y阵列排布的第一光刻穿孔3210，第一光刻穿孔3210与第一晶体管201一一对应，[0147]在步骤S1073中，利用第一光刻胶掩膜图案层321对第一牺牲材料薄膜311进行图以形成第一中间掩膜图案层，第一中间掩膜图案层包括多个间隔设置的第一中间掩膜块第一牺牲材料薄膜311为依次层叠的SOC膜层和SiN膜层，第一中间掩膜材料薄膜的材料可除工艺可选用其他工艺方法例如刻蚀等，移除工艺的终点可以是第一牺牲材料薄膜311的[0152]在步骤S1077中，利用第一中间掩膜块331对第一导电材料薄膜301进行图案化处[0154]在第二绝缘膜层210远离衬底的一侧形成第四隔离材料薄膜216a，第四隔离材料[0155]去除第四隔离材料薄膜216a中高出导电接触垫207的部分，并形成第四隔离图案隔离图案层至少包括填充在相邻信号线之间[0166]在步骤11中，在第二牺牲材料薄膜411远离衬底10的一侧形成第二光刻胶掩膜图[0167]在步骤12中，利用第二光刻胶掩膜图案层对第二牺牲材料薄膜411进行图案化处[0172]在步骤15中，利用修剪掩膜层503去除中间掩膜材料薄膜502中未被修剪掩膜层[0176]在步骤S18中，去除中间掩膜条5021，并利用硬掩膜图案层对第二导电材料薄膜[0179]在形成第一信号线203的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X上的长度为第一长度，在形成第二信号线205的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X方向Y上的长度为第三长度，在形成第四信号线206的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第[0181]以第二表面为引出表面为例进行具体说明：在形成第一信号线203和第二信号线对应的修剪掩膜层503在Q方向的延伸长度，以可使得最终形成的第二信号线205的延伸长度小于第一信号线203的延伸长度。同理，在形成第三信号线204和第四信号线206的步骤第四信号线206对应的修剪掩膜层503在P方向的延伸长度小于第三信号线204对应的修剪掩膜层503在P方向的延伸长度，以可使得最终形成的第四信号线206的延伸长度小于第三[0182]举例而言，前述提到的导电材料薄膜、硬掩膜材料薄膜501和第二牺牲材料薄膜[0189]在步骤S22中，利用第三光刻胶掩膜图案层605对第三牺牲材料薄膜601进行图案材料薄膜606覆盖第三牺牲图案层6011远离衬底10的表面并填充在第三牺牲穿孔60111内，[0196]需要说明的是，本实施例中提到的层间绝缘膜层的材料可为SiO2(二氧化硅)、[0202]其中，在形成第一晶体管201的步骤中，堆叠结构包括依次层叠的第一绝缘膜层功能层的第一信号线203的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X上的长度小于在形成下层功能层的第二信号线205的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X上平方向Y上的长度小于在形成下层功能层的第四信号线206的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第二水平方向Y上的长度，以使上层功能层的第三信号线204的延伸长度小于下层功骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X上的长度大于在形成下层功能层的第二信号线205的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第一水平方向X上的长度，以使上层功能层的层的第三信号线204的步骤中所使用的修剪掩膜层503在第二水平方向Y上的