联讯仪器光通信测试仪器%26设备龙头拓展碳化硅功率器件%26半导体测试

国产通信设备龙头，功率&存储测试打开成长空间 6联讯仪器：国内领先的高端测试仪器供应商 6高速信号处理、微弱信号处理、超精密运动控制三大技术底座筑牢平台级核心技术体系 实际控制人持股超50%，公司股权结构稳定 8受益于下游高景气，公司收入利润均高速增长 10光通信设备受益于AI推动高速光模块扩产，公司龙头地位初显 17光模块为光通信系统中实现信号电-光-AI算力快速发展带来光模块需求增长 17光模块测试核心仪器为采样示波器，难点在于自研芯片 21联讯仪器具备芯片自研能力，高速率仪器仪表持续突破 30公司由光通信测试仪器延伸到上游光芯片的测试整机，包含CoC老化、KGD、硅光晶圆测试设备 公司募投项目向下一代采样示波器3.2T、宽带实时示波器、任意波形发生器拓展 40半导体资本开支加速上行&国产化率提升，公司积极布局测试设备 41存储&先进逻辑加速扩产，设备国产化率不断提升 41联讯仪器从精密源表延伸至半导体测试机、晶圆级可靠性测试系统等 44测试机：技术壁垒最高的半导体电性能测试环节，公司凭精密源表自研能力实现国产突破 晶圆级可靠性测试（LR：公司覆盖裂片前后全流程 50存储测试机：AI芯片发展出现“内存墙”，内存已成最大制约 51碳化硅功率器件产业化进程提速，功率半导体测试设备市场空间广阔 60功率器件设备：新能源汽车+光伏发电双轮驱动碳化硅产业放量 60公司围绕碳化硅器件特需检测环节，差异化布局老化测试、KGD 61晶圆级老化测试有助于提升器件良率，是功率器件检测必需环节 62KGD测试是保障第三代半导体材料芯片良率的核心环节，电车电源安全管理需求推动技术路径向高温+短路测试演进 投资建议&风险提示 68投资建议 68风险提示 70图1：联讯仪器“主要产品—产品线—测试场景—应用领域”关系图 6图2：联讯仪器公司核心技术体系与产品线的对应关系 7图3：公司由误码仪开始逐步拓展产品矩阵 7图4：公司主要产品分类及其功能、测试对象、下游应用领域情况 8图5：公司核心科技人员、测试机龙头华峰测控持股（截至2026年4月20日） 9图6：公司核心成员情况 10图7：2025年公司实现营收约12亿元，2022-2025CAGR达77% 图8：公司2024年实现扭亏为盈，后续业绩持续放量 图9：2025年Q1-Q3公司分产品营收占比中测量仪表类为主，其中采样示波器占比最大 12图10：2025年Q1-Q3公司核心产品为通信测试仪器和硅光芯片测试设备 13图毛利率保持高位，成本控制能力不断提升 13图12：公司控费能力跟随营收规模提升持续优化 13图13：研发投入逐年增长，同比增速维持高位 14图14：公司人员规模持续扩张，研发人员占比居高 14图15：检测仪表整体毛利率水平居前，时钟恢复单元和采样示波器突出 15图16：公司电子测量仪器业务毛利率显著高于行业均值 16图17：公司半导体测试设备业务毛利率落后行业均值 16图18：公司存货保持稳定增长 16图19：公司合同负债保持稳定增长 16图20：公司历年前五大客户包含如中际旭创、Lumentum，博通、新易盛等光通信龙头企业（万元） 17图21：光模块主要由光发射器件（、光接收器件（RA、电芯片、PCB、结构等组成 图22：光模块主要用于数据中心Scale-out部分 18图23：NVLink服务器内铜线 19图24：当XPU数量超过百个，Scaleup架构将转向光互联 19图25：光模块按传输速率进行分类及其具体应用场景 19图26：光模块演进带来的功耗和成本变化 20图27：各大厂商加速落地产能，并配合海外客户建设海外产能 21图28：模块通信测试仪器分类（按Tx/Rx划分，核心设备为示波器与误码仪） 22图29：光模块测试与其他类比测试仪器比较，具有高度专用性、验证导入难度大等特点 23图30：公司采样示波器产品 23图31：信号经采样示波器均衡前后的眼图对比 23图32：采样示波器与实时示波器在采样方式、适用信号类型、硬件难度和应用领域方面均有差异 图33：国内厂商均积极布局采样示波器，已有部分厂商实现65GHz技术突破 25图34：公司时钟恢复单元设备及眼图对比 25图35：公司误码分析仪设备及实时监控示意图 26图36：28Gbaud及以下速率（对应4*25G光模块）的行业常用测试仪器配置无需CDR 27图37：53Gbaud及以上信号速率（对应单通道100G及以上光模块）的测试仪器配置必需CDR 27图38：在是德科技推荐的光交换机示例中，CDR、采样示波器、光交换机1:1:1搭配 27图39：我们预计到2027年全球采样示波器市场规模约353亿元 28图40：测试仪器芯片中，通用芯片普遍外购，专用芯片则高度依赖自研或定制化采购 29图41：不同总速率光模块的采样示波器带宽需求 30图42：联讯仪器在400G/800G光模块测试仪器领域布局全面 31图43：2024年光通信测试仪器海外设备市占率超80% 31图44：公司已掌握3项集成电路布图设计，具备65GHz采样保持芯片自主知识产权 32图45：思诺威和博芯电子模拟/数字芯片设计&流片服务 32图46：思诺威和博芯电子基本情况 33图47：公司电子测量仪器主要产品的核心指标与行业最高水平对比，其时钟恢复单元性能已达国际先进水平 图48：公司产品快速迭代，已有加速追赶趋势 34图49：公司光电子器件测试设备覆盖情况 35图50：光电子器件测试环节及公司覆盖领域一览 35图51：同行业竞争对手均未在全产业链布局 36图52：公司CoC光片老化测试设备及其性能指标 37图53：公司CoC光片测试系统和上下料系统设备 37图54：公司光芯片KGD分选测试系统及其性能指标 38图55：硅光晶圆测试相比传统晶圆测试还需要具备光学耦合、高精度运动控制等底层能力 39图56：光栅耦合示意图，光栅耦合器构实物，端面耦合示意图，光栅/端面耦合混合方案 39图57：公司硅光晶圆测试系统设备 40图58：公司硅光晶圆测试系统设备发展历程 40图59：公司募投项目及对应投资金额 41图60：SEMI预测2026-2029全球12寸晶圆厂半导体设备市场分别达1330/1510/1550/1720亿美元 图61：2027-2029年LOGIC&MICRO、DRAM、3DNAND的设备预期投资额占比分别为57%/28%/15% 42图62：2023年Q3以来中国大陆占全球半导体设备市场30%以上，2025年占比为37% 43图63：国内头部逻辑厂商12英寸晶圆产能与国际龙头差距依然显著，扩产空间大 43图64：24Q2-25Q3中芯国际在全球纯晶圆代工市场中份额在5%-6% 44图65：中国头部存储厂商与国际头部仍有较大产能差距 44图66：公司属国内精密仪表国产化龙头，但国际市占率仍低，发展空间广阔（截至2024年底） 图67：精密源表海外&国内市场规模预期将持续增长 45图68：公司精密源表性能指标已接近国际领先水平 46图69：公司台式精密源表（左）和PXIe插卡式精密源表（右）示意图 46图70：公司产品布局覆盖晶圆允收测试和可靠性测试 47图71：测试精度要求远高于CP与FT，是半导体电性能测试中技术壁垒最高的环节 48图72：2024年中国市场基本由Keysight垄断 49图73：2024年全球市场90%以上被海外厂商垄断 49图74：全球测试设备市场规模及预测（亿美元） 49图75：中国测试设备市场规模及预测（亿元） 49图76：公司测试机产品实物图 50图77：公司测试机主要性能指标及发展历程 50图78：全球WLR测试设备市场规模及预测（亿美元） 51图79：中国WLR测试设备市场规模及预测（亿元） 51图80：公司WLR系列测试设备（左）和PLR系列测试设备（右）实物图 51图81：公司晶圆可靠性测试设备性能指标和发展历程 51图82：DRAM与互联带宽增速远低于服务器硬件算力增速 52图83：HBM通过提升I/O引脚数量实现高带宽 53图84：HBM以低单引脚I/O速度实现低功耗 53图85：HBM市场有望以远超DRAM市场的速度扩张（单位：亿美元） 53图86：HBM预计将在存储芯片复苏进程中不断提升占有率 53图87：全球SoC测机和存储测试机市场规模自2023年后回暖，总市场规模2023-2026E年均复合增速高达38% 图88：2025年全球市场结构中，SoC测试机和存储测试机占据超80%市场（按出货量计算） 图89：爱德万与泰瑞达在存储测试机市场占据大部分份额 55图90：2027年国产内存存储测试机市场空间有望达到67亿元 55图91：DRAM的测试难度大于NAND 56图92：DRAM/NAND单万片测试机价值量分别为3.0/0.6亿元 57图93：HBM内部堆叠及封装结构 58图94：HBM与传统DRAM测试流程区别 58图95：HBM堆叠技术大幅提升测试工艺需求 58图96：公司存储测试机项目实施进度安排 60图97：SiC的主要件和广泛应用场景 61图98：2022年导电型SiC器件市场规模 61图99：2028年导电型SiC器件市场规模 61图100：功率器件测试环节中，公司布局允收测试、老化测试、裸Die测试三个主要环节 62图101：老化测试后晶圆提前进入偶然失效期，延长稳定使用寿命 62图102：晶圆级测试的“预防成本”远低于封装后测试的“补救成本” 63图103：公司晶圆级老化测试设备示意图 63图104：公司晶圆级老化测试设备性能不断迭代 64图105：WLBI全球市场规模（亿元） 64图106：WLBI国内市场规模（亿元） 64图107：2024年WLBI设备国内市占率情况 65图108：汽车主逆变器由数十颗SiC器件成，KGD测试能够避免单颗芯片失效导致整个模块报废 图109：公司KGD分选测试设备 66图公司KGD分选测试设备性能不断迭代 67图KGD全球市场规模（亿元） 67图KGD国内市场规模（亿元） 67图2023-2024年KGD设备国内市占率情况 68图公司分业务收入预测（百万元） 69图可比公司估值（截至2026年8月25日收盘价） 70国产通信设备龙头，功率&存储测试打开成长空间联讯仪器：国内领先的高端测试仪器供应商联讯仪器凭借在光公司成立于2017800G1.6T1.6T图1：联讯仪器“主要产品—产品线—测试场景—应用领域”关系图联讯仪器招股说明书级核心技术体系（2）微弱信号处理CoCDieKGDKGD图2：联讯仪器公司核心技术体系与产品线的对应关系联讯仪器招股说明书公司以误码分析仪起家，沿光模块测试仪表向上游光芯片/晶圆测试延伸，已拓展至碳化硅功率器件测试和半导体集成电路与存储测试领域。公司2017年从事误码分析KGD图3：公司由误码仪开始逐步拓展产品矩阵联讯仪器招股说明书公司主要产品按品类可分为电子测量仪器、半导体测试设备及配套测试部件与服务，（CCKGD（2）面向功KGD图4：公司主要产品分类及其功能、测试对象、下游应用领域情况产品形态分类产品线产品名称产品功能主要测试对象下游典型应用领域电子测量仪器（20251-943.06%，76.4%）通信测试仪器采样示波器眼图测试100G/400G/800G/1.6T光模块、光收发器件数据中心、电信网络时钟恢复单元时钟信号提取误码分析仪误码率测试突发误码分析仪突发数据误码测试10G-50GPON光模块快速波长计波长测量可调激光器、光模块电性能测试仪精密源表电学参数测试半导体、通信器件通信、计算机、汽车、电子、工业低漏电开关矩阵电学参数测试半导体半导体测试设备（20251-950.02%，45.9%）光电子器件测试设备CoC光芯片老化测试系统老化测试CoC光芯片数据中心、电信网络光芯片KGD分选测试系统分选测试光芯片裸Die硅光晶圆测试系统功能测试硅光晶圆功率器件测试设备晶圆级老化系统老化测试碳化硅晶圆新能源汽车等电力电子领域功率芯片KGD分选测试系统分选测试碳化硅功率芯片裸Die电性能测试设备WAT测试机电性参数测试晶圆通信、计算机、汽车晶圆级可靠性测试系统可靠性抽样测试晶圆电子、工业测试部件（2025年1-9月收6.25%49.8%）配套电子测量仪器和半导体测试设备使用，公司向用户提供自主研发设计的夹具、探针卡、夹具板等测试部件。联讯仪器招股说明书实际控制人持股超50%，公司股权结构稳定54.79%股权，为公司实际控制人。201925202642054.79%202642056.495.594.310912.46%。图5：公司核心科技人员、测试机龙头华峰测控持股（截至2026年4月20日）联讯仪器招股说明书公司KeysightFinisar高端测试仪器领域快速追赶国际龙头的技术基底。图6：公司核心成员情况姓名当前职务学历/专业关键产业背景胡海洋董事长博士；中科院上海精密光学机械研究所光学工程Keysight16年：2001.07-2016.08任安捷伦科技软件有限公司（期间更名为是德科技（中国）有限公司）应用工程师、实验室主任、资深技术顾问黄建军董事、总经理学工程Finisar 10年：2008.10-2017.12（杨建董事、副总经理信工程Keysight6年：2011.01-2017.02任安捷伦/是德科技（中国）有限公司销售经理廉哲董事、副总经理硕士；哈尔滨工业大学控制科学与工程Finisar7年：2010.08-2017.03任菲尼萨光电通讯（上海）有限公司高级硬件工程师；此前中兴通讯硬件工程师陈晓东董事、研发总监系统Finisar4年：2014.08-2017.12任菲尼萨光电通讯科技（无锡）有限公司高级硬件测试工程师；此前上海炬力集成电路、雷华电子研究所硬件工程师联讯仪器招股说明书受益于下游高景气，公司收入利润均高速增长20252026Q14.88亿元，2022-2025CAGR77%；20241.417420611.9202H15.1-5.8801.96%5.0-5.7829.77%959.94%图7：2025年公司实现营收约12亿元，2022-2025CAGR达77%营业总入（元） yoy%

图8：公司2024年实现扭亏为盈，后续业绩持续放量归母净润（元） yoy%11.94CAGR77%11.94CAGR77%7.894.882.142.761210864202022 2023 2024 2025

200.0% 6150.0% 5100.0% 4350.0%20.0% 1-50.0% 0-100.0% -1

100%5.451.405.451.401.741.192022-0.382024 2025 2026Q12026H1E-0.552023-100%-200%-300%-400%，联讯仪器招股说明书 ，联讯仪器招股说明书最初聚焦光芯片老化和KGD分选设备，仪器仪表已陆续放量。2022年公司CoC光芯片老化系统和光芯片GD40023年，KGD2024采样示波器贡献超25%2025Q1-Q3分产（2.06亿元CoC（0.94亿元、（0.85KGD（0.70亿元（0.6620242025年提升至25.97%，66.15%。图9：2025年Q1-Q3公司分产品营收占比中测量仪表类为主，其中采样示波器占比最大测试机 功率芯片分选测试系统 晶圆级化系统 硅光晶测试光芯片分选测系统 CoC光芯片老系统 精密源表 误码分仪时钟恢单元 采样示器19.30%0.30%19.30%0.30%6.66%12.30%4.69%18.65%1.11%5.26%10.72%0.51%0.64%8.59%21.50%5.77%8.85%3.09%9.36%27.12%5.79%7.13%1.46%7.47%13.48%11.81%1.53%3.85%8.37%2.08%6.40%25.97%4.55%11.66%22.42%8.37%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2022

2023

2024

2025Q1-Q3联讯仪器第二轮审核问询函回复从应用领域看，公司核心产品为通信测试仪器和硅光芯片测试设备。2025Q1-Q3，（30238（（含CoCKGD2.1126.4%（&0.2153（）功率器件测试（KGD1.2715.98%、（）半导体测试含T0091.1。图10：2025年Q1-Q3公司核心产品为通信测试仪器和硅光芯片测试设备通信测试仪器2.08%40.80%2.08%40.80%0.30%18.96%23.34%3.09%9.10%44.85%1.46%13.56%1.11%15.98%1.53%26.43%43.37%38.19%22.61%75%

硅光芯片测试设备 电性能测试仪

功率器件测试 半导体测试50%25%0%2022

2023

2024

2025Q1-Q3联讯仪器第二轮审核问询函回复202243.61%跃升至202360.5%（66-76%）年/2026Q158.8/66.8%。202514.6%，2026Q1实24.3%公司控费能力持续优化，维持高研发投入。公司2023年期间费用率处于历年高位44.1%20256.1%12.3%4.6%1.8%2.824.3%1.19亿元。图11：毛利率保持高位，成本控制能力不断提升 图12：公司控费能力跟随营收规模提升持续优化

毛利率(%)毛利率(%)净利率(%)60.5%63.6%66.8%58.8%43.6%24.3%17.9%14.6%202420252026Q1

期间费率 销售费率 管理费财务费率 研发费率78.7%78.7%58.9%44.1%41.7%39.1%20222023202420252026Q1，联讯仪器招股说明书 ，联讯仪器招股说明书2022-20240.541.9190%，20252.8亿46%，2026Q11.19研发人员占比超40%2531095440人，2023图13：研发投入逐年增长，同比增速维持高位 图14：公司人员规模持续扩张，研发人员占比居高2.5

研发投（亿）

120%

1200

员工数（人） 研发人员比

109548%109548%86343%48540%25340%21.51

95%1.047238%25%

1.9143 83%

109%100%80%1.186160%

48%46%44%42%0.50

0.5357

24%

25%5%

24%

40%20%0%

0

40%38%36%2022 2023 2024 2025Q3 2026Q1 2022 2023 2024 2025Q3，联讯仪器招股说明书 ，联讯仪器招股说明书2025Q1-Q3（复单元2025Q1-Q350%图15：检测仪表整体毛利率水平居前，时钟恢复单元和采样示波器突出2022 2023 2024 2025Q1-Q385.48%78.68%85.48%78.68%80%70%60%50%40%30%20%10%0%联讯仪器招股说明书公司在电子测量仪器领域内毛利率自2022备毛利因产品结构变动自2022年Q1-Q32025Q1-Q376.37%Q1-Q32025Q1-Q3毛利202410pct45.89%图16：公司电子测量仪器业务毛利率显著高于行业均值 图17：公司半导体测试设备业务毛利率落后行业均值100%80%60%

普源精电 鼎阳科技 行业均值 联讯仪器

73.89%76.37%63.41%67.03%100%73.89%76.37%63.41%67.03%

华峰测控长川科技联动科广立微 行业均值联讯仪0%

2022

2023

2024

2025Q1-Q3

60%40%31.27%20%0%2022

54.73%2023

55.83%2024

45.89%2025Q1-Q3联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书2022-20252026Q17.52.12025年Q42026截至20256.432024年末增长2025年Q4确收24.912024年Q42025图18：公司存货保持稳定增长 图19：公司合同负债保持稳定增长5.03.341.710.715.03.341.710.71存货（亿元）yoy%765432102022 2023 2024 2025

80%60%40%20%0%

210

合同负（亿） yoy%2.11.61.210.940.272.11.61.210.940.27

300%250%200%150%100%50%0%，联讯仪器招股说明书 ，联讯仪器招股说明书在光通信领域，1.6TBroadcom功率器件领域，公司面向车规级应用场景拓展功率器件测试设备产品线，覆盖比亚迪半导体、芯联集成、士兰微等；半导体集成电路领域，公司提供高精度电性能测试仪器及设备，覆盖比亚迪半导体、燕东微、士兰微、X-FAB等。图20：公司历年前五大客户包含如中际旭创、Lumentum，博通、新易盛等光通信龙头企业（万元）联讯仪器招股说明书光通信设备受益于AI显光模块为光通信系统中实现信号电-光电转换的核心器件，AI速发展带来光模块需求增长光通信是以激光作为信息载体，以光纤作为传输媒介的通信方式，实现信号电光/光电转换，将数字信号转化为光通过光纤传输。（OAOAC图21：光模块主要由光发射器件（O、光接收器件（A、电芯片、P、结构件等组成华经产业研究院（Scale-Up）主要采用PCB和铜连接来实现互联。10C100（R型号500（型号kFR0kRC）80km的ZR图22：光模块主要用于数据中心Scale-out部分华经产业研究院未来Scale-upScale-up主要采用PCBGPUCPUPCIeNVLinkUALink、CXLPCBPCBScale-up光互联。在数十颗GPUScale-upPCBDACXPU112G/lane2NVLink等协议达到SerDes图23：NVLink服务器内铜线 图24：当XPU数量超过百个，Scaleup架构将转向光互联华经产业研究院 华经产业研究院传输速率传5G400G/800G/1.6TAI图25：光模块按传输速率进行分类及其具体应用场景类别典型传输速率应用场景低速模块1G/2.5G/10G传统以太网、接入网中高速模块25G/40G/100G5G前传、数据中心内部互联超高速模块400G/800G/1.6TAI算力中心、骨干网扩容华经产业研究院I/O带宽每3-4bit成本bit图26：光模块演进带来的功耗和成本变化华经产业研究院模块速率以400G/800G为主，并向1.6T演进，并且受到AI算力与云计算的需求驱Meta头部厂商光模块出货迎来快速增长，产能加速落地。随着需求快速增长，各大厂商图27：各大厂商加速落地产能，并配合海外客户建设海外产能公司基地总产能规划扩产进度中际旭创苏州总部月产能200万只已建成泰国工厂月产能50万只已建成新易盛成都总部-已建成泰国工厂一期-已建成泰国工厂二期-在建光迅科技武汉总部-已建成武汉东湖基地年产499.2万只光模块在建汇绿生态（武汉钧恒）武汉总部-已建成鄂州基地-已建成鄂州二期-在建合肥基地-规划中马来西亚基地-规划中Coherent（高意）美国谢尔曼、瑞典亚尔法拉2026年底磷化铟产能翻番产线升级进行中，全球独家6英寸磷化铟生产线马来西亚、越南-模块组装产能同步扩张，订单已排满2026全年Lumentum全球多基地-已建成各公司公告光模块测试核心仪器为采样示波器，难点在于自研芯片光图28：模块通信测试仪器分类（按Tx/Rx划分，核心设备为示波器与误码仪）测试对象测试内容主要测试仪器覆盖核心指标/典型用途光模块发射端/光发射器件（TOSA）光信号质量与调制性能测试采样示波器、时钟恢复单元（CRU/CDR）、波长计眼图、抖动、TDECQ、消光比（ER）、光信号波长与功率光谱与功率特性测试光功率计、光谱分析仪（OSA）输出光功率（AOP/OMA）、中心波长、光谱宽度光模块接收端/光接收器件（ROSA）接收灵敏度与误码性能测试误码分析仪（BERT）、突发误码分析仪误码率（BER）、接收灵敏度、抖动容限系统级通信与协议验证网络测试仪联讯仪器招股说明书 整理光通信测试产品迭代周期短、产品验证周期长、客户粘性强，具备显著行业壁垒。AI图29：光模块测试与其他类比测试仪器比较，具有高度专用性、验证导入难度大等特点对比维度光通信测试半导体测试消费电子/无线通信等代表仪器采样示波器、误码分析仪、时钟恢复单元精密源表、阻抗测试仪器频谱分析仪、信号源、矢量网络分析仪技术内核高速数字信号的产生、采集与分析直流和低频领域的精密电参量控制与测量高频载波窄带调制信号的生成、调控与分析客户核心需求根植于制造环节，保障工艺良率与量产效率，要求高度专用性与集成度根植于制造环节，精确测量晶圆级关键工艺参数低成本技术迭代节奏技术迭代节奏较快，周期短技术迭代节奏较快，周期短相对平缓，测试升级需求较为温和产品属性专用量产设备，一经导入不轻易更换，验证导入难度大专用量产设备，一经导入不轻易更换，验证导入难度大通用性强，覆盖多行业多场景，追求功能广度与灵活性联讯仪器第一次审核问询函回复 整理采样示波器是光模块测试仪器的核心，主要功能在于周期信号转化为可视的眼图。示波器的功能是将抽象信号变化转化为可视的波形，以便于信息的观测、分析和存储，单通道速率是采样示波器最核心的性能指标，其技术难点主要在于高速ADC和前端ASIC等芯片对测试结果一致性和稳定性的保障。作为光通信检测产线上价值量最高的设备，400G–800G光模块要求示波器单波速率达到100G以上，1.6T光模块则要求达到200G以上。采样示波器的单通道速率主要受高速ADC决定，而为了在百GHzADC图30：公司采样示波器产品 图31：PAM4信号经采样示波器均衡前后的眼图对比联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书（D会将典型的垂直分辨率限制在8位或12可以使用采样率较低的ADC，垂直分辨率最高可达16图32：采样示波器与实时示波器在采样方式、适用信号类型、硬件难度和应用领域方面均有差异对比项实时示波器采样示波器采样方式单次触发捕获完整波形多次触发累积重建波形信号类型非重复/单次/偶发信号重复性周期信号采样带宽相对较低相对较高采样噪声相对较高相对较低硬件技术难度更高更低应用领域研发阶段生产检测阶段联讯仪器招股说明书当前国内厂商均积极布局采样示波器。随着光通信产业检测需求井喷，产业链上如采样示波器等核心检测仪器的需求也被拉动，国内厂商纷纷通过技术自研、并购方式切2026565GHz图33：国内厂商均积极布局采样示波器，已有部分厂商实现65GHz技术突破公司简称采样示波器备注联讯仪器√65GHz已实现收入万里眼√65GHz正式发布普源精电尚未产品化曾参与起草采样示波器国家标准制定，有潜在布局能力鼎阳科技尚未产品化有技术基础，有研发意图优利德尚未产品化正在重点布局华兴源创√50GHz（通过收购普赛斯）联讯仪器招股说明书，各公司公告图34：公司时钟恢复单元设备及眼图对比联讯仪器招股说明书FEC图35：公司误码分析仪设备及实时监控示意图联讯仪器招股说明书28GbaudD（23d及以上，DSP技术的数字CDR对信DSPCDR的时延相对于模拟CDR53GbaudCDR（20265月Keysight100G30-90200G120-360万元/10图36：28Gbaud（对应4*25G光模块的行业常用测试仪器配置无需CDR

图37：53Gbaud及以上信号速率（对应单通道100G及以上光模块）的测试仪器配置必需CDR联讯仪器官网 联讯仪器官网时钟恢复单元和采样示波器的比例通常1:1，而误码仪数量比例不固定。以下图所Keysight1:1（CDRCDRTxRx接收端测试独立于Tx图38：在是德科技推荐的光交换机示例中，CDR、采样示波器、光交换机1:1:1搭配是德科技官网BERN采样示波器通道数/BER通道数测试时间通道数比。48BER8BER530若要让采样示波器无空闲时间的理论数量搭配为（8）*（30030）*（88：1=5：1。800G/1.61/3.21时代随带宽、精度需求提升，测试效率下降，测试时间拉长，测试仪器价值量和需求量翻倍，为光模块量产中通胀环节。仅核心设备采样示波器，2025-2027年市场规模将从35亿元增长至353亿元。图39：我们预计到2027年全球采样示波器市场规模约353亿元是德科技 测算电子测量仪器和半导体测试设备所使用的通用芯片包括数模/FPGA（专用芯片片研发图40：测试仪器芯片中，通用芯片普遍外购，专用芯片则高度依赖自研或定制化采购零部件类型普源精电鼎阳科技华峰测控联动科技长川科技联讯仪器专用芯片高性能数字示波器均使用专用芯片设计，其自研芯片的生产制造通过外协加工的方式采购数字示波器前端放大器专用芯片（外购）ASIC芯片集成了外部采购的现有成IP以及通过外部设计服务公司初步交付、并经公司深度优化与加未披露未披露自主知识产权芯片等，定制化采购工后形成的定制IP器件放大器芯片、ADC、、FPGA、DSP、MCUIC器ADC、DAC及FPGA等IC元器件集成电路芯片等电子元器件集成电路FPGA、数模/模数转换芯片、放大器芯片、电源管理芯片、MCUIC器联讯仪器第二次审核问询函回复 测算1.6T的光模块检测对测试设备芯片的性能要求已经超过了当前市面上商用芯片的30GHz+50GHz50GHz1.6T56Ghz65GHz图41：不同总速率光模块的采样示波器带宽需求光模块总速率主流通道架构单通道有效速率基频采样示波器带宽需求200G4×50G50Gbps13.3GHz>13.3GHz400G4×100G100Gbps26.6GHz50GHz800G8×100G100Gbps26.6Ghz50GHz1.6T8×200G200Gbps56GHz≥65GHz3.2T8×400G400Gbps112GHz≥130GHz联讯仪器招股说明书 测算联讯仪器具备芯片自研能力，高速率仪器仪表持续突破公司。20249.9%的（20265400G800G1.6T公司是继Keysight1.6T1.6T图42：联讯仪器在400G/800G光模块测试仪器领域布局全面测试需求测试仪表Keysight（美国）Anritsu（日本）Tektronix（美国）EXFO（加拿大）联讯仪器400G光模块（8×50Gbps）采样示波器N1092DMP2110ATSO820/DCA6201-B30400G光模块（8×50Gbps）时钟恢复单元N1076/8AMP2110A（054）/ CD-4000CR6201400G光模块（8×50Gbps）误码分析仪M8040AMP1900A/ BA-4000PBT8856400G光模块（4×100Gbps）采样示波器N1092DMP2110A/ /DCA6201-B50400G光模块（4×100Gbps）时钟恢复单元N1076/8AMP2110A（055）/ /CR6256400G光模块（4×100Gbps）误码分析仪M8040AMP1900A/ BA-4000PBT8812800G光模块（8×100Gbps）采样示波器N1092DMP2110A/ /DCA6201-B50800G光模块（8×100Gbps）时钟恢复单元N1076/8AMP2110A（055）/ /CR6256800G光模块（8×100Gbps）误码分析仪M8040AMP1900A/ BA-4000PBT8812联讯仪器第一次审核问询函回复 整理图43：2024年光通信测试仪器海外设备市占率超80%联讯仪器第一次审核问询函回复 整理20212023202565GHz1.6T202653100GHz采样保持放大器芯片、ADC前端采样驱动芯片、TIS前端采样放大芯片等专用芯片正在图44：公司已掌握3项集成电路布图设计，具备65GHz采样保持芯片自主知识产权布图设计登记号布图设计名称芯片类型带宽等级对应采样示波器型号应用场景BS.225011948一种采样保持芯片50GHz采样保持芯片50GHzDCA6201-B50400G/800G测试BS.245012362THA65_V165GHz采样保持芯片65GHzDCA1065800G/1.6T光模块眼图测试BS.245012370THA65_V265GHz采样保持芯片（迭代版）65GHzDCA1065800G/1.6T光模块眼图测试联讯仪器第一次审核问询函回复2026年4206.67%）图45：思诺威和博芯电子模拟/数字芯片设计&流片服务供应商承接芯片应用产品思诺威50GHz采样保持放大器芯片（已完成）50GHz65GHz采样保持放大器芯片（已完成）65GHzTIS前端采样放大芯片采样示波器高速鉴相器芯片时钟恢复单元ADC前端采样驱动芯片采样示波器高速PE（PinElectronics）模拟前端芯片半导体测试设备博芯电子ALPGASIC高速存储芯片测试系统联讯仪器招股说明书及问询回复思诺威与博芯电子二者分别覆盖模拟芯片与数字芯片领域。思诺威（无锡）成立于20197（026年4月20日，2023105,500）ALPGASIC1,600（20247。图46：思诺威和博芯电子基本情况思诺威科技（无锡）南京博芯电子成立时间2019年9月2005年1月技术方向高性能工业级模拟芯片数字芯片设计服务核心积累37项专利；超宽带模拟/射频芯片高速ALPGASIC芯片为联讯开发采样保持芯片、鉴相器芯片高速ALPGASIC等数字芯片资本关联2023102,000股持有6.67%股权董事—交易规模累计交易超5,500万元重大合同1,600万元联讯仪器招股说明书及问询回复，公司是目前国内极少数拥有1.6T光模块全系列测试仪器制造能力的公司，在多项产品性能上已接近国际先进水平。公司光模块测试仪器产品与Keysight、Anritsu、HighFinesse5月图47：公司电子测量仪器主要产品的核心指标与行业最高水平对比，其时钟恢复单元性能已达国际先进水平产品核心指标指标含义公司型号公司指标行业型号采样示波器通道带宽测试的光信号频率范围，数值越高，性能越高DCA106565GHzKeysight,N1032时钟恢复单元最高恢复速率可恢复的输入信号最高波特率，数值越高，性能越高CR3302120GBaudKeysight,N1093B误码分析仪单通道最高传输速率单通道能够支持的最高波特率，数值越高，性能越高PBT3058Keysight,M8050A联讯仪器招股说明书KeysightKeysight之间2019-20256120GBaud产品上实现与Keysight仅用2022-2024两年实现从50GHz到64GHz的跨越；误码分析仪最新一代产品与keysight图48：公司产品快速迭代，已有加速追赶趋势产品线联讯仪器推出时间联讯仪器型号联讯仪器核心指标Keysight推出时间Keysight型号Keysight核心指标采样示波器2018年DCA420110GHz2015年N1090A10GHz2020年DCA6201-B3030GHz2016年N1092A/B/D30GHz2022年DCA6201-B5050GHz2016年N1092A/B/D45GHz2024年DCA106565GHz2020年N1030A65GHz时钟恢复单元2019年CR420110GBaud2006年83492A10GBaud2019年CR620128GBaud2012年N4877A32GBaud2022年CR625656GBaud2016年N1078A64GBaud2025年CR3302120GBaud2025年N1093A/B120GBaud误码分析仪2017年PBT8425/PBT882525GBaud2010年N4903A/B13.5GBaud2018年PBT885630GBaud2015年M8020A32.4GBaud2020年PBT881259.37GBaud2016年M8040A64.8GBaud2025年PBT3058113.44GBaud2022年M8050A120GBaud联讯仪器第一次审核问询回复意见公司由光通信测试仪器延伸到上游光芯片的测试整机，包含CoC化、KGD、硅光晶圆测试设备、硅光晶圆检测设备。公司面向光通信领域的光电子器件测试需求，自主研发包括CoCKGDCoCDie图49：公司光电子器件测试设备覆盖情况公司主要产品 测试领域 测试类别 测试环节公司主要产品 测试领域 测试类别 测试环节CoC光芯片老化测试系统光电子器件可靠性（老化）测试、功能测试封装级芯片光芯片KGD分选测试系统

光电器件 功能试 裸芯片硅光圆试统 光电器件 功能试 晶圆联讯仪器招股说明书 整理图50：光电子器件测试环节及公司覆盖领域一览联讯仪器招股说明书 整理在CoC（在光芯片D分选测试系统方面Aphax和圣（）oor技。致茂电子、镭神技术、圣昊光电、Alphax、FormFactor、旺矽科技等国内外主要竞争对手均未面向光通信领域的封装级光芯片、裸Die级光芯片、晶圆级光芯片同时推出相关测试设备，完备的产品链条是公司的竞争优势之一。图51：同行业竞争对手均未在全产业链布局公司简称（地区）封装级光芯片老化测试裸Die级光芯片分选测试晶圆级光芯片功能测试致茂电子（中国台湾）高通道密度雷射二极管烧机及可靠度测试系统（58604-HD）//镭神技术（中国）EML/DMLCoC//圣昊光电（中国）/EML芯片系列测试机（SY-8100D）/Alphax（日本）/LD芯片测试机（LD9200）/FormFactor（美国）//硅光子探针台（CM300xi-SiPh）旺矽科技（中国台湾）//全自动探针系统（TS3000）联讯仪器CoC光芯片老化测试系统（BI620X、CT620X）光芯片KGD分选测试系统（CT820X/CT830X）硅光晶圆测试系统（sCT9001/sCT9002）联讯仪器第一次审核问询函回复 整理CoC是一种常见封装光模块封装方式，通信领域光芯片对器件可靠性的高要求带CB（ChpnoaOanorOun公司CoC公司CoC优良的兼容性，最高支持4,224路并行测试，温度一致性达±2℃，兼顾测试的高精度与高效率。图52：公司CoC光芯片老化测试设备及其性能指标性能指标指标参数单层老化抽屉数量性能指标指标参数单层老化抽屉数量4组并行测试数量上限4224路温度一致性±2℃联讯仪器招股说明书 整理公司CoCCoC光芯片测试系统CT620X：CoCCoCBI620X（2）CoC光芯片上下料系统AL620X该系CoC光芯片老化系统与CoCCoCCoC图53：公司CoC光芯片测试系统和上下料系统设备联讯仪器招股说明书 整理KGD分选测试是光芯片出厂前的必需流程。光芯片在出厂前必须对各项参数进行测试，以确保产品的可靠性及使用寿命，考虑到在晶圆层面测试的难度，业界普遍在晶圆裂片后对未封装的裸Die进行KGD分选测试。公司两款KGD测试仪器在测试效率、测试能力、可靠性、可拓展性方面均表现优异。KGDCT820XCT830X设备可在6实现1μs可靠性范围覆盖低温、常温与高温测试环境，温度稳定性控制在0.2℃以内；CT830X系列还集成了芯片外观AOI检测功能，在芯片完成光电测试流程后对芯片的外观进行自动检测并筛选，实现了对芯片光电性能与外观瑕疵的全功能检测。图54：公司光芯片KGD分选测试系统及其性能指标性能指标具体参数单颗裸芯片全流程测试时间性能指标具体参数单颗裸芯片全流程测试时间6秒内完成上下料+双温区全流程测试测试脉宽1μs窄脉冲快速测试控温能力多测试工位独立控温，温度控制精度≤0.2℃联讯仪器招股说明书 整理由接收，技术壁垒极高。图55：硅光晶圆测试相比传统晶圆测试还需要具备光学耦合、高精度运动控制等底层能力对比维度传统晶圆测试硅光晶圆测试信号类型仅电信号光信号与电信号并行处理测试内容电性能测试电性能测试+光电测试信号输入方式电探针直接接触需与待测器件实现复杂的光学耦合技术壁垒相对成熟极高，需确保光信号高效注入和接收联讯仪器招股说明书 整理联讯仪器sCT900X1NotchUp/Down3图56：光栅耦合示意图，光栅耦合器构实物，端面耦合示意图，光栅/端面耦合混合方案联讯仪器公众号 整理联讯仪器硅光晶圆测试设备在模块化架构基础上，实现了晶圆规格全覆盖与测试流8~12200μm~2000μm（aerLadn（Optical（Opca、直流电学（C）以及高频射频（F）（（eeaueconoedhuck，支持在25°C至150°C的严苛温度环境下进行测图57：公司硅光晶圆测试系统设备 图58：公司硅光晶圆测试系统设备发展历程 推出时间产品型号推出时间产品型号光耦合重复性光耦合速度支持晶圆尺寸2024年sCT9001<0.2dB<2s6/8寸2024年sCT9002<0.2dB<1.5s8/12寸联讯仪器招股说明书整理

联讯仪器招股说明书 整理公司募投项目向下一代采样示波器3.2T发生器拓展3.2T速器件测试的宽带实时示波器、任意波形发生器。图59：公司募投项目及对应投资金额募投项目募投项目产品主要应用领域投资总额（全部来自募集资金）（万元）下一代光通信测试设备研发及产业化建设项目新一代误码分析仪、新一代网络测试仪、新一代时钟恢复单元、新一代采样示波器、新一代高速光模块测试机、硅光晶圆并行测试机3.2T试51279.22车规芯片测试设备研发及产业化建设项目新一代KGD分选测试系统、新一代晶圆老化设备、大脉冲源表、新一代半导体参数测试仪、新一代高WATDie19885.27存储测试设备研发及产业化建设项目HBM芯KGDDRAM片老化系统Die38547.37数字测试仪研发及产业化建设项目宽带实时示波器、任意波形发生器高速芯片和高速器件测试30400.53下一代测试仪表设备研发中心建设项目非产业化项目，旨在提高整体研发能力针对公司整体研发能力31031.89联讯仪器招股说明书 整理半导体资本开支加速上行&国产化率提升，公司积极布局测试设备存储&先进逻辑加速扩产，设备国产化率不断提升AI年全球121330年有望突破1700SEMI12亿美元，同比增长18%2027/2028/2029年有望进一步升至1510/1550/1720亿美元。增长动能主要来自人工智能相关投资，覆盖先进逻辑、存储及先进封装等关键领域。图60：SEMI预测2026-2029全球12寸晶圆厂半导体设备市场分别达1330/1510/1550/1720亿美元12寸晶圆厂设备支出（亿美元） 同比增速（YoY，%）2000160012008004000

10066%

1127

12%

1330

18%

1510 155014%3%

1720

11%

20%15%10%5%0%2024 2025 2026E 2027E 2028E 2029E，SEMI2027-20292280Memory2027-20291750DRAMNAND6202027-2029Logic&MicroDRAM3DNAND57%/28%/15%。图61：2027-2029年LOGIC&MICRO、DRAM、3DNAND的设备预期投资额占比分别为57%/28%/15%DRAM28%3DDRAM28%3D15%，SEMI据SEMI数据，2025年全球1350/493国占比达年Q3以来占比持续超30%20251350493(19%)(8%)图62：2023年Q3以来中国大陆占全球半导体设备市场30%以上，2025年占比为37%中国半导体设备销售额（十亿美元）40

全球半导体设备销售额（十亿美元47%

50%43%35

43%

43%34%30 31%27%

36%40%25201512%1050

18%

22%

10%

18%14%

16%

25%

22%

29%

25%

27%

29%22%

32%

30%20%10%0%2015-032016-032017-032018-032019-032020-032021-032022-032023-032024-032025-03，SEMI20251295.5万片，2026（13万片（15。图63：国内头部逻辑厂商12英寸晶圆产能与国际龙头差距依然显著，扩产空间大12-inch（Kwpm）202420252026E2027E2028ETSMC7659551,1401,2151,285Intel65100130145155中芯国际95110150175180其他48050053054055512英寸总产能1,4051,6651,9502,0752,175Siliconanalysis2024年Q22025年5%-6%2%65%-72%9%中国大陆厂商仍具备较大提升空间。图表标题图64：24Q2-25Q3中芯国际在全球纯晶圆代工市场中份额在5%-6%图表标题OthersUMCOthersUMCSamsungFoundryGlobalFoundriesSMICTSMC100%9%5%9%5%6%6%10%9%5%5%6%9%8%5%5%6%8%8%8%8%4%5%6%9%4%5%5%8%4%4%5%7%65%66%69%68%71%72%0%Q22024 Q32024 Q42024 Q12025 Q22025 Q32025SEMI，TrendforceNAND/闪迪25Q241万片和4014SK1264.551.53326图65：中国头部存储厂商与国际头部仍有较大产能差距NAND12-inch（Kwpm）1Q242Q243Q244Q241Q252Q25Samsung360440530560450410Kioxia/WDC/SanDisk390460460460400400SKHynix135140150150145145Micron130130155155130130长江存储12012512513014014012英寸总产能1,2221,3871,5341,5701,3781,338DRAM12-inch（Kwpm）1Q242Q243Q244Q241Q252Q25Samsung535600650670645645SKHynix368380435480500515Micron320310310315320330长鑫存储14015518521023026012英寸总产能1,4861,5741,7151,8031,8221,886，Trendforce联讯仪器从精密源表延伸至半导体测试机、晶圆级可靠性测试系统等其集成电压/。精密源表市场空间广阔，公司是精密源表领域国产化龙头，国产化替代空间极大。Frost&Sullivan202419.2202939.5CAGR16%202470.7亿元增长至2029年的26AR达1202480ekon、NIKeysight0.7%图66仍低，发展空间广阔（截至2024年底）

图67：精密源表海外&国内市场规模预期将持续增长其他海外品牌,7.40%

其他国内品牌9.30%10.40%NI,24.40%

联讯仪器,0.70%Tektronix,47.80%

0

精密源表中国市场规模（亿元）精密源表全球市场规模（亿元人民币）精密源表全球市场规模（亿元人民币）126114.8103.693.881.970.762.351.156.758.839.30.3523.27.13.14.16.16.19.242921195202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E

联讯仪器第一次审核问询函回复，东吴证

联讯仪器招股说明书以联讯/测0.1fA精度100pA至0.1fA1fAKeysight等国图68：公司精密源表性能指标已接近国际领先水平类别指标指标说明公司产品型号公司产品参数竞品型号行业最高水平精密源表最小电流分辨率最小量程下可识别的最小电流变化量，数值越低，性能越高S2017C0.1fATektronix,643010aA最小电压分辨率最小量程下可识别的最小电压变化量，数值越低，性能越高S2017C100nVTektronix,245010nV联讯仪器招股说明书PXIePXIe0.1fA1fAPXIe2022年公司推出首款PXIeX-FAB等海内外知名企业。图69：公司台式精密源表（左）和PXIe插卡式精密源表（右）示意图联讯仪器招股说明书公图70：公司产品布局覆盖晶圆允收测试（WAT）和可靠性测试注：晶圆允收测试即WAT，指在工艺流程结束后对芯片进行的电性测量，以检验各段工艺流程是否符合标准联讯仪器招股说明书CP和FTCPFT测试则在封装完成后对芯片最终功能与性能进行验证。T（-pAμ（pCP（~AVF级TmV"。图71：WAT测试精度要求远高于CP与FT，是半导体电性能测试中技术壁垒最高的环节测试类型WAT测试CP测试FT测试测试目的晶圆工艺监控与验证晶圆级芯片筛选芯片最终功能与性能验证电流测量精度极高（sub-pA级）高（pA~nA级）较低（μA~mA级）电压测量精度极高（μV高（mV级）较低（mV级）电容测量精度极高（sub-pF级）高（pF级）不常测联讯仪器第一次审核问询函回复CP和FT实现大规模国产化是设备研发重要瓶颈。NIKeysight10%（至204测试机市场呈现出Keysight、截至2024年底测试设备生产商主要包括Keysight、、广立微等，全球前二大厂商Keysight和90%Keysight2024年，Keysight73.4%图72：2024年中国市场基本由Keysight垄断 图73：2024年全球市场90%以上被海外厂商垄断广立微,10%广立微,10%Tektronix,20%70%11.600%广立微,15%Keysight,73.40%智研咨询 QYResearch2020-202320242020-20232024Frost&Sullivan2025-2029202913.62025-2029年中国市场CAGR202926.8图74：全球测试设备市场规模及预测（亿美元） 图75：中国测试设备市场规模及预测（亿元）全球半导体WAT设备市场规模（亿美元） yoy13.611.513.611.59.68.77.255.76.2 6414121086420202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E

30%25%20%15%10%5%0%-5%

中国半导体WAT设备市场规模（亿元） yoy26.821.917.615.226.821.917.615.21112.29.39.76.27.62520151050202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E

30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书公司借助深厚的精密源表研发功底，拥有切入WAT测试机制造的技术能力。WAT公司体产品制造中的图76：公司测试机产品实物图 图77：公司测试机主要性能指标及发展历程 推出时间产品型号推出时间产品型号测试能力最小电流分辨率最小电压分辨率2022年WAT6200系列串行测试1fA100nV2024年WAT6300系列高压串行测试1fA100nV2024年WAT6600系列48路并行测试1fA100nV联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书晶圆级可靠性测试（CPLevelReabyWLRWLRFrost&SullivanWLR2029年3.5WLR20296.92020-2024年复17.6%。图78：全球WLR测试设备市场规模及预测（亿美元） 图79：中国WLR测试设备市场规模及预测（亿元）43.532.521.510.50

全球WLR测试设备市场规模 yoy3.53.53.12.82.52.21.91.51.61.81.2202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E

30%20%15%10%5%0%

中国WLR测试设备市场规模 yoy6.965.24.46.965.24.43.72.93.22.41.7276543210202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E

25%20%15%10%5%0%联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书公司面WLRPLR图80：公司WLR系列测试设备（左）和PLR系列测试设备（右）实物图

图81：公司晶圆可靠性测试设备性能指标和发展历程推出时间产品型号测试能力系统测试温度2023推出时间产品型号测试能力系统测试温度2023年WLR0200串行测试300℃2024年WLR0100并行测试300℃2024年PLR0010并行测试250℃联讯仪器招股说明书 联讯仪器招股说明书3.3.存储测试机：IDRAMsockets图82：DRAM与互联带宽增速远低于服务器硬件算力增速AIandMemory（AmirGholami等，2024AI高带宽是复杂AI/ML端侧AIADAS200GB/sL5500GB/sGPUAI加HBMDRAMI/OI/O图83：HBM通过提升I/O引脚数量实现高带宽 图84：HBM以低单引脚I/O速度实现低功耗0

8最高宽带/最高宽带/（GB·s-1）单引脚最大I/O速度（Gbit·s-1)81976.44103.23073.22.41286.42816543210DDR4 GDDR5 HBM1 HBM2 HBM2E HBM3

10

单引脚I/O带宽功耗比（mW·Gbit-1·s）110.630.550.32DDR3（16） GDDR5（32）

高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈海等

高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜主流AI训练芯片多采用HBM。H1001H1001颗GPU+6颗HBM5颗是activeHBM2E8层2GBDRAMDieHBM也是AIH1003000HBM1300HBM工艺进步极大提升AI算力芯片性能。H200作为H100（1GPU+6HBM）4GPUHBM3EH200拥有141GB内存和4.8TB/sH10080GB3.35TB/sHBM3EH200Llama-70BGPT3-175B60%，HBM图85：HBM市场有望以远超DRAM市场的速度扩张（单位：亿美元）官网，StatusoftheMemoryIndustry2024（YoleGroup

图86：HBM预计将在存储芯片复苏进程中不断提升占有率ADVANTEST官网，StatusoftheMemoryIndustry2024（YoleGroup我AI芯片需求持续放量，SoC根据爱德SoC测试机202569/21202691/24.52023-2026ECAGR38%，测试机市场随AISoCAISoSEMI201823%我们认为随着AI图87：全球SoC测试机和存储测试机市场规模自2023年后回暖，总市场规模2023-2026E年均复合增速高达38%

图88：2025年全球ATE市场结构中，SoC测试机和存储测试机占据超80%市场（按出货量计算）SEMI SEMI2020年的约12亿美元波动增长至2025年的约21亿美元，总体呈上升态势，尤其在20246.7212.812024-20253825050252024AI需求刺激HBM国产存储测试机市场空间2027E有望达67267/15万片。其中长鑫计划HBM202610%2027年20%202640202767图89：爱德万与泰瑞达在存储测试机市场占据大部分份额

图90：2027年国产内存存储测试机市场空间有望达到67亿元25其他（亿美元）泰瑞达（亿美元）爱德万（亿美元）其他（亿美元）泰瑞达（亿美元）爱德万（亿美元）3.142.011.462.41.90.9811.9712.816.726.636.366.163.82 3.973.743.865.025.052026E2027E长鑫扩产量DRAM+HBM（万片）①67长存扩产量NAND（万片）②515产品良率③70%70%DRAM产量占长鑫扩产量百分比④90%80%HBM产量占长鑫扩产量百分比⑤10%20%每万片DRAM存储测试机价值量（亿元）⑥33每万片HBM存储测试机价值量（亿元）⑦=⑥*51515每万片NAND存储测试机价值量（亿元）⑧0.610.61DRAM存储测试机市场空间(亿元)⑨=①/③*④*⑥23.1424.00HBM存储测试机市场空间(亿元)⑩=①/③*⑤*⑦12.8630.00NAND存储测试机市场空间(亿元)⑪=②/③*⑧4.3613.07存储测试机市场空间（亿元）⑫=⑨+⑩+⑪40.3667.071510502020 2021 2022 2023 2024 2025

爱德万年报/官网，泰瑞达官网，东吴证券测算DRAM测试对高速时序精度和稳定性要求极高，设备要求和单价均显著高于AAM与ND（CPM通常需经历1、Repair及CP2更多依赖片上BIST（Built-InNANDFTDRAM为实时高速访问型存储，对biterror漂移及温漂敏感，因此需额外强化老化和稳定性验证；NAND具备ECC纠错及坏块管理机制，系统层容错能力更强，对测试设备精度依赖相对较弱。图91：DRAM的测试难度大于NAND阶段DRAM流程NAND流程差异原因解释WaferSort（CP1）基础电性测试、坏块筛查基础电性测试、坏块筛查两者都做初筛，但DRAM对速度/时序敏感，测试覆盖要求更高Repair/RedundancyAnalysis必须进行冗余修复分析也有坏块管理，但更多依赖控制器ECC/BadBlockManagementDRAM需直接物理修复阵列缺陷；NAND容错机制更多由系统层承担CP2（RepairVerify）修复后二次验证，确认替换单元有效通常简化甚至可省略独立环节DRAM修复精度要求高；NAND可通过后续内部集成BIST容错FT（FinalTest）高速FT+低速FT+老化Burn-in单一综合FTDRAM需验证高速时序、信号完整性、长期稳定性；NAND接口速率要求低、时序复杂度小SamsungSemiconductor、Micron官网，KIOXIA，UMC专利，东吴证券研究所据我们测算，DRAM单万片测试设备价值量约为NAND的5（1）数量层面，DM需经历多轮CPT（单价层面CPFTNANDBISTECCFT低于DRAM。图92：DRAM/NAND单万片测试机价值量分别为3.0/0.6亿元类别测试环节单机价格（万元）对应设备数量（台/万片）单环节价值量（万元/万片）DRAMCP1（初筛）110066600CP2（RepairVerify）110066600高速FT2500410000中低速FT110044400Burn-in老化80032400DRAM合计——30000CP1（WaferSort）30061800NANDCP2（SortVerify，可选）3001300综合FT80054000NAND合计——6100Advantest，Credence 测算HBM采用多层DRAM堆叠结构及2.5D与DRAM,HBMGD4AM片上每层KGSDTSVHBMKGSDHBMHBM测试包括晶圆级测试和KGSD测试，晶圆级测试增加了逻辑芯片测试，KGSD晶圆级测试针对DRAM晶圆测试与常规DRAMHBMKGSDHBMKGSD测试包括老化应力测试、高低温条件下的功能、电性能、电参数测试等。图93：HBM内部堆叠及封装结构 图94：HBM与传统DRAM测试流程区别（

高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等HBMI/OKGSD的测试探针卡,通过DA接口进行基础逻辑芯片测试和DRAM核心芯片测试。HBMKGSD的动态老化应力测试、大量内部TSV结构的可靠性测试、高速性能测试、数量超过1000的PHYI/O测试、2.5DSiP测试等是HBM芯片测试和质量保证的难点。图95：HBM堆叠技术大幅提升测试工艺需求高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等HBM除增加测试环节外，也对测试设备的电流承载能力、测试精度、高并行处理能力、EDA算法等都提出了更高要求。由于BM不到1v集成导致整体功耗较大，最终要求测试电流达到1000-2000A之间，对测试机的电源板卡和DPS芯片要求较高；由于HBMDRAMTGTG（2026545（20265月）最先进的T580136Gbps18GbpsNRZHBM31024（20265HBMT5503HS2162569Gbps45DRAMHBM芯片DRAMQ375台、HBMKGD50HBM芯片KGD（1）HBM芯片KGD2024年启动了对HBM芯片KGD2025Demo订单；测试系存储芯片FTASIC1.GpsAdnset1GbpDeo机图96：公司存储测试机项目实施进度安排项目T1T2T3Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4前期准备设备采购人员招聘及培训项目持续研发流片试产联讯仪器招股说明书间广阔功率器件设备：新能源汽车光伏发电双轮驱动碳化硅产业放量SiC新能源汽车：SiC动力控制单元，如车载DCC和器件，SiCPCU光伏发电领域：SiCSiC-MosfetSiC-MosfetSiC-SBD96%99%50%50图97：SiC的主要器件和广泛应用场景Yole2028SiC892022-2028CAGR31%；2028SiC件市场规模有望达66亿美元，占比高达74%。图98：2022年导电型SiC