CN119446902A 一种衬底加工方法、衬底、光刻方法以及半导体器件 （云际芯光(珠海)微电子有限公司）_第1页
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镇金唐路1号港湾1号科创园17栋5层申请实施例能够有效提升光刻胶在衬底上的粘2采用离子束轰击衬底的表面，形成包括化学键断裂区域的待加工表面将粘附性气体附着于所述待加工表面，形成疏水性表面，所述疏水性2.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其特征在于，所述采用离子束轰击衬底的表将形成有所述待加工表面的衬底放于所述粘附性气体形成基于衬底的疏水性表面形成图像化的光刻胶掩膜，所述衬底包括如权利要求7所述的使用预定浓度的溶液蚀刻所述衬底第三预设时间，利用丙酮去3将形成有所述待加工表面的衬底放于所述粘附性气体形成述衬底的温度为150℃。4基于衬底的疏水性表面形成图像化的光刻胶掩膜，所述衬底包括如上所述的衬该一个元件可以直接连接或耦接到另一元件，也可以指该一个元件和另一元件通过中间元5过对该第一预设时间以及离子束轰击的参数设置确保化学键断裂区域有足够多的化学键6[0043]在一个实施例中，第一预设时间为30秒，离子束轰击的参数包括：离子束电压[0046]通过上述方式可以使衬底1大量吸附粘附性气体，从而形成能够有效吸附光刻胶78[0068]在完成光刻胶掩膜的图像化后，在同等条件下对衬底A和申请实施例的一些实施场景中，各流程图中的实施步骤可以按照需求以其他的顺序执行。9

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