2026年球形粉体材料项目项目建议书

2026/09/152026年球形粉体材料项目建议书汇报人：XXCONTENTS目录01

项目概述02

行业发展与市场分析03

产品方案与技术路线04

项目建设总体规划05

节能环保与风险防控项目概述01项目提出背景与政策环境

下游产业爆发拉动高端球形粉体需求AI、先进封装、高频高速电子产业快速发展，M9级高速覆铜板、HBM封装等领域对超纯球形粉体需求激增，全球高端产品缺口超50%，供需矛盾突出。

国产替代处于关键推进阶段当前高端球形粉体市场长期被日企垄断，1微米以下产品几乎被日本雅都玛垄断，国内高端M7以上产品国产化率仅38%，日企主动削减对华出口倒逼本土扩产。

国家产业政策明确支持方向国家“十四五”原材料工业发展规划将电子级球形粉体列入关键战略材料清单，工信部2026年启动粉体行业标准制修订计划，推动高端产品质量标准升级完善。

地方产业配套提供发展支撑江苏、安徽等电子材料产业集群出台专项补贴、税收减免政策，支持高端球形粉体产业化项目，已形成从高纯原料提纯到终端应用验证的完整生态链。项目基本概况项目名称与建设主体

本项目名称为15000吨高端芯片封装用球形粉体生产线建设项目，由DDD有限公司作为项目主办单位，负责项目的投资、建设与运营管理。项目建设选址与规模

项目选址位于广西XXX工业园区，总占地面积50亩，总投资1.5亿元人民币，建设周期为1年，分两期进行投资建设。项目主要建设内容

第一期投资7000万元，建设球形粉体生产车间、仓库、办公楼、职工公寓及厂区道路等；第二期投资5000万元，完善配套生产车间与厂区绿化工程。项目预期经济指标

项目建成投产后预计年产值达2.4亿元，年均上交税金1774万元，投资利润率22.98%，税后投资回收期含建设期为6.50年，盈亏平衡点为41.77%。项目建设目标与核心定位总体建设目标本项目计划建设年产15000吨高端芯片封装用球形粉体生产线，项目总投资1.5亿元，建成投产后预计年产值达2.4亿元，年均上交税金1774万元。产品技术目标突破高端球形粉体球化、提纯、超低放射性控制等关键技术，实现产品纯度≥99.99%、球形度≥96.8%、α射线放射性低于0.0005cph/cm²，达到国际先进水平。产业定位定位为高端芯片封装、AI高速基板领域核心填料供应商，聚焦满足AI、HPC、先进封装等高端应用领域对高性能球形粉体的市场需求。战略发展目标打破海外企业对高端球形粉体的技术垄断，推进关键材料国产替代，打造国内领先的高端球形粉体研发生产基地，带动区域电子新材料产业升级发展。项目建设意义与价值01满足AI与先进封装领域的刚性需求当前全球高端球形粉体材料供需缺口超50%，日本企业垄断高端市场，本项目可填补国内产能空白，满足AI服务器、HBM、Chiplet等领域对高纯球形粉体的爆发式需求。02推动关键材料国产替代，保障供应链安全目前高端M9/Low-α球形粉体国产化率仅38%，本项目建成后可提升国内高端产品自给率，打破日企技术垄断，降低国内电子制造企业对进口产品的依赖，保障产业链供应链安全。03带动区域新材料产业集群发展项目落地后可带动当地高纯原料提纯、粉体装备制造、下游应用研发等上下游产业发展，创造就业岗位，提升区域电子信息材料产业竞争力，形成新的经济增长点。04助力我国半导体产业技术升级高端球形粉体是芯片封装、高速基板的核心基础材料，本项目的产品可满足M7及以上高性能高速基板、先进封装对材料性能的要求，支撑我国半导体产业向高端化升级。编制依据与基本原则

国家及行业政策依据本项目编制符合《中国制造2025》、《"十四五"原材料工业发展规划》，将高端电子级球形粉体列入关键战略材料目录，符合国家新材料产业发展战略要求。

技术标准规范依据项目遵循《电子封装用球形硅微粉放射性控制规范》（T/CEMIA012-2023）、IEC61189-5:2023国际标准等十余项国家及行业检测规范要求。

市场与基础资料依据依据联瑞新材等头部企业认证数据、赛迪顾问2025-2026年球形粉体市场调研数据，以及项目方提供的建设规划、技术资料编制。

项目编制基本原则坚持高端定位原则，聚焦AI算力、先进封装、高频高速基板等紧缺领域，规避低端产能同质化竞争陷阱。

合规性基本原则严格符合环保能耗双控、安全生产规范，落实双碳目标要求，采用绿色低能耗生产工艺，满足国家产业准入标准。

可持续发展基本原则分三期规划产能，预留技术升级空间，同步布局研发与人才培养，保障项目长期适配下游技术迭代需求，实现可持续盈利。主要经济技术指标汇总核心产能与投资指标本项目规划年产15000吨高端芯片封装用球形粉体，总占地面积50亩，总投资1.5亿元，其中建筑工程费用5541万元，设备及安装费用6121万元，铺底流动资金2000万元。主要营收与利润指标项目达产年年产值2.4亿元，年均销售收入20290.91万元，年均利润总额3446.83万元，年均净利润2585.12万元，年均上交税金1774万元。主要投资效益指标项目投资利润率22.98%，投资利税率29.06%，税后财务内部收益率17.58%，税后投资回收期（含建设期）6.50年，盈亏平衡点41.77%，具备较强抗风险能力。项目实施周期与人员配置项目总建设期1年，分两期建设，项目定员155人，投产后可带动当地上下游产业链就业，具备良好社会效益。行业发展与市场分析02球形粉体材料定义与核心分类

球形粉体材料的定义球形粉体材料是指颗粒个体呈规则球状，由高强度、高硬度、化学惰性颗粒组成的粉体材料，通过特定工艺使不规则原料在表面张力作用下球化，再经冷却、分级等工序制成。

按制备工艺分类可分为物理熔融法球形粉体、化学合成法球形粉体、直燃燃爆法球形粉体、气雾化球形粉体等，不同工艺适配不同纯度、粒径和应用场景需求。

按材质成分分类常见品类包括球形硅微粉、球形氧化铝、球形铝粉、球形镍粉、球形不锈钢粉、球形软磁合金粉等，其中氧化硅和氧化铝是应用最广泛的两类材质。

按应用等级分类分为工业级、电子级、超高纯级，电子级及超高纯级产品对纯度、杂质含量、球形度要求严苛，主要用于半导体先进封装、AI高速基板等高端领域。行业发展历程与阶段特征

01技术引进阶段（2016年以前）国内球形粉体市场高端领域高度依赖进口，日本企业占据高端市场80%以上份额，国产产品多集中于中低端领域，纯度、球形度等核心指标难以满足高端封装需求。

02国产突破阶段（2016-2021年）2018年联瑞新材建成国内首条年产500吨等离子体球形硅微粉中试线，实现国产高端球形硅微粉零突破，国产产品在环氧模塑料领域渗透率提升至31%。

03产能扩张阶段（2022-2024年）先进封装技术爆发带动需求激增，国内头部企业加速扩产，2025年国产球形硅微粉在先进封装领域市占率升至45%，行业集中度显著提升。

04高端跃升阶段（2025年至今）AI算力、高算力基板需求爆发，行业向超高纯、超低α辐射、超细粒径方向升级，2026年联瑞新材新增3600吨高端产能，国产替代进程持续加速。全球市场供需格局分析

全球整体供给特征全球球形粉体产能集中于亚太地区，占比超60%，高端产能长期被日本Admatechs、Denka等少数海外企业垄断，前三甲占据高端市场约72%份额，1微米以下超细产品几乎被日本雅都玛垄断。

中国供给端变化中国球形粉体产能近年快速扩张，2026年总产能已突破35万吨，头部企业如联瑞新材、华飞电子等已突破高端核心技术，国产高端球形硅微粉国产化率提升至38%，逐步打破海外垄断。

全球需求增长驱动AI算力、先进封装、新能源汽车三大领域拉动需求爆发，2025年中国球形硅微粉市场规模达45.76亿元，2020-2025年CAGR为14.1%，预计2026-2030年中国市场CAGR将达12.3%。

高端领域供需缺口全球高端球形粉体严重供不应求，用于M9级高速覆铜板、HBM封装的超低α高纯球形粉体缺口超50%，高端产品订单已排至2026下半年，价格较普通产品上涨3-5倍。中国市场供需现状与增长预测整体产能与产量分布2026年中国球形粉体材料总产能已突破35万吨，年产量约28万吨，产能高度集聚于江苏、安徽、广东等华东华南区域，头部企业占据国内约60%的市场份额。供应端结构性特征普通低端球形粉体产能存在局部过剩，高端超高纯、超细粒径产品供给不足，高端M7/M9级球形粉体仍有超40%依赖进口，头部企业加速高端产能扩张。需求端结构分布下游需求高度集中于电子信息领域，半导体封装占比超55%，高频高速覆铜板、新能源电池等领域需求合计占比约30%，新兴领域需求增速超过35%。未来五年市场规模预测受益于AI、先进封装、新能源产业爆发式增长，预计2026-2030年中国球形粉体市场规模将保持12.3%的年均复合增速，2030年有望突破85亿元，高端产品占比将提升至50%以上。高端半导体封装领域需求分析需求增长核心驱动因素AI算力、Chiplet先进封装、HBM高带宽内存技术快速发展，推动高端球形粉体需求爆发式增长，HBM封装对Low-α低辐射球硅刚需，单颗产品价值量提升5倍。核心性能指标要求要求球形粉体纯度≥99.99%，球形度≥96.8%，α射线放射性低于0.0005cph/cm²，D50控制在0.3-2.0μm，金属杂质总含量低于10ppm。当前市场供需格局全球高端球形粉体严重供不应求，高端缺口超50%，日本企业垄断全球高端市场72%份额，1μm以下产品几乎被日本雅都玛垄断，国产化率仅38%。国内头部企业供应现状联瑞新材为国内绝对龙头，国内球硅市占率约30%，高端M9/Low-α产品市占超50%，2026年新增3600吨高端产能，是国内唯一量产HBM封装Low-α球硅的企业。新能源等新兴领域需求分析

新能源汽车电池领域需求增长新能源汽车产业高速发展带动动力电池装机量持续提升，2026年全球动力电池装机量预计达1.5TWh，对应球形氧化铝需求增长至4.5-5万吨，年增长率超35%。球形氧化铝用作陶瓷涂层隔膜填料，可将电池针刺测试通过率从60%提升至95%以上，显著提升电池安全性。

第三代半导体封装领域需求升级2026年全球第三代半导体市场规模预计增长至65-70亿美元，对应封装与热管理材料市场规模约9.8-14亿美元。第三代半导体封装要求球形粉体纯度≥99.95%、球形度≥0.98，可使导热界面材料导热系数提升约25%，芯片热点温度降低约8℃，满足高功率器件散热需求。

AI算力与先进封装领域需求爆发AI服务器M9级高速覆铜板对球形硅微粉填充率从传统15%提升至40%，单台AI服务器球形粉体用量提升3倍；HBM、Chiplet等先进封装对Low-α低辐射球形硅微粉刚需，单颗芯片价值量提升5倍。2026年高端球形粉体在AI封装领域需求同比增速超60%，全球高端缺口超50%。

储能与新型电池领域潜在需求水系锌离子电池、固态电池等新型储能技术发展，带动高纯度球形纯锌粉需求爆发式增长，2026年储能领域球形锌粉需求增速预计超25%。球形粉体用作电池负极材料，可提升倍率性能与循环寿命，预计2030年储能领域球形锌粉需求量将达到8万吨。行业竞争格局分析全球市场整体竞争特征全球球形粉体材料行业集中度较高，高端市场长期被日本电化、日本龙森等海外企业占据，前三家企业高端市场占比约72%，1μm以下超细产品被日本雅都玛垄断。国内市场竞争梯队划分国内已形成清晰竞争梯队：第一梯队以联瑞新材、雅克科技子公司华飞电子为核心，头部企业占据国内约60%市场份额，高端领域技术突破显著；第二梯队为区域型规模企业，聚焦中低端市场；第三梯队为中小细分领域企业，主打差异化niche市场。不同产品品类竞争差异高端球形硅微粉国产化率仅38%，M9级/Low-α产品仍严重依赖进口；普通球形氧化铝、低端球形粉产能过剩，价格竞争激烈；特种球形粉体如球形模具钢、球形镍粉国产替代处于加速渗透阶段。区域竞争分布特征国内产能高度集中于华东地区，占比超58%，仅江苏省产量占全国38.7%，形成连云港、苏州等产业集群；珠三角依托下游电子产业需求，形成应用端技术迭代优势；京津冀、成渝等地依托原材料资源逐步形成特色产能。市场机会与项目进入优势

高端领域结构性缺口显著当前球形粉体行业低端产能内卷，高端产品供不应求，适配AI、先进封装领域的超高纯、低α球形硅微粉缺口超50%，高端产品价格达20万元/吨，订单已排至2026下半年。

国产替代政策红利释放国家将电子级球形粉体列入关键战略材料目录，日企主动削减对华高端产品出口18%，下游客户出于供应链安全考虑，加速导入国产产品，国产化替代空间巨大。

下游需求爆发式增长AI服务器M9级高速覆铜板球形粉体填充率从传统15%提升至40%，单台用量提升3倍；HBM/Chiplet先进封装对低辐射球形粉体刚需，单颗产品价值量提升5倍，带动市场规模快速扩容。

项目进入核心优势依托XX区域完善的电子产业链配套，可快速对接下游封测、覆龙头企业客户；项目采用国产化等离子体球化装备，相比进口设备投资成本降低40%，具备成本与响应速度优势。产品方案与技术路线03产品方案与规划产能核心产品定位本项目聚焦高端芯片封装、AI高速基板领域，主打电子级高纯球形硅微粉，产品纯度≥99.99%，α射线放射性≤0.0004cph/cm²，满足M7及以上高性能高速基板、HBM先进封装需求。产品规格体系覆盖0.1μm-20μm全粒径区间，分为三大系列：Low-α超低辐射球形硅微粉用于先进封装，低介电损耗球形硅微粉用于高频高速基板，高导热球形氧化铝用于新能源功率模块。总规划产能设计项目总规划年产能15000吨高端芯片封装用球形粉体，分两期建设，一期建成后实现8000吨年产能，二期完工后满产达到15000吨设计规模。产能释放节奏安排项目建设周期12个月，一期投产后第1年产能利用率达到60%，第3年实现满产；二期投产后整体产能利用率逐步提升，预计第5年实现满负荷生产。产品产能适配下游需求依据2026年行业数据，AI服务器单台球形粉体用量是传统服务器的3倍，本项目规划高端产品占比达65%，匹配AI、先进封装领域爆发式需求增长。产品质量标准与性能指标

核心基础性能指标要求高端电子领域球形粉体要求纯度≥99.99%，金属杂质总含量＜10ppm，球形度≥96%，D50粒径偏差控制在±0.2μm范围内，满足行业通用规范。

高端应用特殊性能指标先进封装用Low-α球形粉体要求α射线放射性＜0.0005cph/cm²；高频高速基板用粉体要求10GHz下Dk＜3.8、Df＜0.001，满足信号传输要求。

国内现行标准体系概况目前已发布《电子封装用球形硅微粉放射性控制规范》等十余项行业标准，涵盖纯度、粒径、放射性等核心指标，逐步与国际IEC标准接轨。

企业级质量控制标准头部企业如联瑞新材建立了严于行业标准的企业内控体系，每批次产品进行全指标检测，产品合格率稳定在99.5%以上，通过了国际主流封测企业认证。主流制备工艺对比分析

物理熔融法工艺特点物理熔融法将原料加热至熔点以上形成熔融液滴，依靠表面张力自然球化后快速冷却，分为等离子体熔融法、电弧熔融法和高温电阻炉熔融法三类，产品纯度高、球形度好，适用于半导体封装用高端球形粉体生产。

直燃燃爆法工艺特点直燃燃爆法通过铝粉/硅粉在富氧环境中燃烧释放高温实现球化，反应速度快，单次处理仅需数秒至数十秒，适合大规模连续生产球形氧化铝、球形硅微粉，是动力电池隔膜涂层填料的主流制备工艺。

化学合成法工艺特点化学合成法通过溶胶-凝胶法、沉淀法等液相反应制备球形颗粒，粒径控制精确，可实现纳米级至微米级调控，能制备实心、多孔、核壳等结构，多用于生物医药载体、高端催化剂载体等附加值领域。

不同工艺关键指标对比纯度方面：化学合成法>物理熔融法>直燃燃爆法；球形度方面：物理熔融法平均球形度≥96%，优于另外两种工艺；单位成本方面：直燃燃爆法<物理熔融法<化学合成法，适合不同定位产品生产。本项目技术路线选择

物理熔融球化工艺路线本项目针对高端芯片封装用球形粉体，选用等离子体熔融球化技术，可将原料高温瞬间熔融，在表面张力作用下形成高球形度颗粒，球形度可达96.8%以上，金属杂质含量控制在10ppm以内，满足高纯超细产品要求。

直燃燃爆工艺路线针对球形氧化铝产品，本项目采用直燃燃爆工艺，利用铝粉自身燃烧放热实现球化，反应速度快，适合大规模连续生产，单位产品投资成本较等离子体工艺降低约30%，产品纯度满足新能源电池隔膜涂层要求。

化学合成工艺路线针对纳米级单分散球形二氧化硅产品，本项目采用改良Stöber化学合成法，可精准调控粒径在50nm-2μm范围，粒径分布变异系数控制在5%以内，适合生物医药载体、高端催化剂等对单分散性要求高的应用场景。

本项目工艺路线选型结论本项目针对不同产品定位匹配差异化工艺：高端封装用高纯球形硅微粉采用等离子体熔融法，新能源用球形氧化铝采用直燃燃爆法，超细单分散产品采用化学合成法，兼顾产品性能与生产成本。技术创新点与核心优势球形化工艺精准调控技术突破高温等离子体球化关键参数调控技术，可实现球形度≥96.8%、α射线放射性控制在0.0003-0.0004cph/cm²，满足先进封装平台性能要求。多级粒径复配填充技术开发双峰/多峰粒径复配技术，可实现树脂体系填充率提升至92%，同时保持体系低粘度平衡，满足高密度封装材料工艺需求。超低α射线杂质控制技术建立从原料提纯到生产全流程的杂质管控体系，实现产品α射线水平稳定低于0.0005cph/cm²，符合HBM等高端封装的低辐射要求。产业链垂直整合成本优势向上布局高纯石英砂提纯产能，实现核心原料自主供应，单位制造成本较进口产品降低38%，交付周期缩短至2-3周，性价比优势显著。全流程质量控制体系

原材料入厂质量检测对硅源、金属原料等核心原材料进行进厂全检，严格控制纯度、杂质含量、粒径分布等指标，电子级球形粉体要求原料纯度不低于99.9%，总金属杂质控制在10ppm以内。

生产过程关键参数监控对球化温度、气氛氧浓度、冷却速率等核心工艺参数实现实时在线监测，等离子体法球形硅微粉生产过程温度控制精度达±50℃，保障产品球形度一致性。

成品多维度性能检测每批次成品需完成球形度、粒径分布、纯度、放射性、介电性能等全指标检测，高端先进封装用Low-α球形硅微粉要求α射线低于0.0005cph/cm²，满足台积电CoWoS等平台要求。

数字化质量追溯体系建立全批次数字化追溯系统，从原料批次到生产参数再到成品检测报告均可一键溯源，便于客户质量管控和异常问题快速定位，联瑞新材等头部企业已实现全流程数字化追溯覆盖。项目建设总体规划04项目选址与区位优势

项目选址基本情况本项目选址位于连云港高新技术产业开发区新浦工业园，总占地面积约80亩，土地性质为规划工业用地，场地平整，符合区域产业发展总体规划。产业集群配套优势选址位于国内电子信息材料产业核心集聚区域，周边聚集联瑞新材等多家头部粉体材料企业，覆盖高纯原料提纯、粉体加工、终端应用验证完整产业链，配套协作成本降低约15%。交通物流区位优势项目紧邻连云港港口和连霍、长深高速公路，距离连云港白塔埠机场仅30公里，形成海运、公路、航空联运网络，原材料和产品运输效率提升20%以上。政策与要素保障优势项目享受国家级高新技术产业开发区专项扶持政策，涵盖税收减免、研发补贴、人才引育等支持；区域电力、水资源供应充足，工业用电价格较全国平均低约8%，要素成本优势显著。总体布局与土建工程方案

项目总体布局原则本项目遵循工艺流程顺畅、物料运输短捷、功能分区清晰原则，围绕15000吨高端芯片封装用球形粉体生产线核心需求进行总体平面布局，预留三期产能扩建空间。

功能分区规划项目总占地50亩，划分为四大功能区域：生产区占地26亩，建设球形粉体生产车间与分级提纯车间；仓储区占地9亩，建设原料库与成品恒温仓储库；研发办公区占地8亩，建设研发中心与综合办公楼；生活区占地7亩，建设职工公寓与配套服务设施。

土建工程主要建设内容本项目总建筑面积26200平方米，其中主体生产车间建筑面积12800平方米，采用全钢结构设计，满足大跨度生产设备安装需求；研发办公楼建筑面积5600平方米，为框架结构；职工公寓建筑面积4800平方米；配套辅助用房建筑面积3000平方米。

特殊土建设计要求针对高端球形粉体生产对环境的特殊要求，生产车间采用全封闭防尘设计，室内洁净度达到万级标准；地基进行特殊减震处理，满足精密分级设备运行精度要求；原材料储存库采用防潮防静电设计，保障高纯原料品质稳定。生产车间与配套设施建设

生产车间布局规划项目总建筑面积26200平方米，按功能分区规划原料预处理区、球化制备区、分级提纯区、表面改性区、成品检测区和仓储区，工艺流程遵循物料单向流动原则，减少交叉转运距离，提升生产效率。

核心生产车间建设标准高端球形粉体生产车间按十万级洁净标准建设，配备全封闭惰性气体保护系统，控制环境湿度低于40%、温度稳定在22±2℃，避免粉体氧化、吸潮，保障产品纯度和性能稳定性。

环保配套设施建设配套建设全流程粉尘收集处理系统、废水循环利用系统和废气净化装置，粉尘排放浓度低于10mg/m³，生产废水循环利用率达到95%以上，满足国家最新环保排放标准和双碳要求。

公用工程配套设施同步建设变配电中心、纯水制备站、压缩空气站和特种设备仓储区，为等离子体球化、高温烧结等核心工艺提供稳定电力、高纯水和惰性气体供应，保障连续生产需求。生产工艺流程布局

01总体布局原则遵循工艺流程连续顺畅原则，按照原料预处理-球化成型-分级提纯-表面改性-检测包装顺序布局，减少物料搬运距离，降低交叉污染风险。

02核心生产区域布局将原料预处理区、高温球化区、成品分级区依次串联布置，核心球化工段采用独立密闭车间，配置惰性气体保护系统，保障生产安全与产品纯度。

03质检与仓储配套布局在生产线末端设置独立质量检测中心，紧邻成品仓储区；原料库与成品库物理分隔，原料库靠近生产线入口，满足大宗原料批量卸载需求。

04环保与公用工程布局废气处理、废水循环等环保设施集中布置于厂区下风向，公用工程站（配电、供气）紧邻核心球化车间，缩短能源输送距离，降低能耗损耗。主要设备选型与配置

设备选型核心原则遵循"技术领先、适配高端、节能低耗、安全合规"原则，优先选择满足超高纯、低杂质、窄粒径要求的设备，同时符合国家环保与双碳政策要求。

核心生产设备配置方案针对高端球形粉体生产，配置等离子体球化炉2台、高温熔融电弧炉3台、全自动气流分级机6台、真空惰性气体雾化系统1套，满足年15000吨产能生产需求。

质量检测设备配置配置激光粒度分析仪、ICP杂质检测仪、α射线放射性检测仪、扫描电子显微镜等高端检测设备，实现从原料到成品全环节关键指标精准检测。

智能化与环保配套设备配套全流程自动化控制系统、在线粒度监测系统、密闭无尘收集系统以及废水废气处理设备，实现生产过程智能化管控与污染物达标排放。节能环保与风险防控05节能设计与节能降碳措施

项目节能设计遵循标准规范本项目严格遵循《国家节水型城市考核标准》《工业节水管理办法》等规范，满足《中国制造2025》绿色制造相关节能要求，符合项目所在地能耗双控管控指标。

生产系统节能措施采用国内先进的连续化球形粉体生产工艺，选用能效等级一级的等离子体炉、分级设备，生产余热回收率达92%以上，单位产品综合能耗较行业标准降低18%。

建筑节能措施生产车间及附属建筑均采用节能型围护结构，外墙使用200mm厚加气混凝土砌块+聚苯板保温，窗户选用断桥铝合金中空玻璃，建筑能耗满足民用建筑节能设计标准要求。

节水降碳措施生产冷却用水采用循环水处理系统，水循环利用率达到98.5%，生产废水经处理后回用不外排；选用高效节能水泵等节水设备，每年可节约新鲜用