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FR22054512022.06.02024.12.06PCT/FR2023/0508002023.06.06WO2023/237834FR2023.12.14(100)表面形成粘结涂层(200)的步骤以及在粘涂层(200)通过对包含硅的前体进行化学气相沉积形成，沉积压力在1至5kPa之间，沉积温度在2通过对包含硅的前体进行化学气相沉积，在基底(100)表面形成包含晶体硅柱状晶粒器中的停留时间在0.11_0.45秒之间2.根据权利要求1所述的涂覆方法，其中，用于形成粘4.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆方法，其中，障碍涂层(300)包含稀土硅酸5.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆方法，包括形成防止钙_镁_铝_硅酸盐降解3底的热膨胀系数相适配，对腐蚀性物质具有低渗透性化还可在粘结涂层和障碍涂层之间形成中间状氧化硅(intermediatesilica)层，称为热4硅酸镱。为了即使在难以触及的腔体内也能以较低的障碍涂层厚度实现对基底的良好覆[0014]图1是根据一个实施例的涂覆方法涂覆了粘结涂层和障碍涂层的基底的示意性剖成粘结涂层200。在形成粘结涂层200的这一步骤中，所用的前体可例如包含三氯硅烷(HCl3Si)和/或四氯化硅(SiCl4)，化学气相沉积可在964_1135℃的温度和1_5kPa的压力下5(Y2SiO5

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