CN119452456A 晶片处理方法以及晶片处理系统 （株式会社日立高新技术）

2024.07.24PCT/JP2023/0204752023.06.01WO2024/247222JA2024.12.05处理方法之一是将在上表面形成有硅制的膜的半导体晶片配置于处理室内来对所述硅制的膜氟的气体的粒子来形成第1改性层；第1脱离工2对形成于该硅制的膜的表面的氧化膜供给氢、氮以及氟的气体的粒子来形成第1改性将包含形成所述第2改性层的工序以及所述第2脱离工序的多个工序作为1个循环，多在所述第1脱离工序或所述第2脱离工序中，对所述处理室内照在形成所述第1改性层的工序与第1脱离工序之间、或者在形成所述第2改性层的工序8.一种晶片处理方法，将形成有硅制的膜的半导体晶将包含形成所述第2改性层的工序以及所述第2脱离工序的多个工序作为1个循环，多在形成所述第1改性层的工序与形成第2改性层的工序之间、或者在形成所述第2改性11.一种晶片处理系统，将在上表面形成有硅制的膜的半导体晶片配置于处理室内来3所述程序构成为通过被所述处理器执行，来使所述蚀刻处理装置执行权利要求1所述4压，利用Ar离子将SiClx层除去。搜索具有根据偏置电压而蚀刻速率发生变化的自限速5[0026]图4是表示本实施方式的蚀刻处理方法中的、蚀刻量与循环依赖性的关系的实验[0027]图5A是表示本实施方式的蚀刻处理的多晶硅的蚀刻量和对图3B的步骤(a)的氟自[0028]图5B是表示本实施方式的蚀刻处理的多晶硅的蚀刻量和对图3B的步骤(b)的氯自[0029]图6是表示针对多晶硅和氧化膜的蚀刻量的重复图3B的步骤(a)到图3B的步骤(d)6在处理室34的上方设置有利用了ICP(InductivelyCoupledPlasma，电感耦合等离子)放电方式的等离子源(ICP等离子源)。ICP等离子源用在基于等离子的反应性气体的生成中，[0041]构成ICP等离子源的圆筒型的放电管12设置于处理室34的上方，在放电管12的外[0042]处理气体的供给流量通过按每个气体种类设置的质量流量控制器30来调整。此气7方设置有用于将IR光向下方(晶片设置方向)以及图3B所示的处理在将晶片9载置于晶片载台10不变8公开不仅适用于在与晶片9的主面平行的方向上形成的自然氧化膜3，还适用于在与晶片9[0056]此外，本公开中的自然氧化膜3设想在半导体制造工序中在载置于处理室34内的[0057]图3A的工序(b)表示对预先形成于硅制的膜的表面的氧化膜供给氢、氮以及氟的[0061]图3B的工序(a)是图3A的工序(c)(第1脱离工序)之后的工序。在图3B的工序(a)[0062]图3B的工序(a)和图3A的工序(b)利用相同气体系统，但通过调整六氟化硫气体、9[0063]图3B的工序(b)是第1脱离工序之后的工序。图3B的工序(b)表示对所述硅制的膜[0067]图5A是表示本实施方式的蚀刻处理的多晶硅的蚀刻量和对图3B的工序(a)的氟自方式的蚀刻处理的多晶硅的蚀刻量和对图3B的工序(b)的氯自由基的吸附时间的依赖性所由基吸附于损伤层6的时间即吸附时间设为10(s)到30(s)的范围的情况下，在第2改性层7的形成时(图3B的工序(a))与脱离时(图3B的工序(d))之间蚀刻的蚀刻量在1.5nm程度饱[0069]因此，在将图3B的(a)中的照射时间设为5(s)到30(s)的范围且将图3B的(b)中的晶硅的情况的蚀刻量的试验结果进行直线回归的结果。试验结果形成为虚线401穿过表示[0076]存储器502具有程序。程序构成为通过被处理器501执行来使蚀刻处理装置100执行与晶片的主面垂直的方向的加工以外还易于进行与晶片的主面平行的方向的加工这样[0080]此外，能使蚀刻量成为均匀的条件即自由基的照射时间粗糙的变差。[0087]一种蚀刻处理方法，是对形成于硅上的自然氧化膜和硅[0093]在方式1中，蚀刻处理方法是在相同装置中进行包含自然氧化膜蚀刻的硅氧化膜