CN119480595A 多带电粒子束设备和方法 （Asml荷兰有限公司）

202080039403.02020.05.18公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级探测子束中的每个探测子束包括至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性的对应2多个初级子束中的初级子束的带电粒子的部分形成多个探测子束中的对应探测子束，带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第2.根据权利要求1的第一孔阵列，还包括被设置在带电粒子源与聚光透镜之间的预子3.根据权利要求1和2中任一项的第一孔阵列，还包括被配置为生成轴上子束的轴上4.根据权利要求1至3中任一项的第一孔阵列，还包括被配置为生成离轴子束的离轴5.根据权利要求4的第一孔阵列，其中离轴孔包括具有圆端和逐渐变窄的宽度的细长9.根据权利要求8的第一孔阵列，其中多个离轴孔包括第一离轴孔与第二离轴孔重叠10.根据权利要求8和9中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔中的每个离轴孔通过从多个探测子束生成入射到样本表面上的多个其中多个探测子束中的每个探测子束包括多个初级子束中的对应初级子束的带电粒其中带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔15.根据权利要求13和14中任一项的方法，其中调整聚光透镜的平面的位置修改探测318.一种存储指令集的非瞬态计算机可读介质，该指令集能够由具有第一孔阵列和第第一孔阵列被配置为使用第一多个孔从初级带电粒子带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔第一孔阵列，该第一孔阵列包括多个孔集合，该多个孔集合其中形成探测子束的孔集合中的孔至少基于聚光20.根据权利要求19的设备，其中第一孔阵列包括被设置在带电粒子源与聚光透镜之21.根据权利要求19和20中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成轴上初22.根据权利要求19至21中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成多个离23.根据权利要求19至22中任一项的设备，其中多个离轴孔集合中的集合包括沿着弯24.根据权利要求19至23中任一项的设备，其中多个离轴孔集合中的集合至少包括具25.根据权利要求19至24中任一项的设备，其中多个离轴孔集合中的集合包括大小被26.根据权利要求19至25中任一项的设备，其中多个离轴孔集合中的集合包括具有均27.根据权利要求19至25中任一项的设备，其中多个离轴孔集合中的集合包括具有非29.根据权利要求19至28中任一项的设备，其中聚光透镜被配置为使多个初级子束中30.根据权利要求19至29中任一项的设备，其中第二孔阵列包括被设置在聚光透镜与431.根据权利要求19至30中任一项的设备，其中第二多个孔被配置为确定多个探测子其中形成探测子束的孔集合中的孔至少基于聚光35.根据权利要求34的第一孔阵列，还包括被设置在带电粒子源与聚光透镜之间的预36.根据权利要求34和35中任一项的第一孔阵列，还包括被配置为生成轴上初级子束38.根据权利要求34至37中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合被配置为生成39.根据权利要求34至38中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合中的集合包括40.根据权利要求34至39中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合中的集合至少41.根据权利要求34至40中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合中的集合包括42.根据权利要求34至41中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合中的集合包括43.根据权利要求34至41中任一项的第一孔阵列，其中多个离轴孔集合中的集合包括从多个探测子束生成入射到样本表面上的多个其中形成探测子束的孔集合中的孔至少基于聚光47.根据权利要求45和46中任一项的方法，其中调整聚光透镜的平面的位置修改探测550.一种存储指令集的非瞬态计算机可读介质，该指令集能够由具有第一孔阵列和第第一孔阵列被配置为使用多个孔集合从初级带电粒子形成探测子束的孔集合中的孔至少基于聚光透镜的特第一孔阵列，该第一孔阵列包括第一多个孔，该第一多个孔第二孔板，被配置为处于与第一电压不同的第二电压以生成电场，该第二孔阵列，该第二孔阵列包括第二多个孔，该第二多个孔其中多个探测子束中的每个探测子束包括对粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵57.根据权利要求55和56中任一项的设备，其中第二孔板的电激活包括电压信号被施58.根据权利要求57的设备，其中带电粒子的路径基于被施加给第二孔板的电压信号662.根据权利要求60至61中任一项的设备，其中第三孔板被配置为阻挡带电粒子的部63.根据权利要求53至62中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被设置在带电粒子源64.根据权利要求53至63中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成轴上子65.根据权利要求53至64中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成离轴子66.根据权利要求65的设备，其中第一孔阵列的离轴孔包括具有圆端和逐渐变窄的宽68.根据权利要求65至67中任一项的设备，其中离轴孔被定向为使得宽度朝着初级光69.根据权利要求65至68中任一项的设备，其中聚光透镜被配置为使离轴子束的部分70.根据权利要求53至69中任一项的设备，其中第二孔阵列包括被设置在聚光透镜与71.根据权利要求53至70中任一项的设备，其中第二多个孔被配置为确定多个探测子72.根据权利要求53至71中任一项的设备，其中第二孔阵列的特性包括第二多个孔的76.根据权利要求74至75中任一项的设备，其中第一孔阵列的多个离轴孔中的每个离78.根据权利要求65至77中任一项的设备，其中第一孔阵列的轴上孔的面积与离轴孔使用第一孔阵列的第一孔板和第二孔板，从初级带电粒子束生成7从多个探测子束生成入射到样本表面上的多个80.根据权利要求79的方法，还包括：以与第一电压基本类似的第三电压操作第三孔84.根据权利要求83的方法，其中调整聚光透镜的平面的位置修改多个探测子束的特85.根据权利要求83和84中任一项的方法，其中调整聚光透镜的平面的位置修改多个86.根据权利要求79至85中任一项的方法，其中生成多个初级子束包括生成轴上子束88.一种存储指令集的非瞬态计算机可读介质，该指令集能够由具有第一孔阵列和第使用第一孔阵列的第一孔板和第二孔板，从初级带电粒子束生成从多个探测子束生成入射到样本表面上的多个第一孔阵列，该第一孔阵列包括第一多个孔，该第一多个孔第二孔板，被配置为处于不同于第一电压的第二电压，用第二孔阵列，被配置为从对应的初级子束生成探测子束，其中91.根据权利要求89和90中任一项的设备，其中射束电流基于第一孔阵列中的第一多893.根据权利要求89和92中任一项的设备，其中射束电流基于第一孔板与第二孔板之94.根据权利要求89至93中任一项的设备，其中电场被配置为使得能够调整初级带电99.根据权利要求97和98中任一项的设备，其中第二孔板的电激活包括电压信号被施104.根据权利要求89至103中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成轴上105.根据权利要求89至104中任一项的设备，其中第一孔阵列包括被配置为生成离轴106.根据权利要求105的设备，其中第一孔阵列的离轴孔包括具有圆端和逐渐变窄的110.根据权利要求109的设备，其中第二孔阵列包括被设置在聚光透镜与物镜之间的111.根据权利要求89至110中任一项的设备，其中第二孔阵列包括被配置为生成多个9112.根据权利要求111的设备，其中第二多个孔被配置为确定多个探测子束的大小和平面的位置和第二孔阵列的特性的对应初级子束的带117.根据权利要求116的设备，其中多个离轴孔包括第一离轴孔与第二离轴孔重叠的119.根据权利要求104至118中任一项的设备，其中第一孔阵列的轴上孔是基本圆形使用第一孔阵列的第一孔板和第二孔板，从初级带电粒子束生成使用第二孔阵列，从对应的初级子束生成探测子束，其中探测子束的射束124.根据权利要求121和122的方法，其中第一孔板与第二孔板之间的电场是可调的，使用第一孔阵列的第一孔板和第二孔板，从初级带电粒子束生成使用第二孔阵列，从对应的初级子束生成探测子束，其中探测子束的射束射束限制孔，被配置为从对应的初级子束生成探测子束，其中探测其中预子束形成孔集合中的每个孔被配置为影响所形成的多个射束限制孔的第二阵列，沿着初级带电粒子束的138.根据权利要求137的设备，其中聚光透镜的特性包括聚光透镜的平面沿着初级光位于平面的第一位置的聚光透镜被配置为使初级带电粒子束的第一部分穿过预子束位于平面的第二位置的聚光透镜被配置为使初级带电粒子束的第二部分穿过预子束144.根据权利要求143的设备，其中离轴预子束形成孔中的每个离轴预子束形成孔通置为影响在穿过多个离轴预子束形成孔中的孔时生成的初生成多个探测子束。多个探测子束中的每个探测子束包括对应初级子束的带电粒子的部[0005]第一孔阵列可以包括被设置在带电粒子源与聚光透镜之间的预子束形成孔阵[0006]聚光透镜可以被配置为使离轴子束的部分形成多个探测子束中的对应探测子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵[0013]第一孔阵列可以包括被设置在带电粒子源与聚光透镜之间的预子束形成孔阵置为确定对应初级子束的电流的孔。多个离轴孔集合中的集合可以包括具有均匀间距的[0015]聚光透镜可以被配置为使多个初级子束中的初级子束形成多个探测子束中的对多个初级子束；沿着初级光轴关于第一孔阵列和第二孔阵列调整聚光透镜的平面的位置；[0022]第一电压和第三电压可以包括参考电压。第二孔板可以以包括单极偏转器或多极偏转器。第二孔板的电激活可以包括电压信号被施加以生成电[0024]聚光透镜可以被配置为使离轴子束的部分形成多个探测子束中的对应探测子位置修改多个探测子束的电流，并且其中生成多个初级子束包括生成轴上子束和离轴子并且第二孔板以与第一电压不同的第二电压操作，用于调整带电粒子离开第一孔板的路光透镜可以被配置为通过引导初级带电粒子束的部分穿过预子束形成孔集合中的不同孔第二位置的聚光透镜可以被配置为使初级带电粒子束的第二部分穿过预子束形成孔集合束入射到第二阵列的轴上孔上，并且预子束形成孔集合可以包括多个离轴预子束形成孔，[0035]图2是图示了与本公开的实施例一致的示例性电子束工具的示意图，该示例性电[0036]图3是图示了与本公开的实施例一致的多射束设备中的可调聚光透镜的示例性配[0037]图4A至4C是图示了与本公开的实施例一致的图3的多射束设备中的孔阵列上的不[0038]图5A至5C是图示了与本公开的实施例一致的图3的多射束设备中的孔阵列上的不[0039]图6A和6B是图示了与本公开的实施例一致的孔阵列的细长孔的示例性布置的示[0041]图8A和8B是图示了与本公开的实施例一致的多射束设备中的孔阵列的孔的示例[0042]图9是图示了与本公开的实施例一致的图3的多射束设备中的射束限制孔阵列的[0043]图10是图示了与本公开的实施例一致的多射束设备中的孔阵列的部分重叠孔的[0044]图11A是图示了与本公开的实施例一致的图10的孔阵列的合并孔的示例性布置的[0046]图11C图示了与本公开的实施例一致的由图11B的孔形成的子束的斑点大小和射[0050]图12是表示与本公开的实施例一致的使用多射束检查工具观察样本的示例性方[0051]图13是表示与本公开的实施例一致的使用多射束检查工具观察样本的示例性方[0052]图14是表示与本公开的实施例一致的使用多射束检查工具观察样本的示例性方[0057]虽然多带电射束粒子成像系统(诸如多射束SEM)可以用于增加晶片检查吞吐量，配置为允许各种大小和位置的射束穿过，同时维持足够小的面积以减轻库仑相互作用效阵列的孔之间的库仑相互作用效应的变化可能会导致同一图像内的区域分辨率的不均匀[0061]在多射束SEM工具中可能期望大范围的射束电流，以在晶片检查期间执行各种操子源生成大范围射束电流的多种方式中的一种方式可以包括增大电子可以穿过的孔的大或相似的附图标记指代相同或相似的组件或实体，并且仅相对于单独实施例的差异被描[0065]现在参照图1，图1图示了与本公开的实施例一致的示例性电子束检查(EBI)系统装载端口。第一装载端口30a和第二装载端口30b接收包含要被检查的晶片(例如由(多种)晶片前开式传送盒(FOUP)。EFEM30中的一个或多个机械臂(未示出)将晶片输送给装载锁[0067]装载锁室20被连接至装载/锁定真空泵系统(未示出)，其移除装载锁室20中的气器50可以是被配置为执行带电粒子束检查系统100的各种控制的计算机。控制器50还可以包括被配置为执行各种信号和图像处理功能的处理电路系统。虽然控制器50在图1中被示元132和初级投影光学系统130可以与设备100的初级光轴100_1对准。次级光学系统150和电子检测设备140可以与设备40的次级光轴级电子束102可以被可视化为从交叉101s[0073]源转换单元120可以包括图像形成元件阵列(未在图2中示出)、像差补偿器阵列可以包括多个微偏振器或者微透镜，以与初级电子束102的多个子束形成交叉101s的多个[0074]聚光透镜110被配置为聚焦初级电子束102。源转换单元102下游的子束102_1、102_2和102_3的电流可以通过调整聚光透镜110的聚焦能力或者通过改变射束限制孔阵列致离轴子束102_2和102_3以旋转角度照射源转换单元120。旋转角度可以随可调聚光透镜抗旋转聚光透镜可以被配置为在聚光透镜110的聚焦能力被改变的同时保持旋转角度不[0076]束分离器160可以是维恩滤波器类型的束分离器，其包括生成静电偶极场E1和磁在子束102_1、102_2和102_3的电子上的力与由磁偶极场B1施加在电子上的力在振幅上相102_3的着陆能量之间的能量)。束分离器160可以将次级电子束102_1se、102_2se和102_3se导向次级光学系统150。次级光学系统150可以将次级电子束102_1se、102_2se和102_可以被用于将扫描的原始图像数据保存为最初图像和[0079]在一些实施例中，图像获取器可以基于从电子检测设备140接收的成像信号获取以是可以被划分为多个区域的原始图像。区域中的每个区域可以包括包含样本190的特征的一个成像区域。所获取的图像可以包括在时间序列上多次采样的样本190的单个成像区样本190的相同位置的多个图像执行图像子束102_1、102_2和102_3中的每个初级子束的对应扫描路径数据组合可以被用于重构被2se和102_3se的图像来调整初级投影系统130或次级投影系统15板(未示出)可以被配置为阻挡初级电子束102110可以与多射束电子束工具300的初级光轴1点的间距可以被定义为在样本190的表面上的[0086]图像形成元件阵列122的位于中心的偏转器可以与多射束设备300的初级光轴和122_3可以从初级光轴100_1径向向外或远离(未图示)偏转离轴子束。在一些实施例中，偏转器122_2和122_3可以径向向内或朝向初级光轴100_1偏转离轴子束。子束的偏转角度可以被设置为使得子束102_1、102_2和102_3垂直着陆122_2和122_3生成的离轴子束102_2和102_3的偏转角度可以被设置为使得探测斑点102_探测斑点102_2S和102_3S的像差。在一些实施例中，偏转器可以被设置为使子束102_1、[0088]预子束形成孔机制172可以包括库仑孔阵列。预子束形成机制172的中心孔(在本文中也称为轴上孔)和源转换单元120的中心偏转器可以与多射束设备300的初级光轴100_子束形成机制172可以修整来自初级电子束102的不形成三个子束102_1、102_2和102_3的电子中的大部分。预子束形成机制172可以在初级电子束102进入源转换单元120之前切掉在进入射束限制孔之前具有中间射束电流值的初出)可以被设置在电子源101附近以在早期阶段切掉电子，同时预子束形成机制172还可以被设置为进一步切掉多个子束周围的电子。尽管图3展示了预子束形成机制172的三个孔，的电流可以通过改变射束限制孔阵列121的射束限制孔121_1、121_2和121_3的大小来改[0091]现在参照图4A至图4C，图4A至图4C图示了与本公开的实施例一致的投影在平面射束分布的圆圈将被视为对生成对应探测子束的子束的部分和离开射束限制孔阵列的探面172P上的射束分布是仅出于说明性目的而的子束的电流可以基于例如聚光透镜110的主平面110_2沿着初级光轴100_1的位置和射束的轴上子束102_1以及离轴子束102_2和102_3的射束电流可以是高的。表示PC1和PC2的虚[0093]图4B图示了投影在平面172P上的具有中等射束电流的子束102_1、102_2和102_3子束的电流可以基于例如聚光透镜110的主平面110_2沿着初级光轴100_1的位置和射束限110_2更靠近预子束形成机制172与射束限制孔阵列121之间的距离的中心，导致离开射束[0094]图4C图示了投影在平面172P上的具有低射束电流的子束102_1、102_2和102_3的列121的对应孔的子束102_1、102_2和102_3中的每个子束的电子的部分，而子束102_1、子束的电流可以基于例如聚光透镜110的主平面110_2沿着初级光轴100_1的位置和射束限开射束限制孔阵列121的轴上子束102_1以及离轴子束102_2和102_3的低射束电流。应理可以随着聚焦能力或可调聚光透镜110的主平面110_2沿着初级光轴100_1的位置而改变。预子束形成机制172的平面172P上的投影射束分布是仅出于说明性目的而展示的虚拟投主平面110_2沿着初级光轴100_1的位置和射束限制孔阵列12[0097]在将图5A的子束分布PC3分别与图5B和图5C的子束分布PC2和PC1进行比较时，基如，当聚光透镜110的主平面110_2更靠近电子源101并且位于预子束形成机制172下方时，[0098]参照图5B，聚光透镜110的主平面110_2可以更靠近预子束形成机制172和射束限制孔阵列121之间的距离的中心，导致离开射束限制孔阵列121的轴上子束102_1以及离轴[0100]在一些实施例中，在包括电磁复合可调聚光透镜的多射束设备300中，子束分布电粒子束102生成轴上子束102_1。在一些实施例中，轴上孔172_1可以足够大以允许诸如[0103]在一些实施例中，离开预子束形成机制172的离轴子束102_2可以具有与离轴孔列121的离轴子束(诸如离轴子束102_2和102_3)的横截面可以[0105]现在参照图7A和图7B，其图示了与本公开的实施例一致的预子束形成机制172的括轴上孔172_1和诸如172_2C和172_3C的离轴孔。离轴孔(例如非圆形离轴孔(例如图6A的172_2或172_3)的总体面积大于圆形轴上孔172_1的总体面积。由轴上子束102_1形成的探测斑点的图像区域相比，与由离轴子束102_2和102_3形成的探[0108]现在参照图8A和图8B，其图示了与本公开的实施例一致的多射束设备300中的预的多射束设备300中的三个孔的布置，其可以使离轴子束102_2和102_3以旋转角度照射射[0110]现在参照图9，图9图示了与本公开的实施例一致的射束限制孔阵列121中的孔的[0111]在一些实施例中，射束限制孔阵列121的孔的数目可以确定入射在样本表面上并[0112]在一些实施例中，射束限制孔阵列121可以位于聚光透镜110下方，如图3所图示图7B的预子束形成机制172的孔172_1至172_9生成的子束，使得子束基本平行于初级光轴束限制孔阵列121的多射束设备300中的预子束形成机制172的孔的示例性轮廓。在一些实1072_3和1072_9可以包括重叠区域1010_1，离轴孔1072_5和1072_8可以包括重叠区域[0115]现在参照图11A，图11A图示了与本公开的实施例一致的预子束形成机制172的部1172_3和1172_9可以被合并以形成离轴合并孔1101C，离轴孔1172_5和1172_8可以被合并且离轴孔1172_4和1172_6可以被合并以形成离轴合并孔并孔(诸如例如1101C)与轴上孔1172_1的总的示例性布置。图11B的预子束形成机制172B可以包括轴上孔1172_1和至少一个离轴孔集中，由轴上孔1172_1形成的轴上初级子束的至少部分可以入射到射束限制孔阵列121的轴低分辨率成像以及高分辨率成像。尽管大且连续的电流范围可以通过增大孔的大小来实当大小的大孔提供的连续电流范围相比，离轴孔集合1105C中的孔可以生成具有离散电流成机制172B的离轴孔集合1105C和轴上孔)的数目可以基于应用和期望的离散电流设置的[0124]i.大射束电流范围—可能期望大[0125]ii.增强的结构完整性—离轴孔集合内的孔可以通过预子束形成机制172B的材料[0127]iv.可制造性—在诸如预子束形成机制172的孔阵列中制造孔可以包括移除材料不同。例如，孔1105C_1的半径可以小于1105C_2的半径，孔1105C_2的半径可以小于孔路径(例如图11B的路径1172_P1和1172_P2)指示的。指示虚拟路径[0133]应该注意的是，指示离轴孔集合1105C中的孔可以在其内进行设置的边界的弯曲椭圆和锥形椭圆1172_V仅是用于说明性目的的视觉级子束可以以旋转角度入射到射束限制孔阵列121的对应孔上。旋转角度可以随着聚焦能镜110被定位为更靠近电子源101，则从孔1105C_6生成的探测子束可以入射到射束限制孔阵列121的对应离轴孔上。如果射束限制孔阵列121的对应离轴孔的大小大于孔1105C_6的大小，那么离开射束限制孔阵列121的对应孔的探测子束的探测电流可以基于预子束形成探测子束的探测电流可以基于预子束形成孔集合1105C中的孔的特性来确定。预子束形成孔集合1105C中的每个孔(例如孔1105C_1至1105_C6)可以被配置为影响探测子束的探测电特性。探测子束的探测电流可以能够基于例如形成初级子束的预子束形成孔集合1105C中值的初级子束，并且放置在不同于第一位置的第二位置的聚光透镜110可以使初级电子束[0137]现在参照图11C，图11C图示了探测斑点大小与由离轴孔集合1105C中的孔形成的至1105C_6具有相同大小的一些实施例中，由孔形成的子束针对孔中的每个孔可以具有不[0139]在一些实施例中，预子束形成机制172D的孔1105C_7可以被定位为更靠近初级光低分辨率成像以及高分辨率成像。尽管大且连续的电流范围可以通过增大孔的大小来实[0141]减轻库仑相互作用效应的多种方式中的一种方式可以包括使用包括有源孔阵列[0142]现在参照图11E，图11E图示了示例性有源孔1105_C6A的扩展图，该有源孔1105_[0143]在一些实施例中，例如图11B的预子束形成机制172B的孔1105C_6可以包括有源或多个离轴孔集合(诸如例如1105C)可以电子束102的电子的部分穿过。顶部孔板1120可以包括通过顶部孔板1120被制造的材料被顶部孔板1120或底部孔板1140被电接地并且+100V的电压信号被施加到有源偏转器1130，初级光轴100_1并且基本平行于顶部孔1120或底部孔板1140的平面被径向布置。在一些实[0149]尽管离轴孔集合中的孔能够生成大范围的射束电流，同从而减少库仑相互作用效应，但针对高分辨率应用可能需要进一步减少库仑相互作用效中，电信号可以包括适合使离开离轴孔1122的初级电子束102的电子的部分偏转的电压信[0151]在一些实施例中，底部孔板1140可以包括与对应的离轴孔1132或对应的离轴孔够至少基于离轴孔1122的大小或者顶部孔板1120与有源偏转器1130之间的电场或两者来源孔集合1105_CA(未图示，但在一些实施例中类似于图11B的1105C)可以包括多个离轴有施例中类似于1105C_1至1105C_6)。一个或多个离轴有源孔的大小、形状或横截面可以不[0154]在一些实施例中，施加到有源偏转器1130的电压信号可以是固定的或基本固定1120与有源偏转器1130之间的电压信号的差异形成的电场可以使穿过有源孔1105_C6A的者通过选择被配置为基于允许穿过的子束的大小来生成探测子束的射束限制孔阵列121的[0157]现在参照图11F，图11F图示了与本公开的实施例一致的有源孔1105_C6A的截面程激活以通过控制电路系统为电子源供电。初级电子束可以由枪孔板(例如图2的枪孔板171)或孔阵列(例如图2的预子束形成机制172)预子束形成机制的位置进行调整，以调整由射束限制孔阵列生成的探测子束的探测电流。[0166]在步骤1240中，探测子束可以通过射束限制孔阵列(例如图3和9的射束限制孔阵[0168]在步骤1250中，由射束限制孔阵列生成的探测子束可以被聚焦并且导向样本(例可以指示带电粒子束设备的模块激活带电粒子源以生成带电粒子束并且执行其2的初级光轴100_1)而形成的初级电子束。电子源可以例如通过使用用于控制器的处理器束形成机制(例如图11B的预子束形成机制1在初级电子束穿过预子束形成机制之后生成的子束可以包括轴上初级子束和至少离轴初被配置为使初级子束形成离开射束限制孔阵列(例如图3和图9的射束限制孔阵列如图11B的1105C_6)生成的探测子束可以入射到射束限制孔阵列的对应探测子束的特性可以通过射束限制孔阵列的一个或多个特[0174]在步骤1350中，由射束限制孔阵列生成的探测子束可以被聚焦并且被导向样本可以指示带电粒子束设备的模块激活带电粒子源以生成带电粒子束，并且还执行其他功2的初级光轴100_1)而形成的初级电子束。电子源可以例如通过使用用于控制器的处理器束形成机制(例如图11B的预子束形成机制1在初级电子束穿过预子束形成机制之后生成的子束可以包括轴上初级子束和至少离轴初[0178]在一些实施例中，离轴孔集合1105C可以包括有源孔(例如图11E的有源孔1105_(例如图11E的有源偏转器1130)和底部孔板(例如图11E的底部孔板1140)。尽管有源孔[0179]顶部孔板可以被配置为基于期望的电流设置来允许初级电子束的电子中的部分信号可以包括适合使离开离轴孔1122的初级电子束的电子中的部分电子偏转的电压信号。的横截面和形状。由预子束形成机制172B的孔生成的初级子束可以入射到聚光透镜(例如探测子束的特性可以通过射束限制孔阵列的一个或多个特[0183]在步骤1440中，由射束限制孔阵列生成的探测子束可以被聚焦并且被导向样本[0191]其中带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性来确[0192]2.根据条款1的设备，其中第一孔[0195]5.根据条款4的设备，其中第一孔阵之间的射束限制孔阵列。[0200]10.根据条款1至9中任一项的设[0205]15.根据条款13的设备，其中第一孔阵[0210]多个初级子束中的初级子束的带电粒子的部分形成多个探测子束中的对应探测[0212]19.根据条款18的第一孔阵列，[0213]20.根据条款18和19中任一项的第一孔阵[0214]21.根据条款18至20中任[0215]22.根据条款21的第一孔阵列，其中离轴[0217]24.根据条款21至23中任一项的第一[0219]26.根据条款25的第一孔阵列，其[0220]27.根据条款25和26中任一项的[0222]29.根据条款21至28中任一项的第一孔阵[0229]其中多个探测子束中的每个探测子束包括多个初级子束中的对应初级子束的带[0230]其中带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性来确[0232]32.根据条款30和31中任一项的方法，[0235]35.一种存储指令集的非瞬态计算机可读介质，[0248]37.根据条款36的设备，其中第[0249]38.根据条款36和37中任一项的设备，[0250]39.根据条款36至38中任一项的[0251]40.根据条款36至39中任一项的设备[0252]41.根据条款36至40中任一项的[0253]42.根据条款36至41中任一项的设备，[0254]43.根据条款36至42中任一项的设[0255]44.根据条款36至42中任一项的设备[0257]46.根据条款36至45中任一项的设备，[0258]47.根据条款36至46中任一项的设备[0259]48.根据条款36至47中任一项的设备，其[0266]52.根据条款51的第一孔阵列，[0267]53.根据条款51和52中任一项的第[0269]55.根据条款51至54中任一项的第一孔[0270]56.根据条款51至55中任一项的第[0271]57.根据条款51至56中任一[0272]58.根据条款51至57中任一项的第一[0273]59.根据条款51至58中任一项的第一[0274]60.根据条款51至58中任一项的第[0285]64.根据条款62和63中任一项的方法[0288]67.一种存储指令集的非瞬态计算机可读介质带电粒子的部分至少基于聚光透镜的平面的位置[0306]74.根据条款72和73中任一项的[0307]75.根据条款74的设备，其中带电粒[0316]79.根据条款77至78中任一项的设备[0317]80.根据条款70至79中任一项的设备[0318]81.根据条款70至80中任一项的设[0319]82.根据条款70至81中任一项的设备，其[0320]83.根据条款82的设备，其中第一[0322]85.根据条款82至84中任一项的设备，[0323]86.根据条款82至85中任一项的设备，其[0324]87.根据条款70至86中任一项的设备[0325]88.根据条款70至87中任一项的设备，其[0326]89.根据条款70至88中任一项的设备[0330]93.根据条款91至92中任一项[0332]95.根据条款82至94中任一项的设[0335]使用第一孔阵列的第一孔板和第二孔板，从初级带电粒[0338]97.根据条款96的方法，[0342]101.