CN119480860A 一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及测试结构 （浙江创芯集成电路有限公司）_第1页
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一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及本发明公开一种厚片功率器件的导通电阻金属化外延层位于晶圆的洗边处理后暴露的衬器件Rdson测试难题。本发明还提高了晶圆边缘2化外延层是通过物理气相沉积技术沉积在晶圆的洗边处理后将测试设备的漏极端通过测试电极接到晶圆边缘的金属化外延层测试时，将测试芯片的源极、栅极接到电压源的高端3[0004]因此，本领域技术人员迫切需要一种创新的方法来解决半导体功率器件生产中4取准确的Rdson数据。而且测试过程易引入额外接触电阻和误差源，降低测量结果可靠本发明在攻克厚片功率器件Rdson测试难题方面的卓越效能，为行业内功率器件的高效5去除，确保边缘约3mm宽的区域内硅表面达到原子级平整度（表面平整度偏差小于[0028]此操作可有效避免边缘区域的杂质和不规则结构对后续金属沉积和测试过程产6为30min_120min可实现从亚纳米到微米级的厚度精准控制，满足不[0034]离子注入技术在金属沉积中的应用，可通过精确控制78[0041]探针的选择需根据pad的尺寸和材料在不损坏pad表面的前提下实现良好的点接触。微尖探针的材料一般选择硬度较高且导范围内，且与预期的性能相符，则说明该厚片功率器件在导通电阻方面表现正常；如果于推动该发明在半导体制造领域的广泛应用[0046]本发明为半导体功率器件制造领域提供了一种高效、准确且经济的

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