电子行业专题报告-ABF膜：先进封装核心材料受益于AI服务器放量

目录ABF膜：先进封装层间绝缘核心材料，性能参数支撑高密度互连与封装可靠性 4技术定义与封装定位 4ABF产品代际演进 6ABF膜性能参数指标值及其对封装性能的影响 8技术未来演进方向 10需求端：作为先进封装核心材料，深度受益于AI算力服务器需求抬升 13ABF膜为先进封装中高密度互连重要材料 13ABF膜核心增量：高性能AI服务器需求抬升 17供给端：ABF呈现海外占据主导格局，国内厂商加速布局 22竞争格局：味之素为全球龙头 22国内厂商加快技术研发与产线建设，高端产品验证及规模化供货仍待突破 22投资建议 24风险提示 25插图目录 26表格目录 26ABF支撑高密度互连与封装可靠性ABFABFAjinomotoBuild-up“味之素积层膜是味之素的产品名称，而不是某一种树脂的通用化学名称；行业通常将采用ABF作为增层绝缘介质的封装基板称为“ABF”。ABFABFABF成的封装基板成品。ABF膜的核心作用一方面是隔离相邻铜线路，保证不同线路图1：ABF膜实体图 资料来源：味之素官网，国联民生证券研究所ABF从材料组成看，ABF是一种有机—无机复合热固性薄膜。根据味之素公开资料，其基础配方主要由有机环氧树脂、固化剂和无机微粒填料组成。其中，环氧树脂是ABF的连续主体，主要承担成膜、电气绝缘、粘结及包覆ABF—二氧化硅复合膜，但不同型号ABF采用的树脂体系、填料粒径和具体配比属于味之素的核心配方，不宜将某一种实验配方直接等同于全部ABF产品。PET承载膜并干燥成膜。PETABFABFPCBCPUGPUASICBGAPCBABFABFABF面压合ABF膜并进行热固化；随后利用激光在ABF层中形成微孔，再进行除胶ABF建多层增层结构。最终截面可概括为：铜线路层—ABF绝缘层—铜线路层—芯板—铜线路层—ABF绝缘层—铜线路层。其中，ABF负责相邻线路层之间的电气绝缘，ABFABF“ABF绝缘层＋精细铜线路＋激光微孔”的重复堆叠，封装基板能够将芯片侧高密度、小BGA图2：封装层位示意图资料来源：味之素官网，国联民生证券研究所ABFABF1999CPU封装载板的重要基础材料。从产品谱系看，ABF在1999年推出后，先后形成了SH、GX、GZ、GC、LEGL：2001SH，2004GXGZGCLEGL“第几代产品SHABFGX2004GYLEFO-WLP/PLPGL则综合具备低介电损耗、低表面粗糙度、低热膨胀系数和高玻璃化转变温度等特征。图3：ABF代际演进时间轴资料来源：味之素官网，国联民生证券研究所以GX系列中依次推出的GX13、GX-92和GX-T31为例，其主要改进方向是降低CTE和介电损耗、改善树脂表面粗糙度以及提升封装可靠性。代表性数据中，GX13、GX-92GX-T31CTE46、3923ppm/K，5.8GHzDf0.0190.0174.05.07.5GPaGXCTE模量、低吸湿和更适合高密度封装的材料。GXGZCTE198℃，5.8GHz下Df约为0.0074GYGY11的Df可以进一步降低到约0.0042，但技术论文同时指出，GY11在小孔激光加工后的去钻污工艺方面存在一定挑战。由此，ABFDfGL系列是在这一背景下形成的低损耗产品路线。GL在保持接近GY11的低CTE20ppm/K，DMA171℃，Df0.004413GPa，CTE—SH化—GXCTE—GZ/GYDf—GLLEABFABF膜的作用是提供绝缘保护与线路层间隔离，需凭借优异的填充性、高精ABF与损耗（DkDf）、热膨胀系数（CTE）值及表面粗糙度（Ra）等核心指标。ABF15×10－6～20×10－6/ABF与硅芯片(CTE≈2.6×10－6/℃)、铜布线(CTE≈17×10－6/℃)存在显著热膨胀系数不匹配问题，若CTECTECTE≤12×10－6/ABFCoWoS图4：ABF的刻蚀工艺 资料来源：cadence，国联民生证券研究所DkDf：高频信号传输完整性的关键指标εDkDF好，绝缘性能也愈好。ABF膜在10GHz频率下，Dk≈3.54、Df≈0.008时，可实现高频信号传输，减少信号延迟和失真。1GHz频率下，Dk≤3.0、Df≤0.008时，可有效抑制高频信号传输衰减，满足AI芯片高频高速信号传输需求。如今的5G基站与AI芯片信号传输频率已突破10GHz，ABF介电性能直接1GHzDk≥3.5Df≥0.01520%且衰减面向AI大算力芯片封装基板的ABF需采用平均粒径≤0.5μm5GHz3.4、介电损耗≤0.0035的低介电低损耗特性，以支撑高频高速互连封装的信号完整性与工艺可靠性。应用条件 性能参数 表现表1：ABF膜Dk、Df不同指标值表现表应用条件 性能参数 表现1GHz Dk≤3.0 AIDf≤0.0081GHzDk≥3.5Df≥0.015信号延迟超20%且衰减严重，无法适配高频传输需求5GHzDk≤3.4Df≤0.0035可支撑高频高速互连封装的信号完整性与工艺可靠性10GHzDk≈3.54Df≈0.008实现高频信号传输，减少信号延迟和失真资料来源：中国科学院深圳先进技术研究院，Deepetch，国联民生证券研究所表面粗糙度（Ra）：精细线路成型与铜界面结合的关键工件表面具有复杂的起伏，有不同高度和间隔的连续峰谷。起伏较大的称为“平整度”，起伏较小的称为“表面粗糙度”。AICoWoS/GPU6/6μmABFSAPRa＜100nm5%ABF202510ABFABFvarnishAICoWoS密度、高频化需求。该产品实现4/4μm的线宽/线距精细线路适配能力，胶膜表面粗糙度控制在60nm以下，有效保障了SAP半加成法加工的线路成型精度。图5：在ABF基板上蚀刻 资料来源：cadence，国联民生证券研究所AI/HPC、Chiplet及大尺寸FC-BGA持续提升基板面积、I/O密度、信号速率与积层数量，推动ABF由单项性能优化转向低介电损耗、薄层化、精细线路与热机械可靠性的协同升级。下一阶段主要沿三条路线演进：高频介电损耗Df向0.002及以下推进，膜材持续向薄层化和高精度膜厚控制发展，精细线路由5/5μm3/3mCTE由约20ppm/℃向15ppm/℃及以下下降，低粗糙界面、铜界面黏结及长期可靠性成为材料升级的重要约束。图6：先进封装材料主要生产国及主要生产企业 资料来源：《聚合物基先进封装材料的应用与技术挑战》腾龙等,国联民生证券研究所DfAI对介质材料的低介电、低损耗及可靠性提出更高要求，降低Df及传输损耗成为ABFAI5GHz下Dk≤3.4、Df≤0.0035。从材料技术路线看，低Df主要依靠树脂体系优超薄化：高层数封装推动介质层持续薄型化AI/HPC当前单层厚度约为10μm；同时，ABF相较液态绝缘材料具有表面平整度高、膜厚易控制等特点，适用于多层积层结构。2026ABF精细线路适配：低粗糙界面与微细线路协同演进高密度封装持续推动线路微缩，高端GPU载板线宽/线距已进入6/6μm级，对应ABF表面粗糙度向Ra＜100nm、介电均匀性偏差≤5%方向收敛。较低粗糙度有利于SAP闪蚀、降低残铜并改善阻抗一致性，但也会削弱机械锚定作用，铜界面需更多依赖化学键合、受控粗化及低应力沉铜体系。产业路线已由9/12μm向8/8μm推进，精细线路适配正在从传统的微米级5μm3μmIC5μm需要同步优化填料粒径、表面粗糙度、微孔质量及铜附着力，材料与激光打孔、除胶、沉铜、电镀和闪蚀工艺的协同重要性持续提升。整体来看，ABF下一阶段或将围绕低介电损耗、薄层化和精细线路适配三条Df0.0025/5μm3/3μm由20ppm/℃向15ppm/℃甚至更低水平下降，材料竞争也有望由单一性能优化转向介电特性、热机械性能及精细线路适配能力的协同提升。AI算力服务器需求抬升ABFABFCPUCPU度提升持续迭代。CPUCPU传统引线框架逐步向具备复杂布线图案的多层电路基板演进，对绝缘材料的性能及加工适配能力提出更高要求。ABF以环氧树脂为基础，通过有机材料与无机微1999CPUICABFIBIDENICABFASEAmkorIntelIC装环节进一步向芯片端传导。图7：ABF膜产业链图谱 资料来源：Ajinomoto，TOPPAN，YoleGroup，EdgeAIandVisionAlliance，FusionWorldwide，安防新闻网，国联民生证券研究所整理从应用路径看，ABF下游呈现“封装载板—高性能逻辑芯片—终端系统”逐级传导特征。CPUGPU、ASICFPGA图8：ABF产业链传导路径示意图 图9：ABF主要下游芯片及终端应用 《ElectronicMaterialsBusinessBriefing

《ElectronicMaterialsBusinessBriefing封装载板：ABFABFICICPCB系统中的外部电子组件仍处于毫米级尺度，两者之间需要通过由多层微电路组成的堆积基板实现连接。ABF可用于形成堆积基板中的微米级电路，其表面可接受激光加工及直接镀铜，并通过多层增层结构将电子连接由纳米级CPU端子引导至PCB上的毫米级端子。因此，ABF在封装载板环节主要用于微细线路形成，ICPCB。图10：ABF多层增层载板互联示意图 图11：ABF在IC封装载板多层结构中的应用示意资料源味素网国民券研所 资料源：ICComponents，民生券究所从增层载板结构看，多层印刷电路板通过逐层增加积层材料形成多层线路，并借助激光微孔实现层间互联。部通过激光钻孔形成微孔，并进一步构建不同线路层之间的互连。ABF应用于增细铜线路及层间互联结构，成为多层印刷基板实现精细布线的重要材料基础。图12：ABF支撑增层载板微细铜线路及层间互联 资料来源：Ajinomoto《ElectronicMaterialsBusinessBriefing》，国联民生证券研究所高性能芯片：ABFICFC-BGAABFICFC-BGACPUGPUABFFCBGAICFCBGA通过高密度封装载板实现IC与主板之间的互联。IC首先通过FlipChipBumpSolderBall“IC—封装载板—主板”的完整互联路径。图13：FCBGA封装中IC、封装载板及主板互联结构示意图 资料来源：SamsungElectro-Mechanics官网，国联民生证券研究所整体来看，ABF在高性能芯片环节主要随IC封装载板进入FC-BGA封装体ICCPUGPUABF终端算力应用：ABFAI务器及数据中心等终端应用ABF下游应用最终延伸至高性能PC、服务器及数据中心等终端计算场景。作为FC-BGA封装载板中的层间绝缘材料，ABF随高性能CPU进一步进入系统ABF形成广泛应用，高性能PC及数据中心服务器亦是FC-BGA的重要落地场景。整体来看，ABF应用由载板及芯片封装环节进一步向终端计算PC、服务器及数据中心等场景。图14：ABF通过高性能CPU应用于服务器及消费电子等终端 资料来源：味之素官网，国联民生证券研究所随着封装载板线路持续微细化，ABF进。2024、三菱电机及Spectronix3μmABF图15：ABF实现约3μm级激光微孔加工 资料来源：东京大学等《利用DUV激光实现半导体基板超微细孔加工》，国联民生证券研究所ABFAIRubin有望带动ABFRubinABF“单颗价值量提升×平台出货增长”。ABFIC载板的核心层间绝缘材料，单颗价值量主要取决于载板面积、—服务器出货放量”ABF性能提升：RubinRubinGPU3360亿个晶体管，单GPU搭载288GB422T/sNLk6带宽达到3.6T/sNIDIABlackwellNVFP4NVLink5.03.52.82.0性能提升通过封装复杂度传导至ABF，而非按算力倍数线性映射。GPU与HBMCoWoSI/OABF介电损耗、低热膨胀和尺寸稳定性提出更高要求。图16：VeraRubin机架及数据中心用IC封装基板实景 资料来源：NVIDIA官网，IBIDEN官网，国联民生证券研究所；注：右图为IBIDENIC封装基板产品示例，并非Rubin载板。图17：Rubin关键性能相较Blackwell提升，ABF用于有机IC载板积层绝缘资料来源：NVIDIA，台积电，IBIDEN，国联民生证券研究所整理；注：左图为NVIDIA披露的最高相对提升幅度，右图为结构示意，不代表Rubin实际封装尺寸。单颗用量提升：相较传统半导体基板，AIABFASVReport2024AI13.5，ABF618ABF10RubinBlackwell“基板面积扩大×积层数量增加”形成的材料乘数效应。单颗价值量进一步受到材料规格升级推动。IBIDENAIGPU20255.5CoWoS2026ABF层数量决定材料消耗，高速传输和高可靠性要求则推动高性能型号占比提升。图18：AI半导体基板大型化和多层化放大单颗ABF用量资料来源：味之素ASVReport2024，国联民生证券研究所；注：味之素数据比较AI半导体与传统半导体，并非Rubin与Blackwell的直接对比。总量提升：Rubin进入量产爬坡，平台部署构成AI服务器出货放量基础。20265NVIDIARubin303502026GoogleCloud、Microsoft、OCICoreWeaveFairwaterAIRubinSuperchip。AIABF2026CP资本开支同比增长约90%I服务器出货量同比增长接近31%G/整柜方案采购意愿明显增强。载板端亦出现直接验证：IBIDEN预计AI服务器载板SAP2024年的1.0提升至2026年的1.8和2027年的2.5，该指标同时反映出货增长以及载板大型化、多层化带来的产能占用上升。图19：VeraRubin单柜配置不变，载板SAP生产负荷提升 资料来源：NVIDIA，IBIDENIntegratedReport2025，TrendForce，国联民生证券研究所整理注：SAP生产负荷指数同时包含数量及产品复杂度影响。rauin对BF的拉动可归纳为单颗价值量提升平台出货增长。ABFCSPAIRubin相关产品有望于2026年秋季开始供货，我们预计其对ABF的增量贡献或将自20262027CX9GoogleTPUABFGoogleTPUABFABF向更高算力、更大HBM容量、更高存储带宽及更高速片间互联持续演进，TPUABFGoogleAITPU从内部算力平台向GoogleCloudTPUIC封装基板及ABF性能侧：TPUABFGoogleTPU的代际升级对高端封装基板的技术规格要求相应提升。Google第七代TPUonwood相较于上一代rim8峰值计算能力提升约5H192GB6HBM7.37TB/s，约为上一代的4.5GoogleTPUTPU8i288GBHBM和384MB片上SRAM，片上SRAM容量达到上一代的约3倍。TPUABFHBMAI容量及带宽提升，推动封装尺寸与互联复杂度增加。随着GoogleTPU单颗芯片对应的HBM容量持续提升，计算芯片与存储系统之HBM说明高性能TPUABFAITPU集群规模扩大，GoogleIronwoodTPU芯片算力与HBM配置持续增长，单颗芯片需要承载的功率及电流规模同步提AIABF图20：CloudTPUv4、v5p与Ironwood技术规格对比 资料来源：GoogleCloud官方资料，国联民生证券研究所整理。注：v4和v5p版本模拟了FP8峰值TFlops，而Ironwood版本则原生支持。数量侧：GoogleAITPUABFAITPUAlphabet2026年第二季度资本开支达到449亿美元，其中绝大多数投入用于支持AI的技术基Google是Google自研AI基础设施的重要组成部分，AI服务器和计算能力扩建提升了TPUTPUTPUAIGoogleCloudAIAI20264与GoogleCloudTPU2027GWTPUGoogleAI推理需求增长有望推动TPU部署规模扩大，并进一步带动ABF需求提升。随着生成式AI应用由模型训练逐步向规模化部署和推理阶段延伸，AI算力需求结构正在由训练需求向“训练+推理”共同驱动演进。Google于2025年推出第七代TPUIronwood，并将其定位为首款面向“推理时代”设计的TPU，体现Google算力基础设施建设重心正进一步向大规模推理场景延伸。随着模型调用量、用户规模及Agent应用持续增长，推理侧有望成为TPU部署数量增长的重要增量来源，进而带动ABF需求提升。图21：Ironwood的架构 资料来源：GoogleCloud官方TPU7x/Ironwood文档综上，GoogleTPU性能升级与数量扩张共同形成ABF需求的乘数效应。性能侧：IronwoodHBM容量达到192GB，较上一代提升约6倍，第八代TPU8i则进一步提高至288GB，体现AI加速芯片持续强化存储和互联能力的技术趋势；数量侧：总需求规模扩大，Alphabet持续扩大AI基础设施资本开支，同时TPU已逐步从Google内部工作负载向GoogleCloud外部客户扩展。Anthropic已宣布最高约百万颗TPU的使用计划，并于2026年进一步扩大TPU合作规模。加速布局味之素在高性能处理器用积层绝缘膜市场占据主导地位。ABF本身为AjinomotoBuild-upFilm100%，根据味之素在GPU、CPU载板用ABF95%。公司依托树脂配方、无机填料分散、精密涂布及与载板制程长期协同，形成“材料性能—加工良率—客户认证”复合壁垒。产品等级 主要性特征表2：味之素ABF产品等级矩阵产品等级 主要性特征GX-92 标准型GX-T31 （CTE）GZ-41 CTEGL-102 CTE资料来源：味之素官网，国联民生证券研究所ABF替代产品仍有限。层数、大尺寸FC-BGA载板已有应用，并列示凸版印刷、南亚电路板等客户；ResonacUS-JOINTIC导、少数材料厂商布局的格局，新供应商从送样验证到稳定量产仍需较长时间。CBFCBFCPU/GPUVCMPMIC纽菲斯加快推动技术储备向产业化阶段过渡。公司已布局半导体封装载板用49,250.5746%ABF2024ABF膜研发，年产60万平方米先进封装基板用高性能积层膜智能2025420268后续重点关注产线投产及产品验证进展。广东伊帕思着力提升类ABF膜等产品的交付能力。公司AI高速覆铜板及封2026625ABF公司 产品/线 公开进展 阶段判断表3：国内ABF/积层绝缘膜厂商布局及进展公司 产品/线 公开进展 阶段判断华正新材 CBF积层缘膜 面向CPU/GPU等景，年称点研发

研发/导入期纽菲斯 类ABF增胶膜 莲花控参股推进业化 整合推进兴南创芯 高性能层膜 规划60平方/产线披时尚未成

研发+产线建设广东伊思 类ABF增膜 已有膜布局新基动工产 产业化础+扩产202520252025总体而言