CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

2在所述含碳掩膜层上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层内具有在所述初始掩膜层顶面上形成含碳牺牲层，所述含碳述含碳牺牲层内具有贯穿位于所述初始掩膜层顶面上的所述含碳牺牲层的厚度的多个第在同一刻蚀工艺中，沿所述第三开口刻蚀所述含碳掩膜层，且在所述含碳掩膜层内形成贯穿所述含碳掩膜所述第一刻蚀步骤提供第一刻蚀气体，以沿所述第三开口刻蚀所述含所述第二刻蚀步骤提供第二刻蚀气体以及保护气体，所述第二刻蚀沿所述第三开口刻蚀所述含碳掩膜层直至在所述含碳掩膜层内形成与所述第三开口相对的所述保护气体的气体流量为80sccm～110sccm；所述第二刻蚀步骤提供的所述保护气体3沿所述第一开口刻蚀所述硬掩膜层，以在所述硬掩膜层内形成贯一开口正对的所述含碳牺牲层的厚度为70nm～艺对所述含碳掩膜层与所述含碳牺牲层的刻4存取内存(RandomAccessMemory，RAM)可分为动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)与静态随机存取存储器(StaticRandom_AccessMemory，[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种所述含碳掩膜层露出的所述含碳掩膜层侧壁上形5述含碳掩膜层的厚度大于或等于与所述第一开口正对的所述含碳牺牲层述含碳掩膜层的厚度为90nm～110nm，与所述第一开口正对的所述含碳牺牲层的厚度为始掩膜层及具有第二开口的含碳牺牲层，为后续形成具有第三开口的掩膜层提供工艺基6[0023]图1至图8为本公开一实施例提供的一种半导体结构的制作方法各步骤对应的结[0025]本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法，通过在基底表面形成含碳掩膜始掩膜层及具有第二开口的含碳牺牲层，为后续形成具有第三开口的掩膜层提供工艺基膜层121内具有贯穿初始掩膜层121厚度且间隔排布的多个第一开口1[0033]通过在基底100表面形成含碳掩膜层110，为后续在含碳掩膜层110上形成目标开并沿将含碳牺牲层130去除后暴露的第一开口122继续刻蚀含碳掩膜层110，从而最终以含有第一开口122和第三开口123的掩膜层120为掩膜刻蚀含碳掩膜层110，以在含碳掩膜层7110的材料为非晶碳可以使得含碳掩膜层110与含碳牺牲层130之间的刻蚀选择比不会差异应的含碳掩膜层110和刻蚀第三开口123对应的含碳掩膜层110之间刻蚀起点的差异，可以8硬掩膜层140所浪费的时间，且在形成含碳牺牲层130之前先将第一开口122暴露的硬掩膜口刻蚀硬掩膜层140，从而使得在沿第三开口123刻蚀硬掩膜层140的过程中消耗第一开口置开始刻蚀含碳掩膜层110的时刻与第三开口123位置开始刻蚀含碳掩膜层110的时刻之间的差异，从而可以使沿第一开口122刻蚀穿含碳掩膜层110的时刻和沿第三开口123刻蚀穿碳掩膜层110进行刻蚀，保护气体用于在沿第三开口123刻蚀含碳掩膜层110露出的含碳掩9保护气体可以在含碳掩膜层110的侧壁上形成保护膜，但是形成的保护膜同样会影响刻蚀牺牲层130之后再进入第二刻蚀步骤可以提高刻蚀工艺的刻蚀速率的同时保护形成的目标而第一开口122仍在刻蚀含碳掩膜层110的问题，通过保护气体可以避免第三开口123对应[0059]需要说明的是，这里的目标开口111的底部是指目标开口111靠近基底100一侧的设置第一比值大于所述第二比值可以提高形成的目标开口1相对于第二刻蚀气体占整个第二刻蚀步骤中通入的[0064]在一些实施例中，第一刻蚀气体的气体流量可以大于第蚀步骤中通入的保护气体的气体流量也可以小于或等于第二刻蚀步骤中通入的保护气体速率也就越慢，因此，通过设置第一刻蚀步骤提供的保护气体的气体流量为80sccm~蚀步骤的刻蚀速率相对第二刻蚀步骤的刻蚀速率快，第二刻蚀步骤保护含碳掩膜层110的保护效果比第一刻蚀步骤保护含碳掩膜层110的保护效果好，从而可以使得既很好的保护掩膜层110与含碳牺牲层130，而氧硫化碳气体可以分出硫活性离子和含碳掩膜层110中的122可能还在刻蚀含碳牺牲层130，因此通过设置含碳掩膜层110的厚度大于或等于与第一110nm还可以使在第三开口123对应位置还未将含碳掩膜层110刻蚀完，或者刚刻蚀完的时以减少第三开口123对应的目标开口111横向刻蚀，从而可以提高形成的目标开口111的可体结构的制作方法的工艺时长；若与第一开口122正对的含碳牺牲层130的厚度小于70nm，那么第二开口131对应的位置的含碳牺牲层130的厚度也就更少，影响形成的第二开口131存在第三开口123对应的目标开口111已经形成好，但是第一开口122还在刻蚀去除含碳牺刻蚀工艺对含碳掩膜层110与含碳牺牲层130的刻蚀选择比小于或等于2可以较快的去除第一开口122对应的含碳牺牲层130，从而可以使得开始刻蚀第一开口122对应的含碳掩膜层110的时刻与开始刻蚀第三开口123对应的含碳掩膜层110的时刻之间差异不会过大，从而[0076]本公开实施例通过在基底100表面形成含碳掩膜层110，为后续在含碳掩膜层110上形成目标开口111提供工艺基础，通过依次形成具有第一开口122的初始掩膜层121及具有第二开口131的含碳牺牲层130，为后续形成具有第三开口123的掩膜层120提供工艺基牺牲层130去除，并沿将含碳牺牲层130去除后暴露的第一开口122继续刻蚀含碳掩膜层以在含碳掩膜层110上形成目标开口111，且可以减少在形成含碳掩膜层110上的目标开口[0077]