CN119486360A 具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及其制备方法和应用 （江苏林洋太阳能有限公司）

具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及其本发明公开了具有选择性多晶硅层的钝化2在背面细栅电极区域，所述硅片本体背表面依次具有第一隧穿氧在相邻的两条背面细栅电极之间，所述开孔区域至少具有两所述开孔区域包括形成在所述硅片本体背面上的第二背所述载流子传输区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第二隧所述背面主栅电极所在的区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第三隧穿氧化4.根据权利要求2所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述激光的波长为5.根据权利要求4所述的钝化接触电池的制备方10.一种权利要求1_9任一项所述钝化接触电池的制备方法制备得到的钝化接触电池，杂多晶硅层和第一背面钝化层；相邻的两条背面细栅电极之间具有至少两个所述开孔区3所述开孔区域包括形成在所述硅片本体背面上的第二背所述载流子传输区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第二隧所述背面主栅电极所在的区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第三隧穿氧化11.根据权利要求10所述的钝化接触电池，其特征在于：所述开孔区域的截面选自矩12.根据权利要求11所述的钝化接触电池，其特征在于：每个所述开孔区域的宽度为面主栅电极和背面细栅电极之外的区域的总面积为基准，所述开孔区域的总面积占其40%20.一种光伏组件，其特征在于：所述光伏组件包4具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及其制[0002]隧穿氧化层钝化接触太阳能电池TOPCon的出现引起了人们对高效晶硅太阳能电[0003]选择性多晶硅钝化触点是降低N型晶硅太阳能电池寄生吸收以及提供更好电流收集的理想选择。TOPCon电池采用隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的钝化接触结构，由于掺杂多晶硅层自身存在严重的寄生吸收，所以仅在TOPCon电池的背表面采用这种隧穿层和钝化层为了进一步降低掺杂多晶硅层自身寄生吸收对电池电性能带来的负面影响，通常采用能够域的磷掺杂多晶硅消融，激光图形方案通常采用平行于细栅线，因为主栅浆料不烧穿钝化膜，所以不考虑主栅激光规避位置。相比于常规的电池结构，该类电池的短路电流密度光面积占电池背表面积的90%～95%，这样的方案可以最大化的减少多晶硅对光的寄生吸5所述开孔区域包括形成在所述硅片本体背面上的第二背所述背面主栅电极所在的区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第三隧穿6所述开孔区域包括形成在所述硅片本体背面上的第二背所述背面主栅电极所在的区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第三隧穿7化镁中两者或三者的组合。优选地，所述正表面钝化层采用氧化铝+碳化硅的钝化叠层设本发明的制备方法在TOPCon太阳能电池的背面形成一种选择性多晶硅钝化接触[0047]本发明的具有选择性多晶硅层的钝化接触电池在减小多晶硅对光的寄生吸收的89线形成的消融宽度为W1，中心区域的载流子需要传输1/2*W1的距离即可到达掺杂多晶硅层导电特性类似金属，载流子在其上的传输电阻可以忽略不计，重掺杂多晶硅层被去除后会此区域载流子传输的电阻迅速增加，W1的宽度远小于W2的宽度，本方案可以显著降低载流子在激光扫描的高电阻区域的传输距离，降低载流子的传输损耗，有助于载流子可以更快有优势。能电池背部表面形成一种选择性多晶硅钝化接触结构；本发明采用的激光图形平行于细[0056]具体地，下面结合图1至图15对本发明制备多晶硅钝化接触电池的方法做进一步化硼，扩散的的峰值温度为1000~1100℃,硼扩散之后得到的碰掺杂发射极2的方块电阻值生成的硅片的背表面形成了隧穿氧化层3及磷掺杂多晶所述开孔区域5包括形成在所述硅片本体1背面上的第二背面钝化层所述载流子传输区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第二隧穿氧化层32、所述背面主栅电极9所在的区域包括依次形成在所述硅片本体背面上的第三隧穿的实施条件可以根据具体要求做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条机在模拟太阳能光源下测试标准光照功率下的电池光电转换效率以及相关