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一种大尺寸功率芯片无压低孔洞率焊接方法本发明公开了一种大尺寸功率芯片无压低线完成芯片焊接;最后采用X射线检测仪测定焊2应一个测试焊接温度,该测试焊接温度为T1+(20℃~60℃)范围内的一个点值,T1为焊料熔4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,预热阶段温度为(60%~5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,甲酸还原温度为(75%~8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其焊料熔点高于芯片峰值工作温度不少于50℃;%~34放置在真空钎焊炉内并设定加热板温度为T0;焊接过程中测量焊接样品基板表面测定温接样品对应一个测试焊接温度,该测试焊接温度为T1+(20℃~60℃)范围内的一个点值%~~240s。5~100%。例如焊片长度为芯片长度的80100焊片宽度为芯片宽度的80100%。%~6降低焊缝内部孔洞率。峰值温度为T1+(20℃~40℃)+Q,T1为焊料熔点,峰值温度10s~30s;焊接阶段真空度≤10mbar,真空保持时间10s~60s,氮气回填压力800mbar~[0049]冷却阶段通过水冷或风冷的方式降温使焊料凝固,降温速率40℃/min~60℃/[0052]芯片与基板间焊料层内部孔洞率可以采用X射线检测仪检测。本发明提供的方案与陶瓷覆铜基板(DBC)间的焊接问题,依照IGBT芯片工作温度在150℃~180℃的工作条件,选用厚度0.1mm的Pb92.5Sn5Ag2.5铅锡焊片(熔点:287℃),焊片尺寸与芯片尺寸相同为7板温度差值Q=20℃;[0059](5)焊接曲线确定:采用JFHKHJL/300型真空钎焊炉进行烧结,设定热板温度为350℃,测定基板表面样品温度为330℃,确定温度差值Q=20℃。依照Pb92.5

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