CN119492789A 幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器及其制备方法 （宁波大学）

幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器及本发明公开了幽门螺杆菌ureB分子印迹电金电极经4一氨基苯硫酚的乙醇、蛋白交联剂DTSSP的PBS缓冲液处理得到可裂解共价键固定幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器检测幽2步骤二、将可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE经ureB溶液孵育，得到ureB/后用乙酸溶液冲洗裂解后的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE，得到分子印迹聚合物电极步骤四、以饱和氯化钾为参比电极，铂丝电极为对电极，分子印迹聚合物电极ureB_2.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征3.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征4.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征5.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征6.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征7.根据权利要求1所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法，其特征38.一种根据权利要求1~6任一项所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备9.一种根据权利要求8所述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器的检测方法，B2、以Fe(CN)63_/4_作为氧化还原探针，用方波阳4长电极寿命；氨基还能与蛋白交联剂DTSSP两端的N一羟基琥珀酰亚胺活性酯结合，实现5[0009]步骤二、将可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE经ureB溶液孵育，得到ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE，再经DA功能单体溶液滴铸到ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE表面，[0014]步骤四、以饱和氯化钾为参比电极，铂丝电极为对电极，分子印迹聚合物电极联剂DTSSP的PBS缓冲液孵育时间为26[0023]本发明还提供上述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器制备方法制备的[0024]本发明还提供上述幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器对幽门螺杆菌的63/4作为氧化还原探针，用方波阳极溶出伏安法测量分子印迹聚合用寿命；4氨基苯硫酚中的氨基可以和蛋白交联剂DTSSP两端的N羟基琥珀酰亚胺活性酯7[0033]图1为根据本发明实施例提供的幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器制备方法图2为本发明根据一个实施例提供的幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器制备实施例6_1的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE、实施例7_1的分子印迹聚合物电极ureB_图5为本发明实施例6_1的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE、实施例7_1的分子印图6为本发明实施例6_1的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE和实施例7_1的分子印迹聚合物电极ureB_MIPs的能量色散X射线图7为本发明实施例8制备的幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器在检测ureB[0036]具体而言，图1为本申请实施例所提供的一种幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传8使用寿命；4氨基苯硫酚中的氨基可以和蛋白交联剂DTSSP两端的N羟基琥珀酰亚胺活性[0048]根据本申请实施例提供的一种幽门螺杆菌ureB分子印迹迹电化学传感器制备方法制备得到的幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器具备低9[0049]下面将通过一个具体实施例来阐述幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器制备40min，同样用PBS冲洗掉未完全结合的ureB，将0.25~0.35mM的DA功能单体溶液滴铸到ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE顶部，通过电化学聚合法形成ePDA薄膜，得到ePDA薄膜覆盖的ureB溶液和DA功能单体溶液处理，得到ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE，[0058]实施例1所用氯金酸原液来源于上海麦克林生化科技有限公司，CAS号为16903_本实施例所用的镀金电解液来源于实施例1制备的镀面后，取150μL镀金电解液移入丝网印刷电极的表面通过循环伏安法将金均匀的沉积到电本实施例所用的镀金电解液来源于实施例1制备的镀[0064]用超纯水润洗玻碳电极的表面后，取150μL镀金电解液移入丝网印刷电极的表面本实施例提供一种可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例中所用镀金电极来源于实施例2制备的[0067]将20μL100mM的4_氨基苯硫酚乙醇溶液移入镀金电极中孵育30min形成4_ATP/本实施例提供一种可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例中所用镀金电极来源于实施例3制备的[0069]将20μL100mM的4_氨基苯硫酚乙醇溶液移入镀金电极中孵育30min形成4_ATP/本实施例提供一种可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例中所用镀金电极来源于实施例2制备的[0071]将20μL80mM的4_氨基苯硫酚乙醇溶液移入镀金电极中孵育20min形成4_ATP/Au/SPE，并在80mL乙醇中涡旋2min以去除未结合的4_氨基苯硫酚，得到4_ATP/Au/SPE；在4_ATP/Au/SPE顶端滴铸8μL10mM的蛋白交联剂DTSSP的PBS缓冲液，孵育20min产生可裂解的本实施例提供一种可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例中所用镀金电极来源于实施例2制备的[0073]将20μL120mM的4_氨基苯硫酚乙醇溶液移入镀金电极中孵育40min形成4_ATP/本实施例提供ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例所用可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE来源于实施例4_1制备的可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE，所用DA功能单体溶液来源于实施例5制备[0076]将20μL0.16μM的ureB溶液滴铸在可裂解连接体修饰的电极DTSSP/4_ATP/Au/SPE上孵育30min，同样用1mLPBS冲洗掉未完全结合的ureB，得到ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE（循环伏安图如图4所示取150μLDA功能单体溶液滴铸到ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE顶部，通过电化学聚合法形成ePDA薄膜，得到ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SPE本实施例提供ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例所用可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE来源于实施例4_1制备的可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE，所用DA功能单体溶液来源于实施例5制备[0079]将20μL0.14μM的ureB溶液滴铸在可裂解连接体修饰的电极DTSSP/4_ATP/Au/SPE取150μLDA功能单体溶液滴铸到ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE顶部，通过电化学聚合法形成本实施例提供ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_ATP/Au/SP本实施例所用可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE来源于实施例4_1制备的可裂解共价键固定支架DTSSP/4_ATP/Au/SPE，所用DA功能单体溶液来源于实施例5制备[0082]将20μL0.18μM的ureB溶液滴铸在可裂解连接体修饰的电极DTSSP/4_ATP/Au/SPE取150μLDA功能单体溶液滴铸到ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE顶部，通过电化学聚合法形成本实施例提供分子印迹聚合物电极ureB_MIP本实施例所用ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE来源于实施例6_1制备的ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_[0085]将ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE放入15mL0.1M的2_巯基乙醇的空腔，得到分子印迹聚合物电极ureB_MIPs（循环伏安图如图4所示，扫描电镜图如图5所本实施例提供分子印迹聚合物电极ureB_MIP本实施例所用ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE来源于实施例6_1制备的ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_[0087]将ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE放入15mL0.05M的2_巯基乙醇的乙醇溶液中，以200r的速率搅拌5min处理印迹聚合物膜，以裂解DTSSP的S–S键并促进本实施例提供分子印迹聚合物电极ureB_MIP本实施例所用ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE来源于实施例6_1制备的ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/4_[0089]将ePDA薄膜覆盖的ePDA/ureB/DTSSP/ATP/Au/SPE放入15mL0.15M的2_巯基乙醇的乙醇溶液中，以200r的速率搅拌5min处理印迹聚合物膜，以裂解DTSSP的S–S键并促进本实施例提供一种幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感本实施例所用分子印迹聚合物电极ureB_MIPs为实施例7_1制备的分子印迹聚合采用方波伏安法测量氧化还原探针Fe(CN)63_/4_氧化还原电位峰变化以表明MIPs[0093]设置6个测试组，在每个测试组中，使用1mL去离子水冲洗分子印迹聚合物电极ureB_MIPs表面，使用含ureB样本处理幽门螺杆菌ureB蛋白分子印迹电化学传感器10min，的信号响应，绘制幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器在检测ureB浓度为100fg/mL_以ureB浓度的对数值作为自变量x，方波伏安法测量得到的氧化还原电位峰变化检测含ureB样本的氧化还原电位峰在0.2[0097]如表1所示，在100fg/mL_10ng/mL范围内幽门螺杆菌ureB分子印迹电化学传感器号与ure