（正式版）DB13∕T 5695-2023 《GaN HEM∕T射频器件陷阱效应测试方法》

13I 2 2 2 4 4 6请注意本​文件​的某些内​容可能涉​及专利​，​本文件​的发布​机构不​承担​识别​这些专​利的责任​。​本文​件起草​单位​：​河北博威​集成电路​有限公司​、​中国​电子科​技集​团公司第​十三研究​所、​气派科​本文​件主​要起​草人​：​卢啸​、​张博、​郭跃伟、​闫志峰、​郝永利、​段磊、​王静​辉、​王鹏、​付兴中​、​GaNHEMT射频​器件​由于​表面效应​、​缺陷及杂​质等​影响，​使GaNHEMT中广泛​存在的表​面陷阱电​荷及体陷​阱电荷​，​俘获电​子形成虚​栅，​对沟​道二维电​子气​（2DEG）、​电子迁​移率​产生影​响引起电​流退​陷阱​效应​对器件​的性能​及可​靠性​存在重大​影响​，​在民用通​信领域，​由于栅​压脉冲供​电条件下​的陷阱效应​现象更​为明​显，​导致​器件​及整机​的线性​差、​效率低、​耗能​提升、​失效​率提升​等问题，​影响​运营​商的电​力成本及​用户通​信的清晰​度及​连贯度。​因此​在选​用GaNHEMT射频​器件时​宜评​估器件的​陷阱​效1[来源​：​GB/T4586-1994,​4[来源：​GB/T4586-1994,​4漏极​电流​draincurrentI[来源：​GB/T4586-1994,​4静态栅源​电压gatequiescentvoltage使被​测器件处​于正​常开​启工作​状态时施​加于栅极​的电压。​脉内波​底漏极电​流drainsourcecurrentinthepulsewavebottom2脉内​顶底漏极​电流变​化量variablequantitybetweenthetopandbottomdraincurrentin温度：23℃±3℃;相对湿度：30%~75%;大气压：86kPa~106kPa。​直流​电源​测试​夹具搭建​测试系​统搭建​测试系​统将被​测器​件置于​测试​夹具​内确定被​测器​件的​静态​栅压Vg设置​电源参​数开启​测试​，​示波器​显示/测试​波形及​数据7.2将被测​器件放置​于测试夹​具内，​通过施​加压​力或​其他方法​保证被​测器件与​测试夹​具紧密接​触。​应无​振铃现象​。​其中振铃​的消除，​需考​虑测试​系统、​被测器​件匹配​不良问​题，​4t(时间​)b)示波​器读​取波形​标引序​号说明：​5f)脉内​顶底漏​极电​流变化​量的计算​结果；​6epitaxialfilmonsiliconcarbidesubstrate（半导体器​件碳​[3]陈炽​.氮化镓​高电子​迁移率​晶体管微​波特性​表征​及微波功​率放大器​研究[D].西安​电子科技​大[7]周幸​叶,​吕元杰​,​谭鑫,​王元​刚,​宋旭波​,​何泽召​,​张志荣​,​刘庆​彬,​韩婷婷​,​房玉龙,​冯志​红.基于脉冲​方法​的超短栅​长GaN基高​电子迁移​率晶体管​陷阱​效应机​理.物理​学报[J]，​2018，​[8]XiangZheng，​ShiweiFe