集成电路制造技术 课件 第七章 集成电路芯片制造实例_第1页
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文档简介

集成电路制造技术第七章集成电路芯片制造实例一、深埋N阱二、高压器件P阱三、高压器件N阱四、闪存器件P阱五、深埋N阱保护和基准逻辑器件制造六、本章小结第七章集成电路芯片制造实例一、深埋N阱单片机芯片器件构成二维横截面示意图在P型衬底中构建深埋N阱所有高压/闪存器件构建在N阱之上逻辑器件独立构建，避免干扰目的实现高压器件、闪存器件与逻辑器件之间的电气隔离结构示意第七章集成电路芯片制造实例浅沟槽隔离（STI）完成后，沉积氮化硅+二氧化硅保护层涂覆光刻胶，使用深埋N阱掩模曝光磷离子注入+高温退火，形成N型深埋层步骤生长氮化硅加二氧化硅保护层深埋N阱工艺第七章集成电路芯片制造实例二、高压器件P阱适用器件N型高压器件（如高压NMOS）工艺流程涂覆光刻胶使用高压P阱掩模曝光硼离子注入+退火激活高压器件P阱工艺第七章集成电路芯片制造实例三、高压器件N阱适用器件P型高压器件（如高压PMOS）工艺流程涂覆光刻胶使用高压N阱掩模曝光磷/砷离子注入+退火激活高压器件N阱工艺第七章集成电路芯片制造实例四、闪存器件P阱适用器件N型闪存晶体管（如FlashNMOS）工艺流程涂覆光刻胶使用闪存P阱掩模曝光硼离子注入+退火激活闪存器件P阱工艺第七章集成电路芯片制造实例深埋N阱上的闪存器件和高压器件器件制作完毕五、深埋N阱保护与逻辑器件制造去除保护层（二氧化硅+氮化硅）对NMOS栅极进行预掺杂（减少栅极耗尽）使用预掺杂掩模+离子注入步骤NMOS逻辑器件栅极预掺杂第七章集成电路芯片制造实例深埋N阱器件保护五、深埋N阱保护与逻辑器件制造沉积有机介质层，保护非逻辑区）使用逻辑区掩模曝光栅极图案化+刻蚀步骤逻辑电路器件栅极形成LDD、源漏注入、硅化物、ILD、金属化第七章集成电路芯片制造实例六、本章小结深埋N阱实现高压/逻辑/闪存器件隔离多阱区注入工艺确保器件性能优化逻辑区保

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