CN119493743A 存储器系统及操作方法、系统及操作方法和可读存储介质 （长江存储科技有限责任公司）

统包括存储装置和耦接至所述存储装置的控制根据所述读取命令访问对应的所述存储装置的2根据所述读取命令访问对应的所述存储装置的逻辑单元的数据将所述选中数据块对应的映射信息发送至主机；其中，所述映射如果所述读取命令访问的数据块不在所述热度表中，则在如果所述读取命令访问的数据块已在所述热度表中，则在根据所述热度表中所述数据块的热度信息，将被主机的读取命根据所述热度表中所述数据块的热度信息，按照所述数据块被所述控制器被配置为：接收主机的读取命令；根据所述读取命令访问对所述主机被配置为：发送读取命令和所述读取命令访问的选中数据块对应的映射信所述控制器被配置为：接收所述读取命令，并根据所述读取命令访问39.一种存储器系统的操作方法，其特征在于，所述根据所述读取命令访问对应的所述存储装置的逻辑单元的数据将所述选中数据块对应的映射信息发送至主机；其中，所述映射如果所述读取命令访问的数据块不在所述热度表中，则在如果所述读取命令访问的数据块已在所述热度表中，则在根据所述热度表中所述数据块的热度信息，将被主机的读取命块的数量达到所述热度表的预设深度的情况下，所述根据热度表中所述数据块的热度信根据所述热度表中所述数据块的热度信息，按照所述数据块被所述控制器接收主机的读取命令；根据所述读取命令访问对应的所述4所述主机发送读取命令和所述读取命令访问的选中数据块对所述控制器接收所述读取命令，并根据所述读取命令访问的选中机程序被执行时可以实现如权利要求15或16所述的系统5[0002]对于无动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)缓存(即，DRAM_less)的固态驱动器(SolidStateDrive，SSD)产品，通常将一部分映射关系表(LogicaltoPhysicalTable，L2PTable)保存在控制器的静态随机存取存储器(Static命令访问对应的所述存储装置的逻辑单元的数据块，更新热度表中所述数据块的热度信块被主机的读取命令访问的次数，将被主机的读取命令访问的次数最大的N个数据块均确6取命令访问的次数大于预设次数的数据块确定所述主机的存储器系统，所述存储器系统包括存储装置和耦接至所述存储装置的控制器；包括所述数据块被主机的读取命令访问的次数；根据所述热度表中所述数据块的热度信7[0033]下面将结合本公开实施方式及附图，对本公开实施方式中的技术方案进行清楚、8膝上型计算机等的移动设备的数据储存器以及企业存储阵列。控制器104还可以被配置为管理关于存储在或要存储在存储装置102中的数据的各种功能，中，控制器104还被配置为处理关于从存储装置102读取的或者被写入到存储装置102的数[0043]控制器104和一个或多个存储装置102可以集成到各种类9[0046]如图2所示，主机202可以是电子设备的处理器(例如，中央处理单元(CentralProcessingUnit，CPU))或者片上系统(SystemonChip，SoC)(例如，应用处理器人计算机存储器卡国际协会(PersonalComputerMemoryCardInternational所示，存储装置102可以包括存储单元阵列106和耦接至存储单元阵列106的外围电路108。存储串114包括串联耦合并且垂直地堆叠的多个存储单元112。每个存储单元112可以保持存储单元112可以是包括浮栅晶体管的浮栅类型的存储单元，或者是包括电荷捕获晶体管[0051]在一些实施例中，每个存储单元112可以是具有两种可能的存储状态并且因此可[0052]如图4所示，每个存储串114可以包括在其源极端处的源极选择晶体管(SourceSelectiveTransistor，SST)116和在其漏极端处的漏极选择晶体管(DrainSelective施例中，同一存储块(Block)110中的所有存储串114具有阵列共源极(ArrayCommon在一些实施例中，每个存储串114被配置为通过经由一个或多个漏极选择栅极线(Drain线128耦合，字线128选择存储单元112的哪一行受读取和编程操作的影响。在一些实施例[0054]需要说明的是，图4示意出的存储页即为物理页，指的是物理层面上一层存储单[0056]存储堆叠层134可以包括交替的栅极导电层136和栅极电介质层138。存储堆叠层134中的栅极导电层136和栅极电介质层138的对的数量可以确定存储单元阵列106中的存储单元112的数量。栅极导电层136可以包括导电材料，导电材料包括但不限于钨(W)、钴每个栅极导电层136可以包括围绕存储单元112的控制栅极，并且可以在存储堆叠层134的极选择栅极线122、或者在漏极选择栅极线124与源极选择栅极线122之间横向地延伸作为线122和漏极选择栅极线124将电压信号和/或电流信号施加到每个目标存储单元112以及从每个目标存储单元112感测电压信号和/或电流信号来促进存储单元阵列106的操作。外围电路108可以包括使用金属_氧化物_半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)技术形[0061]页缓冲器/感测放大器402可以被配置为根据来自控制逻辑单元410的控制信号从冲器/感测放大器402可以存储要被编程到存储单元阵列106的一个存储页130中的一页编器/感测放大器402还可以感测来自位线126的表示存储在存储单元112中的数据位的低功[0062]行驱动器406可以被配置为由控制逻辑单元410控制，并且选择/取消选择存储单还可以选择/取消选择并且驱动源极选择栅极线122和漏极选择栅极线124。如下文详细描述的，行驱动器406被配置为对耦合到(一个或多个)选中字线128的存储单元112执行擦除[0063]控制逻辑单元410可以耦合到上文描述的每个外围电路，并且被配置为控制每个器和地址寄存器，以用于存储用于控制每个外围电路的操作的状态信息、命令操作码(OP逻辑单元410接收的状态信息并且将其中继到主机。接口414还可以经由数据总线416耦合数据并且将其中继到存储单元阵列106或从存储单元阵列106中继或缓主机202发送的读取命令访问的数据块对应的映射关系表未保存在控制器104内的情况下，用主机性能提升器(HostPerformanceBooster，HPB)可以将一部分映射关系表保存在主读取命令访问的数据块对应的映射关系表发送至存储器系统100，从而可以提高数据读取现将一部分映射关系表保存在主机的主机存个存储平面(Plane)，每个存储平面可以包括多个存储块，每个存储块可以包括多个存储储的数据块对应的映射信息即为近期执行读取命令访问频率较高的数据块对应的映射信图9所示，详细地说明如何更新热度表中的热度信息以及如何在多个数据块中确定出选中数据块的管理编号(Region_id)和数据块被主机的读取命令访问的次数(Read_cnt)，数据将被主机202的读取命令访问的次数大于预设次数的数据块确定为[0085]本公开实施例对预设次数并未特殊的限定，可以根据实访问的次数，将被主机的读取命令访问的次数最大的N个数据块均确定为选中数据块；其[0089]示例性地，可以对热度表中全部数据块被主机的读取命靠后的N个的数据块确定为选中数据块；在全部数据块按照被主机的读取命令访问的次数可以不对热度表中数据块进行排序，直接将被主机的读取命令访问的次数最大的N个数据[0090]本公开实施例对N的具体数值并无特殊的限定，可以根据实际情况进行灵活的选[0091]本公开实施例提供一种系统，该系统200包括主机202和耦接至主机202的存储器写满时将命中次数最大的N个数据块确定为选中数据块；并且控制器将选中数据块对应的新增该数据块并且记录该数据块被主机读取命[0106]这里，由存储器系统100内的控制器104在多个数据块中读取命令访问的次数大于预设次数的数据块确定为选机程序被执行时可以实现如上述技术方案中的系统算机程序被执行时可以实现上述技术方案中的存构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本公开的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功用在其