CN119495625A 基板搬送装置和基板搬送方法 （东京毅力科创株式会社）

本公开说明一种基板搬送装置和基板搬送的周缘部进行吸附的吸引口；以及多个吸引通2搬送臂；至少一个臂部，所述至少一个臂部以从所述基部延伸多个吸附部，所述多个吸附部设置于所述至少一所述控制部构成为：基于所述第一传感器和所述第二传感器的检所述控制部构成为：基于所述第一传感器和所述第二传感器的检测结所述控制部构成为：在所述第一传感器和所述第二传感器的检测所述控制部构成为：在所述第一传感器和所述第二传感器的检一吸引通路和所述第二吸引通路中的另一方的吸引通路的压力为所述阈值以下的情况下，执行控制所述驱动部以使所述搬送臂以比所述第一速度慢的第二速在所述第一传感器和所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组的所3在所述第一传感器和所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组的所述驱动部以使所述搬送臂以比所述第一速度慢的第二速度移在所述第一传感器和所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组和所所述至少一个臂部包括从所述基部朝向相同方向延伸的作为一对的第一臂部及第二所述至少一个臂部包括从所述基部朝向相同方向延伸的作为一对的第一臂部及第二第二部分，其通过设置于所述搬送臂的贯通孔来与所述第一部所述至少一个臂部包括从所述基部朝向相同方向延伸的作为一对的第一臂部及第二4执行控制所述驱动部以使所述搬送臂以第一速度沿着所述Z并执行控制所述驱动部以使所述搬送臂以比所述第一速度慢的第二速度沿着所述X搬送臂；至少一个臂部，所述至少一个臂部以从所述基部延伸多个吸附部，所述多个吸附部设置于所述至少一多个吸引通路，所述多个吸引通路设置于所述至少一个臂部还具备构成为分别检测所述多个吸引通路中的压所述控制部构成为基于所述多个传感器的检测结果来执行由所述驱动部使所述搬送在所述多个传感器的检测结果是判断为由所述多个吸附部中的三个以上的吸附部的在所述多个传感器的检测结果是判断为由所述多个吸附部中的两个吸附部的所述吸在所述多个传感器的检测结果是判断为由所述多个吸附部中的一个以下的吸附部的16.一种基板搬送方法，由基板搬送装置具备的搬送臂对构成为对基板进行处理的多至少一个臂部，所述至少一个臂部以从所述基部延伸的方式多个吸附部，所述多个吸附部设置于所述至少一5第三工序，基于所述第一传感器及所述第二传感器的检测结在所述第一传感器及所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组的所在所述第一传感器及所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组的所在所述第一传感器及所述第二传感器的检测结果是判断为由所述第一吸附部组和所6[0002]专利文献1公开了一种设置于用于对半导体晶圆等基板进行处理的基板处理装置7[0032]首先，参照图1和图2来说明构成为对基板W进行处理的基板处理系统1(基板处理8面对的方式在X轴方向上排列。[0039]块G1包括至少一个薄膜处理装置U1。薄膜处理装置U1可以是向基板W供给处理液形成防反射膜的装置，该防反射膜是用于高效地进行以曝光处理为一例的光照射处理的块G2内沿上下方向及水平方向排列地配置。疏水化处理装置构成为对基板W的表面进行疏基板W的表面的感光性薄膜中的位于周缘部的部分进行曝光。疏水化处理装置和周边曝光动的搬送臂10。基板搬送装置3c可以包括用于进行该各方向上的移动的驱动机构DM(参照9可以构成为在同处理站3的一方相邻的空间与同其相反的一侧相邻的另外的空间之间直线由两个处理站3中的一方的基板搬送装置3c和两个处理站3中的另一方的基板搬送装置3c[0048]接口站4将处理站3与曝光装置进行连接以在处理站3与曝光装置(未图示)之间进行基板W的交接。曝光装置例如可以以位于接口站4中的与处理站3相反的一侧的方式与接[0053]以上的基板处理系统1具备控制器Ctr(控制部)。控制器Ctr构成为局部或整体地G2可以包括用于进行由搬送臂10保持基板W时的保持位置的修正的临时放置单元UT。构成接装置等)可以包括设置于与基板搬送空间3b相面对的侧壁的开口OP。基板搬送装置3c通[0060]至少一个搬送臂10构成为能够沿着基台3h的长边方向(X轴方向)进退。在基板搬[0063]如图4和图5所例示的那样，在一对臂部30中的一方的臂部30A(第一臂部)设置有连接孔31C、31D以贯通臂部30B的方式沿臂部30B的厚度方向延伸。连接孔31C配置于臂部[0065]四个吸附部40分别包括用于吸附基板W的背面Wb的周缘部Wc的吸引口41。四个吸大致中心的吸引口41。盘主体42经由密封构件44(例如O型圈)安装在设置于保持构件43的[0070]在保持构件43的基端部设置有圆柱状的连接部45。连接部45的内侧空间与流路[0071]如图4～图6所例示的那样，两个吸引通路50是设置于基部20及一对臂部30的凹[0072]两个吸引通路50中的一方的吸引通路50A(第一吸引通路)在搬送臂10的上表面S1[0074]两个吸引通路50中的另一方的吸引通路50B(第二吸引通路)在搬送臂10的上表面及第四通路57(第二部分)。第一通路54在基部20的上表面S1沿着基部20的宽度方向延伸。[0076]吸引泵P1经由配管D1来与第一通路51连接。吸引泵P1构成为基于来自控制器CtrP2经由配管D2来与第四通路57连接。吸引泵P2构成为基于来自控制器Ctr的控制信号进行过专用的电路(例如逻辑电路)或集成有该专用的电路的集成电路(ASIC：Application可以存储用于基板W的处理的处理条件(处理制程)的数据。存储部M2例如还可以存储由传[0086]处理部M3可以在判断为由吸附部40A～40D的吸引口41吸附着基板W的背面Wb的情M3可以在判断为由吸附部40A、40C的吸引口41吸附着基板W的背面Wb但没有由其余的吸引[0087]在由吸附部40A、40C的吸引口41吸附着基板W的背面Wb但没有由其余的吸引口41控制驱动机构DM以不使搬送臂10移动的处理。即，在处理部M3判断为没有由吸附部40A~[0089]处理部M3例如也可以基于传感器SE1、SE2的检测结果以及来执行由驱动机构DM使搬送臂10的移动速度变化的处理。该移动方向例如可以包括X轴方[0092]控制器Ctr的硬件例如可以由一个或多个控制用的计算机构成。如图10所例示的[0093]处理器C2可以构成为通过与存储器C3及存储装置C4中的储装置C4可以作为存储部M2发挥功能。驱动器C5可以是构成为分别驱动基板处理系统1的各部的电路。输入输出端口C6可以构成为在驱动器C5与基板处理系统1的各部之间对信号[0094]基板处理系统1可以具备一个控制器Ctr，也可以具备由多个控制器Ctr构成的控[0101]在控制器Ctr的判断结果是传感器SE1、SE2中的一方的检测压力为规定值以下的[0120](3)如图15所例示的那样，也可以设为，基板搬送装置3c通过吸引泵P1、传感器通路57在基部20的下表面S2沿着基部20的一通路51在基部20中的臂部30A侧沿着基部20的宽度方向延伸。第二通路52从第一通路51二通路55从第一通路54延伸到臂部30B的前端附近为止。第三通路56从第二通路55的中央通路50A在搬送臂10的上表面S1延伸。吸引通路50A从基部20中的靠臂部30A侧的区域延伸S2在基部20中的靠臂部30A侧的区域延伸的部分以及在上表面S1延伸到臂部30A的中央附引通路50B也可以以不与其它吸引通路50交叉的方式[0135]吸引通路50C在搬送臂10的上表面S1延伸。吸引通路50C从基部20中的靠臂部30BS2在基部20中的靠臂部30B侧的区域延伸的部分以及在上表面S1延伸到臂部30B的中央附引通路50D也可以以不与其它吸引通路50交叉的方式个吸附部40A～40D中的至少两个吸附部40的吸引口41处被吸附。即，即使基板W存在翘曲可以构成为与对应的吸引通路50A～50D连接，通过各吸引通路50A～50D使各吸附部40A~40D的吸引口41产生负压。另外，基板搬送装置3c也可以包括构成为分别检测各吸引通路感器的检测结果是由多个吸附部40中的两个吸附部40的吸引口41吸附着基板W的情况下，测结果是判断为第一吸引通路和第二吸引通路中的一方的吸引通路的压力高于规定的阈值、并且第一吸引通路和第二吸引通路中的另一方的吸引通路的压力为阈值以下的情况测结果是判断为由第一吸附部组的吸引口和第二吸附部组的吸引口吸附着基板的背面的的检测结果是判断为由第一吸附部组的吸引口或第二吸附部组的吸引口吸附着基板的背传感器和第二传感器的检测结果是判断为由第一吸附部组和第二吸附部组的吸引口中的一个以下的吸引口吸附着基板的背面的情况下，执行控制驱动部以不使搬送臂移动的处够防止在基板相对于搬送臂的保持性显著低的情况下设置于搬送臂的贯通孔来与第一部分连通，并且第二部分设置于搬送臂的另一方的主面第一速度沿着Z轴移动的处理，并执行控制驱动部以使搬送臂以比第一速度慢的第二速度置于至少一个臂部，并且多个吸附部分别包括对基板的背面的周缘部进行吸附的吸引口；[0154]例14.也可以是，例13的装置还具[0156]例16.基板搬送方法的一例是由基板搬送装置具备的搬送臂对构成为对基板进行的检测结果是判断为由第一吸附部组的吸引口和第二吸附部组的吸引口吸附着基板的背由第一吸附部组和第二吸附部组的吸引口中的一个以下的吸引口吸附着基板的背面的情