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在第一介质层上和第一停止层上形成第二介质2在第一介质层上形成第一停止层，所述第一停止层在第二介质层上形成掩膜结构，所述掩膜结构内具有第停止层为掩膜刻蚀所述第一介质层的工艺对第一停止层的刻蚀速率小于对所述第一介质3刻蚀所述第二介质层的工艺与以所述第一凹槽和第一停止层为掩膜刻蚀所述第一介质层20.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法4[0012]可选的，以所述第二开口为掩膜刻蚀所述第二介质层5开口为掩膜刻蚀所述第二介质层的工艺对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述底层结6质层105内形成第二金属层106，所述第一金属层104在衬底上的投影范围位于第二金属层[0036]所述半导体结构，所述第一金属层104和第一金属层104上的第二金属层106构成7[0047]所述第二停止层203的材料包括氮掺杂碳化硅(NDC)、氧掺杂碳化硅(ODC)或氮化所述第一开口暴露出部分所述第一介质层表面。所述第一停止层的形成过程请参考图3和[0054]所述停止材料层205的材料包括氮掺杂碳化硅(NDC)、氧掺杂碳化硅(ODC)或氮化[0058]以所述图形化的掩膜层206为掩膜刻蚀所述停止材料层205的工艺包括干法刻蚀8口213，所述第一开口208在衬底上的投影范围位于所述第二开口213在衬底上的投影范围[0063]所述掩膜结构包括：底层结构和位于底层结构上的光刻胶层212，所述第二开口[0064]在本实施例中，所述底层结构包括：衬垫层210和位于衬垫层210上的抗反射层[0065]所述衬垫层210的材料包括无定形碳；所述抗反射层211的材料包括介质抗反射[0071]请参考图7，以所述第三开口214为掩膜刻蚀所述第二介质层209，在第二介质层的工艺对第二介质层209和底层结构具有较大的刻蚀选择比，在先进技术节点下的第一凹[0074]请参考图8，以所述第一凹槽215和第一停止层207为掩膜刻蚀所述第一介质层9[0075]以所述第一凹槽215和第一停止层207为掩膜刻蚀所述第一介质层204的工艺对第一停止层207的刻蚀速率小于对所述第一介质层204的刻蚀速率。从而刻蚀第一介质层204述第一凹槽215和第一停止层207为掩膜刻蚀所述第一介质层204的工艺为同种工艺。从而和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组[0083]形成所述金属结构217的方法包括：在第一凹槽215内核第二凹槽216内形成金属[0085]所述半导体结构的形成过程中，通过先在第一介质层204上形成第所述第一停止层207内具有第一开口，再在第一介质层204上和第一停止层207上形成第二

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