CN119497371A 存储器及其制造方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）

开发区科创十街18号院11号楼四层所述第一子电极的所述第一表面和所述第二表子电极的所述第三表面和所述第四表面均被所2所述内电极包括相对设置的第一子电极和第二子电极，所述第所述第一子电极的所述第一表面和所述第二表面均被所述外电极至所述第二子电极的所述第三表面和所述第四表面均被所述外电极至少在一起形成第一环形体，所述第一环形体的内周面和外周面均被所述外电极至少部分包所述内电极在垂直于所述衬底并且平行于所述第一方向的平面上的位线，所述位线沿平行于所述衬底的第二方向延伸；位于同对所述堆叠结构进行图案化刻蚀，各层图案化的第一导电层包括位线刻蚀去除所述导电部的远离所述位线的一部分3在所述图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上沉积形成相对设置的第一在所述第一子电极和所述第二子电极的各自相背的两个表面上分别依次沉积介电质沿着朝向所述衬底的方向对所述堆叠结构进行图案化刻成沿着平行于所述衬底的第一方向延伸的第一沟槽和沿着所述第二方向延伸的第二沟槽；个所述第二沟槽之间在所述第一方向上具有两个间隔分布的所述第在图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上和所述第一沟槽的内壁上沉积采用第一绝缘层填满各所述第一沟槽并填满各所述刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第一沟槽的位于所述相邻两层第一绝缘层的相背的侧面上的第二导电层分别作为所述第一子电极和在所述第一环形体的内周面和外周面上分别依次沉积在所述第一沟槽内填满第一绝缘层，并使所述第二沟在所述第二沟槽中对图案化的堆叠结构中露出的第一绝缘层在所述第二沟槽的内壁上沉积所述第二绝缘层，并在所述第二沟槽内填满第一绝缘4刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一沟槽露出图案化的堆叠结构中的第在所述第一沟槽和所述第二沟槽的内壁上沉积第二绝缘层，以刻蚀去除所述第二沟槽内壁上的第二绝缘层，露出图案化的堆叠结构中的第一绝缘刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第二绝缘层，刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的刻蚀去除所述第一沟槽的内壁上露出的第二绝缘层和所述第二沟槽中露出的第二绝5[0002]半导体存储从应用上可划分为易失性存储器(RandomAccessMemory,RAM)以及存储器(Read_OnlyMemory,ROM)和非[0004]为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的存储单[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范[0009]所述第一子电极的所述第一表面和所述第二表面均被所[0010]示例性地，所述第一子电极与所述第二子电极可以连接所述第一环形体的内周面和外周面均被所述外电极至少6[0015]所述内电极在垂直于所述衬底并且平行于所述第一方向的平面上的截面轮廓为底部在平行于所述衬底的方向上的尺寸大于中部在平行于所述衬底的[0027]在所述图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上沉积形成相对设置的第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极构成所述电容器的内电极；所述第一子电极和所述第二子电极均具有相背的[0028]在所述第一子电极和所述第二子电极的各自相背的两个表面上分别依次沉积介于所述衬底的方向堆叠分布的多条位线连接的不同层的相邻两列存储单元构成一个存储中形成沿着平行于所述衬底的第一方向延伸的第一沟槽和沿着所述第二方向延伸的第二侧的多个导电部，所述第二沟槽用于将相邻两个存储重复单元在所述第一方向上间隔开；相邻两个所述第二沟槽之间在所述第一方向上具有两个间隔分布的7[0033]在图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上和所述第一沟槽的内壁上[0035]刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第一沟槽的内壁上的所述第二导电层，剩余位于相邻两层第一绝缘层之间的环形的第二导电层，述第一环形体的内周面和外周面均被所述外电极至少[0043]刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第二绝[0050]刻蚀去除所述第一沟槽的内壁上露出的第二绝缘层和所述第二沟槽中露出的第8两层图案化的第一绝缘层的露出的侧面上分别沉积第二导电层作为第一子电极和第二子[0064]图4A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在形成堆叠结构后在a_a’[0068]图5A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在形成第一沟槽和第二沟[0072]图6A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在第一沟槽和第二沟槽中9[0076]图7A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除第二沟槽内的第二[0080]图8A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除图案化的堆叠结构[0084]图9A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除图案化的堆叠结构[0088]图10A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除第一沟槽中靠近第[0092]图11A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除第一沟槽和第二沟[0096]图12A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在形成第二导电层后在a_[0100]图13A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除第一沟槽内壁上露[0104]图14A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在形成电容器的第三电极[0112]图16A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在形成通孔K后在a_a’方[0116]图17A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在通孔K内沉积半导体层[0120]图18A为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法在去除寄生MOS区域的半等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具[0138]常见的DRAM器件中的电容器结构为上下两个导电极板中不同电容器的下极板之间是独立设计的，每个下极板与一个晶体管器件的漏电极相连接，[0141]内电极43包括相对设置的第一子电极431和第二子电极432，第一子电极431具有相背的第一表面4311和第二表面4312，第二子电极432具有相背的第三表面4321和第四表[0142]第一子电极431的第一表面4311和第二表面4312均被外电极44至少部分包覆，以及第二子电极432的第三表面4321和第四表面4322均被外电极4体441，第二环形体441内部具有导电材料442，第二环形体441与导电材料442构成外电极氧化物(SiInZnO)、铝锌锡氧化物(AlZnSnO)、镓锌锡氧化物(GaZnSnO)、锆锌锡氧化物[0177]示例性地，所述栅电极的电极材料可以是如下不同类型材料中的任意一种或多(HfO2[0184]上述的存储单元可以是包含晶体管的存储单元，所述晶[0191]在所述图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上沉积形成相对设置的第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极构成所述电容器的内电极；所述第一子电极和所述第二子电极均具有相背的[0192]在所述第一子电极和所述第二子电极的各自相背的两个表面上分别依次沉积介两层图案化的第一绝缘层的露出的侧面上分别沉积第二导电层作为第一子电极和第二子于所述衬底的方向堆叠分布的多条位线连接的不同层的相邻两列存储单元构成一个存储中形成沿着平行于所述衬底的第一方向延伸的第一沟槽和沿着所述第二方向延伸的第二侧的多个导电部，所述第二沟槽用于将相邻两个存储重复单元在所述第一方向上间隔开；相邻两个所述第二沟槽之间在所述第一方向上具有两个间隔分布的[0198]在图案化的堆叠结构中的第一绝缘层的露出的侧面上和所述第一沟槽的内壁上[0200]刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第一沟槽的内壁上的所述第二导电层，剩余位于相邻两层第一绝缘层之间的环形的第二导电层，述第一环形体的内周面和外周面均被所述外电极至少[0209]刻蚀去除所述第一沟槽中靠近所述第二沟槽的部分区域的第一绝缘层和第二绝[0216]刻蚀去除所述第一沟槽的内壁上露出的第二绝缘层和所述第二沟槽中露出的第[0218]下面通过示例性实施例存储器的制造过程进一步说明本申请实施例的技术方案。[0219]图4A至图18E为本申请示例性实施例的一种存储器的制造方法的中间过程得到的结构的第一导电层。在W靠近衬底10的一侧与第一绝缘层11之间设置TiN可以防止W受到含[0225]示例性地，可以采用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺沉积或ALD工艺沉积W。在每次沉积钨层后，可以采用化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)工艺对钨层进行平坦交叉，交替堆叠的图案化的第一绝缘层11和图案化的第一导电层12构成图案化的堆叠结[0235]S30：在第一沟槽21和第二沟槽22的内壁(包括侧壁和底壁)和所述图案化的堆叠后采用CMP工艺对衬底10顶面的第一绝缘层11进行平坦化，直至露出衬底10顶面的第二绝缘层11的露出侧面和顶面均被第二绝缘层13覆盖，并在第二沟槽22内填满第一绝缘层11，该步骤沉积的第二绝缘层13在后续可以作为存储重复单元之间的隔离层和待形成的电容一方向上的长度等于待形成的电容器的内电极43[0243]S80：刻蚀去除第一沟槽21内壁上露出的第二绝缘层13和第二沟槽22中露出的第S80中可以作为阻挡层保护第二沟槽22侧壁上远离位线一侧的第二绝缘层13不会被刻蚀10表面上被第一绝缘层11覆盖的第二绝缘层13不会被刻蚀掉，可以作为支撑层(或框架述第二导电层可以为由Ti和TiN构成的双层蚀去除第一沟槽21中靠近第二沟槽22的部分区域的第一绝缘层11和第一沟槽21内壁上的后沉积的第一绝缘层11；然后采用湿法刻蚀去除第一沟槽21内壁上露出的第二导电层14，极43的第一子电极431和第二子电极432各自的两相背的个表面均被露出，第一子电极431和第二子电极432的露出的表面连接在一起形成环形内电极43的环形的内周面和外周面，在第一沟槽21的空白空间和所述电容器的空隙内填充第三导电层15，如图15A至图15D所TiN双层结构形成的第二环形体和第二环形体内的导电[0258]示例性地，第三导电层的材料可以为导电金属、导电金属的氮化物和多晶硅述第三导电层可以为由多晶硅(Poly)形成的单层[0261]S131：将衬底10顶面上覆盖在图案化的堆叠结构上的介电质层45和导电膜层(包括形成外电极时沉积上的导电膜层和第三导电层)断开，以防止电容器与后续形成的字线层12中的通孔K在衬底10上的正投影的[0269]沿垂直于衬底10的方向堆叠设置的两个晶体管之间由于存试剂来刻蚀ITO材料的栅电极层73，可以采用盐酸作为刻蚀试剂来刻蚀Al2O3材料的栅极绝41与第二电极42之间的半导体层80和栅电极71构成晶