CN119497389A 一种存储单元、其制作方法、存储器及电子设备 （华为技术有限公司）

素的亥姆霍兹自由能低于铁电层中的金属元素杂层中的金属元素的亥姆霍兹自由能不低于铁2电层中的金属元素的原子半径之差小于阈值，和/或所述第二掺杂层中的金属元素的价态与所述铁电层中的金属元素的原子半径之差不小于所述阈值，和/或所述第一掺杂层中的由能不低于所述铁电层中的金属元素的亥姆霍对所述初始膜层、所述第一掺杂层和所述第二掺杂层进行热处理，34材料与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)工艺5括多种金属元素时，这些金属元素中的部分金属元稳定在O相而展现出铁电性以形成铁电层，所以A类金属元素的作用包括促使铁电层的形成，这些金属元素中的另一部分金属元素(记为B类金属元素)则用于促使氧化铪形成T相，满足以下要求：第二掺杂层中的金属元素与铁电层中的金属元素的原子半径之差小于阈67兹自由能不低于铁电层中的金属元素的亥姆霍兹自由能；在介质层之上形成第一导电层。8题的原理相似，因此该制作方法的技术效果可以参见前述存储单元的实施例和技术效果，9功能的存储设备，诸如存储器，也可以适用于储器100可以是非易失性存储器。非易失性存储器可以是只读存储器(read_onlymemory，本申请描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类[0042]图2示例性示出本申请实施例适用的一种存储器100的内该读/写请求中携带有待读取/写入的目标存储单元的行地址信息和列地址信息。控制器开启目标存储单元所在的行对应的全部存储单元，之后译码该读/写请求中的列地址信息[0045]尽管图2中未示出，存储器100还可以包括其它部件，如主存数据寄存器(memory单纯的氧化铪材料本身很难体现出铁电相，而元素掺杂可以影响氧化铪的结晶和晶相形[0050]结合图5所示的原理图以及下面的表1所示，铁电层30a的制作材料可以但不限于一掺杂层30b时，如果第一掺杂层30b中的金属元素(如图5的a1中的y1所示)的亥姆霍兹自是高低否是低高元素(如图5的a2中的y2所示)的亥姆霍兹自由能不低于金属铪元素y0的亥姆霍兹自由能，说明第二掺杂层30c中的金属元素y2在运动时需要的能量较高，在介质层30中产生的缺陷30b中的金属元素y1的亥姆霍兹自由能低于金属铪元素y0的亥姆霍兹自由能，所以更容易于铁电层30a中的金属元素y0的亥姆霍兹自由能，所以在介质层30中产生的缺陷较少且缺结合的稳定性较低，进而容易引入较多的氧空位，同样对铁电层30a中材料的结晶影响较金属元素的原子半径之差不小于阈值、以及第一掺杂层30b中的金属元素的价态低于铁电其中一种价态低于铁电层30a中的金属元素的价态，则可以认为该种金属符合价态低于铁[0057]并且，以铁电层30a的制作材料包括氧化铪材料为例，氧化铪材料具有多种相结属元素(记为A类金属元素)用于促使氧化铪稳定在O相而展现出铁电性以形成铁电层30a，高低小于阈值，即第二掺杂层30c中的金属元素与铁电层30a中的金属元素的原子半径较接近，符合价态不低于铁电层30a中的金属元素的价22好高低22差低中22好高高好低高层10、介质层30和功能层20可以沿着垂直于衬底表面的方向(即图3和图4中所示的z方向)照图6所示，该第二种实施例中的存储单元与前述第一种实施例中的存储单元的结构基本填满通孔m2中未被介质层20占用的空间，这样可以简化存储单元的制作步骤和制作工艺，[0074]第四种实施例：图8为示例性地示出的本申请实施例中存储单元的制作方法的示[0084]第五种实施例：图9为示例性地示出的本申请实施例中存储单元的制作方法的示[0094](3)上述S2至S4中的形成的各个膜层均制作在通孔T内，如图11中的(c)和(d)所[0095](4)上述S4中形成的TiN膜层如果未将通孔T内的剩余空间填满，那么需要在形成