CN119497454A 太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片 （嘉兴阿特斯技术研究院有限公司）_第1页
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文档简介

一种太阳能电池片的制备方法及太阳能电层。因此去除第一掩膜层后形成上窄下宽的凹2依次在太阳能电池基片受光面的栅线区域、非栅线区域分别形4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池片的制备方法，其掩膜层的喷头电压小于所述第二掩膜层的喷头所述第二掩膜层通过喷墨打印工艺涂布，涂布温度80℃~100℃、涂布速度200mm/s~所述第一掩膜层的材料耐碱不耐酸，所述第二掩膜层的材料耐酸不耐碱所述第一掩膜层的材料、所述第二掩膜层的材料由固态转变为液态的融化温度不同，工艺为将太阳能电池基片加热至所述第一掩膜层的材料由固态转变为液态3[0010]进一步地，所述第一掩膜层的材料和/或成型工艺的成型精度大于所述第二掩膜[0012]进一步地，所述第一掩膜层与第二掩膜层的成型工艺符合如下条件中的至少一4蚀刻工艺为将太阳能电池基片加热至所述第一掩膜层的材料由固态转变为[0020]一种太阳能电池片，其栅线由上述任意一种所述的太阳能电池片的制备方法制5[0032]所述透明导电层可采用各种导电透明导电材料，如氧化铟锡透明导电层(Indium[0033]所述太阳能电池片的制备方法包括：S1依次在太阳能电池基片受光面的栅线区[0034]步骤S1中先在栅线区域形成所述第一掩膜层，底部的材膜层后形成上窄下宽的凹槽；故在所述凹槽内电镀形成的金属栅线也为上窄下宽的结构，[0036]考虑到所述栅线区域的第一掩膜层影响金属栅线的精度，而非栅线区域的面积[0042]一具体实施例中，所述第一掩膜层通过喷墨打印工艺涂布，涂布速度50mm/s~6掩膜层通过工艺精度较低的印刷或狭缝喷射工艺蚀刻工艺仅对所述第一掩膜层起作用，与所述第二掩膜层不反应或对第二掩膜层不起作[0054]1)选用N型硅片，电阻率在0.5Ω.cm～3Ω.cm，厚度为150μm～200μm，尺寸7型单晶硅片的第二表面的整个区域上形成本征非晶硅膜。然后将SiH4气体，H2气体和B2H68[0076]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可9

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