CN119507034A 单晶钛酸锶衬底的再生方法 (中国科学技术大学)_第1页
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文档简介

本公开提供了一种单晶钛酸锶衬底的再生的再生方法可以获得单一钛氧终止面的单晶钛2将外延完成后的样品置于水中溶解所述铝酸锶薄膜,并进行所述刻蚀处理后的钛酸锶衬底用去离子水清洗后,利用脉冲激光沉积技术在所述单晶钛酸锶衬底上沉积铝酸锶薄膜和钙钛矿型薄膜的3件应用的一个关键瓶颈来自于材料集成的挑战:氧化物器件与互补金属氧化物半导体[0003]随着自支撑氧化物薄膜技术的开发,氧化物能够在室温直接转移到半导体衬底4[0026]图6为本公开实施例1中再生的单晶钛酸锶衬底制备的钛铪酸钡薄膜的摇摆曲线5[0037]在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的6化铵氢氟酸缓冲液中氟化铵和氢氟酸的摩尔比例为7:1,在此比例下氟化铵氢氟酸缓冲7在单晶钛酸锶衬底上沉积生长8nm铝酸锶薄膜作为牺牲层。随后将温度升高至750℃,氧气离子水清洗1分钟,然后用氮气吹干。再将刻蚀处理后的钛酸锶衬底放入脉冲激光沉积为本公开实施例1中再生的单晶钛酸锶衬底的原子力显微镜图,图5为本公开实施例1中再8理的钛酸锶衬底放置于浓盐酸溶液中浸泡10min后,再在氟化铵一氢氟酸缓冲液中浸泡55理的钛酸锶衬底放置于浓盐酸溶液中浸泡10min后,再在氟化铵一氢氟酸缓冲液中浸泡559

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