CN119517137A 一种lpddr芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质 （深圳市晶存科技股份有限公司）

道福保社区市花路创凌通科技大厦三层本发明公开了一种LPDDR芯片的动态电压确LPDDR芯片的制程参数；根据所述制程参数确定型；根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR设数据表和所述制程参数确定LPDDR芯片的动态过LPDDR芯片的制程参数，确定LPDDR芯片的2根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的D在所述参数性能表征所述制程参数为电学性能参数的情况下，的所述制程参数配置为第一类型，和/或将指示负载元件电学性能的所述制程参数配置为在所述参数性能表征所述制程参数为物理性能参数的情况下，的所述制程参数配置为第三类型，和/或将指示负载元件物理性能的所述制程参数配置为在所述参数类型配置为第一类型的情况下，在所述预设数据在所述参数类型配置为第二类型的情况下，在所述预设数据在所述参数类型配置为第三类型的情况下，在所述预设数据在所述参数类型配置为第四类型的情况下，在所述预设数据根据所述制程参数和所述目标条目确定所述动态电压，所述动5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述制程参数代入所述电压计算公式进行计算后得到所述获取所述目标条目中所述第一类型的所述制程参数所对应的获取所述目标条目中所述第三类型的所述制程参数所对应的3获取所述第一电压的第一权重系数、第二电压的第二权重系数第二模块，用于根据所述制程参数确定参数类型，所述第四模块，用于根据所述DVFSC模式、所述预设数据表和所述制程理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行如权利要求1_7任一项所4[0004]有鉴于此，本发明实施例的目的是提供一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的D根据所述DVFSC模式、所述预设数据表和所述制程参数确定LPDDR芯片的动态电性能的所述制程参数配置为第一类型，和/或将指示负载元件电学性能的所述制程参数配性能的所述制程参数配置为第三类型，和/或将指示负载元件物理性能的所述制程参数配[0007]在一些可选的实施例中，所述根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的5[0009]在一些可选的实施例中，所述基于所述DVFSC模式在所述预设数据表确定目标条将所述制程参数代入所述电压计算公式进行计算后得到所述获取所述目标条目中所述第一类型的所述制程参数所对获取所述目标条目中所述第二类型的所述制程参数所对获取所述目标条目中所述第三类型的所述制程参数所对获取所述目标条目中所述第四类型的所述制程参数所对6[0015]实施本发明实施例包括以下有益效果：本发明实施例提供一种LPDDR芯片的动态[0016]图1是本发明实施例提供的一种LPDDR芯片的动态电压确定方法的步骤流程示意7[0024]通过分析制程参数与LPDDR芯片各项性能指标之间的关系来确定其所属类型，并用反馈后整理形成的。它记录了不同参数类型组合下，LPDDR芯片在各种工况中最佳的如LPDDR芯片的工作频率、负载情况以及具体的制程参数等。例如，在一种注重低功耗的示晶体管电学性能的所述制程参数配置为第一类型，和/或将指示负载元件电学性能的所述制程参数配置为第二类型；在所述参数性能表征所述制程参数为物理性能参数的情况关乎晶体管的开关速度和电流驱动能力，决定了LPDDR芯片的数据读写速度等电学性能指8完整性以及电能的损耗情况。将这些与负载元件电学性能相关的制程参数归为第二类型作模式和电压等参数。度上有助于提高LPDDR芯片的集成度，但也带来如散热问题或者在高频率工作时的物理稳工作模式和电压等参数更贴合LPDDR芯片实[0032]在一些可选的实施例中，所述根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的配置为第二类型的情况下，在所述预设数据表中搜索与所述第二类型相对应的第二模式，预设数据表中搜索与所述第三类型相对应的第三模式，将所述DVFSC模式配置为所述第三型相对应的第四模式，将所述DVFSC模式配置为所述第四模式，所述第一模式指示高频模9免因过高电压导致负载元件上电能消耗过大，同时将工作频率调整到一个合适的低频范[0035]第三类型参数聚焦于指示晶体管物理性能的制程参数，例如晶体管的物理尺寸、时，比如晶体管物理尺寸较小可能导致散热问题或者在高频率工作时的物理稳定性问题，预设数据表中查找与第四类型参数对应的第四模式，该模式为低频模式或不工作模式等。第四模式下的DVFSC策略会着重考虑负载元件物理性能对芯片的影响，例如根据金属层和域内进一步查找与当前芯片实际制程参数相匹配或者最接近的条目，该条目就是目标条[0039]在一些可选的实施例中，所述基于所述DVFSC模式在所述预设数据表确定目标条电压计算公式，并将LPDDR芯片的实际制程参数代入其中进行计算，以此来精确地确定方式将这些电压值整合起来，最终精准确定出适合芯片在特定工作模式（由DVFSC模式决[0043]第一类型制程参数是与晶体管电学性能密切相关的参数，例如晶体管的阈值电较高的载流子迁移率有助于实现快速的数据读写操作，提升芯片的工作频率和处理性能。标条目中，会明确给出在特定的DVFSC模式以及当前芯片第一类型制程参数所处的具体范[0044]在一些实施例中，在目标条目中根据过往对具有类似参数芯片在该DVFSC模式下尺寸较小、材料层贴合情况一般等结合在当前DVFSC模式下对芯片稳定性和电学性能的[0047]第四类型制程参数聚焦于指示负载元件物理性能的相关参数，像金属层的厚度、是第四类型制程参数的实际状态按照相关经验和测试数据，会对应设定第四电压0.7V[0052]第二权重系数（对应第二电压，与负载元件电学性能相关的制程参数对应的电整性要求较高或者功耗限制较为严格的应用中，负载元件电学性能参数的影响不容忽视，[0054]第四权重系数（对应第四电压，与负载元件物理性能相关的制程参数对应的电v-08，第四权重系数o=0.25，计算可得：动态电压b=1.2x0.3+0.25x1.0+02x0.9+0.25x0.8=0.99w。通过这管物理性能到负载元件物理性能等多方面的[0056]不同权重系数的设定使得各部分制程参数对应的电压在最终动态电压中所占的比重符合其对芯片整体影响的实际情况，避免了单一因素主导或者某些因素被忽视的问以及稳