CN119517741A 半导体结构的蚀刻方法 （联芯集成电路制造(厦门)有限公司）_第1页
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22.如权利要求1所述的半导体结构的蚀刻方法，其3.如权利要求1所述的半导体结构的蚀刻方法，其中还包含有形成掩模层位于该栅极6.如权利要求4所述的半导体结构的蚀刻方法，其中在形成该第二氧化层之后直到进8.如权利要求7所述的半导体结构的蚀刻方法，其中该磷酸溶液中所包含有的硅酸浓9.如权利要求7所述的半导体结构的蚀刻方法，其中该磷磷酸溶液对于蚀刻氮化层与蚀刻氧化层的蚀18.如权利要求16所述的半导体结构的蚀刻方法，其中还包含有形成掩模层位于该栅34形成图案化的材料层或是作为清洁步骤。蚀刻品质的好坏也直接影响到半导体元件的良氮化层并且保留氧化层，其中蚀刻步骤中，蚀刻氮化层与蚀刻氧化层的蚀刻选择比大于5别为NMOS栅极12A与PMOS栅极12B。NMOS栅极12A与PMOS栅极12B各自包含有栅极氧化层14，分14A是在栅极导电层16形成之前就先形成，而沿着垂直方向延伸的栅极氧化层14的侧壁部分14B则是在栅极导电层16形成并且被图案化之后，另外以一氧化步骤在栅极导电层16厚度大于PMOS栅极12B所包含的掩模层20的厚度。第二氮化硅层22则位于第一氮化硅层18氮化硅层18以及掩模层20的顶面与侧边，而PMOS栅极12B所包含的第二氮化硅层22则仅覆6作为晶体管的源/漏极使用。氧化层26以及一氮化层28，氧化层26的材质包含氧化硅，且较佳而言具有一L型的剖面轮基底10上包含有两个不同型态的栅极结构彼此相邻，例如分别为NMOS栅极12A与PMOS栅极7或蚀刻步骤E2中的热磷酸溶液中包含的硅酸浓度约在2ppm以下。根据申请人的实验结果，[0039]申请人发现，蚀刻步骤E3相较于蚀刻步骤E1与蚀刻步骤E2具有更高的蚀刻选择数使其蚀刻选择比提高至300以上，但此变化并非简单调整蚀刻参数可达到。原因如上所此硅酸浓度下也同时导致蚀刻液的蚀刻选择比8实施例中的蚀刻液中的硅酸浓度在一定范围内(即接近析出的临界值但未超过析出临界[0050]在本发明的其中一些实施例中，其中磷酸溶液中所包含有的硅酸浓度高于9掩模层20)与第二掩模层(PMOS栅极12B的掩模层20)均[0063]以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均

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