湖南大学微电子电路期末考试题场效应PPT课件_第1页
湖南大学微电子电路期末考试题场效应PPT课件_第2页
湖南大学微电子电路期末考试题场效应PPT课件_第3页
湖南大学微电子电路期末考试题场效应PPT课件_第4页
湖南大学微电子电路期末考试题场效应PPT课件_第5页
已阅读5页，还剩5页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、场效应管的符号及特性,场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。,结型场效应管,N 沟 道,P 沟 道,图 各类场效应三极管的特性曲线,绝缘栅场效应管,N 沟 道 增 强 型,N 沟 道 耗 尽 型,绝缘栅场效应管,P 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 增 强 型,四种MOS管的比较：,1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电路中的最高电位上。对于N沟道器件

2、， VDD必为正值，衬底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。,2.5.3 场效应三极管的参数和型号,一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对 值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。,(2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off

3、) 时,漏极电流为零（微小电流）。,(3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对应的漏极电流。,(4)直流输入电阻RGS（DC） 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管， 反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109 1015。,二、交流参数 (1)低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，即 uGS对iD的控制作用。,(3)输出电阻rd：,(2)极间电容：三个极间均存在电容。,gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。,三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM：,正常工作漏极电流上限值。,

4、(2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS,最大栅源电压U(BR)GS,(3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。,2.5.4 双极型和场效应型三极管的比较,双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S(有的型号)可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS() 电压控制电流源VCCS(gm),双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论