基本放大电路电路

1、实验5基本放大器电路实验5.1 NPN晶体管偏压电路一、实验目的1.测量NPN管偏压电路的静态工作点。2.估计电路的基极偏置电压Vb，并将测量值与计算值进行比较。3.估算发射极电流Ie和集电极电流Ic，并将测量值与计算值进行比较。4.估计设定发射电压Vce，并将测量值与计算值进行比较。5.根据电流读数估算DC电流放大系数。6.测试部分电压偏置电路的稳定性。二。实验设备2N390 4 NPN三极管1 20V DC电源1 DC电压表20 10mA DC安培计2 0 50A DC安培计1电阻66012k2 10k1三。实验准备NPN管偏压电路如图5-1所示。在晶体管的输出特性曲线上，DC负载线和水平

2、轴的交点是集电极电流Vceo=Vcc，集电极电流等于零，与垂直轴的交点是集电极电流ICO=VCC/(RC RE)，集电极电流等于零。图5-1部分电压偏置电路放大器的静态工作点Q通常位于DC负载线的中点附近，由静态集电极电流Icq和静态设置发射极电压Vceq决定。当流经上偏置电阻R1和下偏置电阻R2的电流远大于基极电流时，基极偏置Vb由R2和R1的分压比决定VB=R2Vcc/(R1R2)发射极电流Ie可以通过发射极电压Ve除以发射极电阻re得到，ve=vb-vbe，因此Ie=(维也纳-Vbe)/Re静电集电极Icq大约等于发射极电流IeIcq=Ie-IbIe静态设定发射电压Vceq可以通过克-希

3、霍夫电压定律来计算。因此Vcc=IcRc Vceq IeRe因为Icq=Ie，所以VceqVcc-Icq(Rc Re)晶体管的DC电流放大系数可以通过静态集电极电流与基极电流之比来计算=Icq/Ibq四.实验步骤1.在EWB平台上建立如图5-1所示的部分电压偏置电路。单击模拟电源开关激活电路进行动态分析。2.记录集电极电流Icq、发射极电流Ie、基极电流Ibq、集电极-发射极电压Vceq和基极电压Vb的测量值。Ie=3.929mA毫安Icq=3.929mA毫安Ibq=0.022mA毫安Vceq=9.593V伏Vb=3.292V伏3.估计基极偏置电压Vb，并将计算值与测量值进行比较。VB=V2

4、* R3/R1 R3=3.33伏基本相同4.取Vbe的近似值为0。7V，估算发射极电流Ie和集电极电流Icq，并将计算值与测量值进行比较。ie=(VB-vbe)/R4=4ma ICQ=ie-IBie=4ma基本相同。5.设定发射电压Vceq由Icq估算，并将计算值和测量值进行比较。ICQ=ie-IBie vceqVCC-ICQ(rcre)=9.36v基本相同6.电流放大系数由Icq和Ibq估算。=Icq/Ibq=1797.点击晶体管T，下拉电路菜单电路选择模式命令模型，选择晶体管2N3904。在显示2N3904参数表的晶体管模式对话框中，单击编辑按钮编辑。将表中的正向电流增益系数(即)从204

5、改为100，然后点击“接受”按钮，测试晶体管参数变化对分压电路工作点的影响。单击模拟电源开关执行动态分析。记录集电极电流Ic、基极电流Ib和集电极-发射极电压Vce。8.比较Ic、Ib和Vce的新旧值，分析值变化对静态工作点的影响。Ic=3.888mA毫安Ib=0.038mA毫安Vce=9.735V伏减少Ic减少，Ib增加，Vceq增加9.将值更改为204，然后单击“接受”。五、思考与分析1.将静态工作点设置在DC负载线的中点附近有什么好处？在这种状态下，静态点的动态范围很大。2.静态工作点的估计值和测量值之间的比较是什么？基本相同3.当晶体管的值改变时，偏压电路的静态工作点能稳定吗？不能实验

6、5.2射极跟随器一、实验目的1.测量共极放大器(射极跟随器)基极和发射极的DC电压，并将测量值与计算值进行比较。2.测量射极跟随器静态工作点在DC负载线上的位置。3.测量射极跟随器的电压增益，并将测量值与计算值进行比较。4.测量发射器的输入电阻5.测量射极跟随器的输出电阻。6.观察发射极跟随的输出和输入电压波形之间的相位差。二。实验设备2N3904 NPN三极管1一个10V DC电源电容器：1F 1，100F 1一个示波器一个信号发生器一个数字万用表电阻：5001、5k1、10k1、20k2、50k1三。实验准备如图5-2所示，发射极跟随器(共集电极放大器电路)的集电极电流Vce等于Vcc，并

7、且Vce在三极管输出特性中的DC负载线和水平轴的交点处等于零。工作点Q位于DC负载线上，由静态下的集电极电流Icq和集电极-发射极电压Vceq决定。公共设置放大器电路的基极偏置电压Vb可以通过上偏置电阻和下偏置电阻的分压比来计算。当RER1，放射电流集电极电流电压增益Av是输出电压峰值Vop与输入电压峰值Vip的比值对于电压跟随器，电压增益可以通过以下公式计算其中：等效交流负载晶体管输入电阻电压跟随器的输入电阻四.实验步骤1.在电子工作平台上建立如图5-2所示的拍摄装置跟随器实验电路、信号发生器、数字万用表和示波器。2.单击模拟开关运行动态分析。双击万用表图标，调出仪器虚拟面板，记录基极偏置电

8、压Vbq，将万用表测试杆移至节点ve，测量并记录发射极偏置电压Veq，然后将测试杆移回节点Vb。Vbq=9.34V伏Veq=8.609V伏3.根据R1、R2和电压Vcc计算静态基极偏置Vbq。=20*20/(20 20)=10V4.设置Vbe=0.7V，以估计静态发射极偏置电压Veq和电流Ieq。Veq=Vb-Vbe=9.3V Ieq=Veq/660=1.41毫安5.估计静态工作点Q，即Ibq、Icq和Vceq。Icq=Veq/Re=1.41Ma Ibq=Icq/B=0.07Ma Vceq=20-Ieq * 660=10.7V6.将万用表的虚拟面板缩小为一个图标，以避免阻塞示波器屏幕。单击模拟

9、开关进行动态分析。记录峰值输入电压Vip和输出电压Vop，并记录输出和输入波形之间的相位差。7.根据步骤6中的读数计算射极跟随器的电压增益Av。Av=Vb1-VA1=989.9/999.8=0.998.计算三极管的输入电阻Rbe和等效交流负载电阻R1，并计算发射极跟随器的电压增益Av。电压跟随器的输入电阻=8.6K晶体管输入电阻=4.006k等效交流负载=500 * 660/(500 660)=284.5=201 * 284.5/4006 201 * 284.5=57184.5/61190.5=0.9359.在节点Vi和电容C1之间插入一个10k电阻。将示波器探头移至Vb节点。点击模拟电源开关

10、进行动态分析。记录输入电压峰值Vip和基极电压峰值Vbp，必要时调整示波器。Vip=999.8V伏Vbp=0.4537V伏10.根据步骤9中的读数，计算输入电流峰值Iip，并用Vbp和Iip计算射极跟随器的输入电阻Ri。iip=Vbp/Rl =1.6毫安vbp * 1.414/Iip=14k11.将电流放大系数设置为200，计算三极管的输入电阻Rbe，并结合偏置电阻R1和R2计算发射极跟随器的输入电阻Ri。rbe=R1/R2/R3 *(1)10=19.30312.移除插入的10k电阻，连接短路，恢复电路的原始外观。将示波器探头移至输出端V0，并将负载电阻RL改为50k。单击模拟开关再次运行动态分析。记录输出电压的峰值Vop。然后逐渐减小RL的电阻值，直到当RL为50k时，输出电压的峰值减小到初始值的一半，此时RL的值等于射极跟随器的输出电阻R0。五、思考与分析1.基极偏置电压Vbq的测量值与计算值相比如何？基本相同。2.发射极偏置Veq的测量值与计算值相比如何？基本相同。3.静态工作点Q是否靠近DC载重线的中间？是4.射极跟随器电压增益Av的测量值与计算值相比如何？Av是否大于1？基本上一样不到一个5.射极跟