集成电路设计基础复习

1、1. 在P衬底硅片上设计的PMOS管可以分为n+层、SiO2层、多晶硅层、金属层和N井层。2. 在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R为它成为（方块电阻）。3. MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的（电容值）。4. 对于NMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（），不能使用或K来表示。5. 对于PMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（），不能使用或K来表示。6. 对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（），只能有ID和过驱动电压表示。7. 对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（），只能有ID、W、L以及工艺参数表示。8. 根据MOS管特征曲线划分的四个工

2、作区域，可以作为MOS电阻的区域为（深度三极管区）。9. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。10. 对于NMOS而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（VDS小于VGS-VTH）。11. 差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。12. 分析MOS共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。13. 差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。14. 共源共栅电流镜如下图所示，当VX电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）先退出饱和区。1. 根据MOS管

3、特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（ B ）。 A 线性区 B 饱和区 C 截止区 D 三极管区2. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为MOS电阻的区域为（ A ）。 A 深度三极管区 B 饱和区 C 截止区 D 放大区3通常要形成N型半导体需要在本征半导体中掺入（ A ）杂质。A 磷 B 硼 C 碳 D 铝4通常要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入（ B ）杂质。A 磷 B 硼 C 碳 D 铝5. 在P衬底工艺下，PMOS管的导电沟道是由N井中的（ B ）形成的。A 自由电子 B 空穴 C 负电荷 D 正电荷6. 在P衬底工艺下，NMOS管的导电沟道是由P

4、衬底的（ A ）形成的。A 自由电子 B 空穴 C 负电荷 D 正电荷7. 对于NMOS而言，工作在饱和区的外部条件为（ A ）。A VGS大于VTH，VDS大于VGS-VTHB VGS大于VTH，VDS小于VGS-VTHC VGS小于VTH，VDS大于VGS-VTHD VGS小于VTH，VDS小于VGS-VTH8. 对于NMOS而言，工作在三极管区的外部条件为（ B ）。A VGS大于VTH，VDS大于VGS-VTHB VGS大于VTH，VDS小于VGS-VTHC VGS小于VTH，VDS大于VGS-VTHD VGS小于VTH，VDS小于VGS-VTH9. 在集成电路设计中，由MOS管物理特

5、性制作的MOS电容，导电沟道形成后，其电容值等于（ C ）。A WCov B (2/3)WLCox+WCov C CoxWL D (1/2)WLCox+WCov10. 在集成电路设计中，无源器件扩散电阻R= R(L/W)，其中R是由工艺（ A ）所决定的。A 单位面积上的电阻 B 输出电阻 C 输入电阻 D 交流电阻11. 下图为共模差分放大电路，M1和M2之间存在失配，下列哪种情况不会引入差模增益（ D ）。A W/L失配B VTH失配C RD失配D 尾电流源ISS的内阻不是无穷大12. 电流镜如图所示，已知(W/L)1=(W/L)0，(W/L)2=2(W/L)0，(W/L)3=3(W/L)

6、0，(W/L)4=4(W/L)0，问I1和I4的电流等于（ B ）A I1=IREF，I4= 4IREFB I1=IREF，I4= 8/3IREFC I1=2IREF，I4= 4/3IREFD I1=2IREF，I4= 2IREF1. 用流程图的表达方式说明模拟集成电路的设计流程。2. 说明下图差分放大电路的缺点，并画出改进后的差分电路图。1. 负载式共源放大电路如图所示，假定M1工作在饱和区，其特性参数为：W/L=50m/1m,nCox=1.3410-4A/V2,=0.05V-1。静态时的漏电流ID=2mA；RD=2k；考虑沟道长度调制效应和体效应；求：（1）画出等效电路图；（2）计算小信号

7、电压增益和输出电阻；GNDgmVGSroRDvinvout2. 电路如图所示，已知(W/L)1=40，I1=1mA，IS=0.75mA，nCox=1.3410-4A/V2, pCox=3.8410-5A/V2，VTHN=0.7V，VTHP=-0.8V, 当M1工作在饱和区和三极管区的临界上时，忽略沟道长度调制效应和体效应。求：(W/L)2。M1工作在三极管和饱和区边界，M2工作在饱和区可以得到下面四组方程式 1. 已知电路如下图所示，忽略沟道长度调制效应和体效应，VDD=3V，R1=R2，VTH=-0.8V，Vx从0V变到3V，画出Ix和Vx的函数曲线草图。注意临界点的Vx数值要标注。1.4v3vIxVx2. 已知电路如下图所示，忽