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文档简介

1、核磁共振H谱（化学位移）,目录,1,2,3,4,5,化学位移的产生,化学位移的表示方法,影响化学位移的因素,常见基团的化学位移,例题分析,1、化学位移的产生,电子屏蔽效应,氢核周围存在不断运动着的电子，在外磁场的作用下，运动着的电子产生一个会与外磁场方向相反的感应磁场，抵消了部分外磁场的作用，使核受到的外磁场作用减小，起到屏蔽作用。,在有机化合物中，氢核受核外电子的屏蔽作用，使其共振频率发生变化，即引起共振吸收峰的位移，这种现象称为化学位移。（不同的氢核，所处的化学环境不同，化学位移的值也不相同。）,2、化学位移的表示方法,如定义中所提到的，不同的氢核，所处的化学环境不同，出峰位置也不同，其峰

2、的位置不便精确测定，故在试验中采用某一标准物质作为基准，以基准物质（通常以TMS作为基准物质）的谱峰位置作为核磁谱图的坐标原点。,计算方程式,抗磁屏蔽：原子核外的电子在外加磁场的感应下产生抗磁场，使原子核实受磁场稍有降低，故此屏蔽称为抗磁屏蔽。设以固定的电磁频率扫描磁场强度的方式作图，横坐标由左至右表示磁场强度增加的方向。若某一官能团的氢核抗磁屏蔽较大，则所需磁场强度更强，故可推断出此谱线在其他官能团谱线的右方（即相对高场的位置）。即谱线为的场强为右高左低,3、影响化学位移的因素,3.1、诱导效应,与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，质子周围的电子云密度越小，屏蔽作用减弱，信号峰在低场

3、出现。,诱导效应是通过成键电子沿键轴方向传递的，取代基距离越远，诱导效应越弱。,多取代基对化学位移的影响。,3、影响化学位移的因素,3.2、S-P杂化,从SP3（碳碳单键)到SP2（碳碳双键）S电子的惩罚从25%增加到33%，键电子更靠近碳原子，因而对相连的氢原子有去屏蔽作用，即共振位移移向低场。,3.3、磁各向异性,屏蔽区：感应磁场与外磁场方向相反的区域； 去屏蔽区：感应磁场与外磁场方向相同的区域。 如图，双键的H处于去屏蔽区，故其处于低场。 化学位移为4.5-5.1,3、影响化学位移的因素,3.3、磁各向异性,如图，三键是直线构型，H所处感应磁场方向与外磁场方向相反，处于屏蔽区，故其处于高场。 化学位移为2-3.,如图，苯上的六个电子产生较强的感应磁场，H位于去屏蔽区，处于低场。 化学位移为6.8-8.,3、影响化学位移的因素,3.4、氢键的影响,键合在杂原子（N、O等）上的质子易形成氢键。氢键质子相比于没有形成氢键的质子有较小的屏蔽效应，共振吸收峰出现在低场。,3.5、温度的影响,3.6、溶剂效应,温度：大多数信号的共振位置受温度影响很小，但-OH、-NH和-SH在升高温度时形成氢键的程度降低，化学位移移向高场。,溶剂效应：溶剂的磁各向异性和溶质与溶剂之

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