光伏行业常用术语#严选优质

1、ingrot-acylindricalsolidmadeofpolycryinstalline或singlecrystalsiliconfromwhichwaferersarecut晶锭-多晶或单晶圆柱体，晶圆被切断。laser light-scattering事件- asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonwafer激光散射-由晶片表面缺陷引起的脉冲信号。lay-themaindirectionofsurfacetextureonawafer层-晶片表面结构的主要方向。光点补偿(lpd ) (非首选)； see本地化灯光客户机)点缺陷(LPD

2、 ) (不推荐，请参见局部光散射)lithography-theprocesusedtotransferpatternontotwaers从光刻格拉夫-掩模到晶片的转印工艺。本地化光源er-onefeatureonthesurfaceofwafer，suchasapitorascratchthatscatterlight.itisalsocalledlightpointdefect局部光散射-由于晶片表面的特征，例如坑或伤痕，光散射，也称为点缺陷。lot-waferersofsimilarsizes和characteristicplaced是一体的批次-将具有相同尺寸和特性的晶片合并为一个载体

3、进行定径套。大型运营商- a运营商、以太网电子产品规范、以太网电子产品在类型区域中的使用。多数载体-半导体材料中占支配地位的空穴和电子，例如n型中为电子的载体。机械制造工具- asiliconwaferusedfortestingpurposes机械测试晶片-测试用晶片。微roughness-surfrusergushingwithspansingtheimpurities和ameasurementoflessthan100m。微粗糙度-小于-100m的表面粗度部分。Miller Indices，ofacyiryinstalllingographicclane-asystemthaturize

4、sterbendetoidentifyplanorientationinacrystalMiller搜索指数-确定并行面的三个整数。 这些个的整数是来自同一系统的基本向量。miniminialconditionsordimensions -健康标准文件夹determiningwhetheronotawaferisconsideredacceptable。最小条件或方向-判断晶片是否合格的允许条件。少数派载体，eitheraheraheorenthatisnotdmintinaspecificationationationationationationationationationationat

5、ion ation在少数载流子半导体材料中不支配的移动电荷，在p型中是电子，在n型中是空穴。mound-araiseddefectonthesurferofawafermeasuringmmorethan0. 25毫米层叠-晶片表面超过0.25的缺陷。notch-aninintnontheedgeofawaferusedfororientationpurposes凹槽-用于定位晶片边缘的晶体取向的小凹槽。orange peel-aroughenedsurfacethatis出现在unaideeye中桔梗-肉眼可见的粗糙表面正确的我的定向- -垂直角取向误差-particle-aslecompe

6、rformationawaferthatisnotconnectedwithit粒子-晶圆上的小物质。粒子计数- waferersthareusedtotesttoolsforparticlecontamination粒子计算-用于测试晶片粒子污染的测试工具。paticulate contamination-paticalleconthesurfaserfofawafer.patiaparasblithposwhenaccollineatedlightisshinedonthefwafer粒子污染-晶片表面的粒子。检测到pit-anon-removableimperfrf部分深坑-晶片表面无法

7、去除的缺陷。点缺陷- acrystaldefectthatisanimpurity、suchasalatticevacancyoraninterstitialatom点缺陷-非纯晶体缺陷，如晶格缺陷或原子空隙。首选项技术-优先蚀刻-权利金功率因数校正(wafer-awaferthatcanbeusedforparticlecounting，mesimentingpatternresolutioninthephotolithographyprocess )，以及此功率因数校正(wafer )测试晶片-复印过程中用于计算粒子、测定溶解度、检测金属污染的晶片。 对该晶片的具体应用有严格的要求，但比主

8、晶片的要求宽松。一次旋转方向平坦主定位边-晶片上最长的定位边。关工艺试验字验证连接beusedforprocesses。加工测试晶片-用于区域清洁中的晶片。轮廓仪- atoolthatisusedformeasuringsurfacetopography表面形态-用于测量晶片表面形态的工具。resitivity (电气)-theamountofdifficultythatchargecarriershaveinmovingthroughoutmaterial电阻率(电面) -材料抵抗或抵抗电荷的物理特性。required-theminitionspecificationsneedbythecu

9、stomerwhenorderingwaers必需-订购晶片时客户必须达到的最低规格。22222222222222222222222222222222222222222222粗糙度-晶片表面的间隙小的肌理构成。saw标记-表面规则锯痕-表面不规则。扫描方向-互动式计算，指向所附子站点的方向。在扫描方向-平面度测量中，是局部平面的方向。扫描器站点平面-局部平坦度扫描仪-scratch-amarkthatisfoundonthewafersurface伤痕-晶片表面的痕迹。次要平面- aflatthatissmallrtheprimirearyonteofthisflat.thepationoft

10、hiffthewaferis，andalsotheoreationofthewaferer在比第二定位边-主定位边小的定位边，其位置决定晶片的种类和结晶的方向。形状-形状-site-anareationthefrentsurfathasssidsparticallandperpendicallortotheprimaryorientationflat.(thisareationala局部表面-与晶片前面的主定位边平行或垂直的区域。site array-aneighboringsettingofsites局部表面系列-一系列相关的局部表面。站点平面-局部平面-剥离校验特性软件程序。伤-晶片表面的

11、小皱纹引起的缺陷。smudge-adefectorcontrannitiationforthewafercausedbyfingerprint污垢-晶片上的指纹引起的缺陷或污染。Sori -striation-defects或contaminations在形状螺旋中检测到条痕-螺纹缺陷或污垢。Subsite、ofsite-anareafoundinthsite、also rectangular.thecenterofthesubsitemustbelocatedwithintheoriginalsite部分子表面-部分表面内的区域也是矩形的。 从站中心必须在原站点内部。表面纹理： reatio

12、nsontherealsurfaceofthewaferthatdeviatefromthereferencesurface。表面肌理构成-晶片的实际面和参照面的不同。测试wafer-asiliconwaferthatis是为了监视和测试而制造的测试晶片-生产中用于监测和测试的晶片。thitingoftoplicsiliconfilm-theconstationforthetoplicsiliconfilmsandthesurfaceoftheoxidelayer掌门人硅膜厚度-掌门人硅层表面和氧化层表面间的距离。topsiliconfilm-thelearyofsichsionsemicondevicesareplaced.thisslocodentopto