水滑石晶体的制备及其生长形态_第1页
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文档简介

1、水滑石晶体的制备 及其生长形态,水滑石晶体的sem（扫描电镜）图,水滑石(hydrotalcite, 简称 ht)是一类重要的无机功能材料,被认为是最有希望的无机功能材料之一,所组成的板层称为金属板层, 以之和阴离子层相区别. 天然的(或者说是最原始的)水滑石是镁铝水滑石,它可以说是水滑石的“母体”,其他的水滑石都可以说是由其派生出来的.,通式：,（其中m2+和m3+ 为二价和三价金属离子，a为层间阴离子，m为层间结合水数目， x 为金板层的电荷数） m2+1-xm3+x(oh)2 x+所组成的板层称为金属板层 天然水滑石镁铝水滑石 化学式： mg6 al 2(oh) 16co 34h2 o

2、类水滑石（htlc）：镁铝水滑石晶体中mg2+ 、 al3+或co32-离子被其他离子所取代。如被zn取代：znhtlc,性质及用途,性质：水滑石有孔径的可调变性,又有较大 的比表面积和层间离子可交换性。 用途：在催化、阻燃、吸附、医药、基因 存储等领域有良好的应用前景。,水滑石的生长机理,对称性: d3d 宏观对称元素:3m 空间群：p3m1 伸展方向：0001、0110,1、晶体结构,2.生长基元 ：mg (oh) 6 4- 及 al(oh) 6 3- ,镁铝水滑石生长液、残留液及远离晶面溶液的拉曼位移,镁铝水滑石的制备,共沉淀法是制备水滑石的基本方法, 即以可溶性铝盐和镁盐与沉淀剂反应生

3、成沉淀物，经过滤、洗涤、干燥后制得水滑石。,单滴法,双滴法,低过饱和沉淀法,高过饱和沉淀法,投料方式,沉淀方式,共沉淀法的合成路线：,该类合成路线在反应中消耗大量的naoh，这些naoh与原料中cl-、 so42- 反应，生成低价值的nacl、 na2so4而大量排出，一方面成本相对较高，另一方面造成环境污染。近年来环境保护日益受到重视，清洁合成技术是发展的必然趋势。该方法是以mgo与铝酸钠水溶液混合反应生成水滑石.,参考文献： 1、淮阴师范学院化学系, 江苏淮安 上官荣昌第1 卷第1 期2002 年 2、哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院, 北京化工大学 郑崇辉,等. 3、吴健松,肖应凯,苏静韵,等.碱式氯化镁晶须生长机理.中国科学e辑:技术科学,2011,41:564572 4、吴健松,肖应凯,汪剑宇,文丽容,等.水滑石晶体生长机理.中国科学e辑:技术科学,2012,42:48

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