主板供电电路详说

1、首先让我们来认识一下CPU供电电路的器件，找一片技嘉X48做例子。 上图中我们圈出了一些关键部件，分别是PWM控制器芯片（PWM Controller）、MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver）、每相的MOSFET、每相的扼流圈（Choke）、输出滤波的电解电容（Electrolytic Capacitors）、输入滤波的电解电容 和起保护作用的扼流圈等。下面我们分开来看。（图）PWM控制器（PWM Controller IC）在CPU插座附近能找到控制CPU供电电路的中枢神经，就是这颗PWM主控芯片。主控芯片受VID的控制，向每相的驱动芯片输送PWM的方波信号来控制最终核心电压Vc

2、ore的产生。 MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver）MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver）。在CPU供电电路里常见的这个8根引脚的小芯片，通常是每相配备一颗。每相中的驱动芯片受到PWM主控芯片的控制，轮流驱动上桥和下桥MOS管。很多PWM控制芯片里集成了三相的Driver，这时主板上就看不到独立的驱动芯片了。 早一点的主板常见到这种14根引脚的驱动芯片，它每一颗负责接收PWM控制芯片传来的两相驱动信号，并驱动两相的MOSFET的开关。换句话说它相当于两个8脚驱动芯片，每两相电路用一个这样的驱动芯片。MOSFET，中文名称是场效应管，一般被叫做MOS管。这个黑色方块在供

3、电电路里表现为受到栅极电压控制的开关。每相的上桥和下桥轮番导通，对这一相的输出扼流圈进行充电和放电，就在输出端得到一个稳定的电压。每相电路都要有上桥和下桥，所以每相至少有两颗MOSFET，而上桥和下桥都可以用并联两三颗代替一颗来提高导通能力，因而每相还可能看到总数为三颗、四颗甚至五颗的MOSFET。 下面这种有三个引脚的小方块是一种常见的MOSFET封装，称为D- PAK（TO-252）封装，也就是俗称的三脚封装。中间那根脚是漏极（Drain），漏极同时连接到MOS管背面的金属底，通过大面积焊盘直接焊在 PCB上，因而中间的脚往往剪掉。这种封装可以通过较大的电流，散热能力较好，成本低廉易于采购

4、，但是引线电阻和电感较高，不利于达到500KHz以上的开关频率。 下面这种尺寸小一些的黑方块同样是MOSFET，属于SO-8系列衍生的封装。原本的SO-8封装是塑料封装，内部是较长的引线，从PN结到PCB之间的热阻很大，引线电阻和电感也较高。现有CPU、GPU等芯片需要MOSFET器件在较高电流和较高开关频率下工作，因而各大厂家如瑞萨、英飞凌、飞利浦、安森美、Vishay等对SO-8封装进行了一系列改进，演化出WPAK、LFPAK、LFPAK-i、 POWERPAK、POWER SO-8等封装形式，通过改变结构、使用铜夹板代替引线、在顶部或底部整合散热片等措施，改善散热并降低寄生参数，使得SO

5、-8的尺寸内能通过类似D- PAK的电流，还能节省空间并获得更好的电气性能。目前主板和显卡供电上常见这种衍生型。在玩家看来，SO-8系的YY度要好于D-PAK，但实际效果要根据电路设计、器件指标和散热情况来判断，而原始的SO-8因为散热性能差，已经不适应大电流应用了。另外，近日IR公司的DirectFET封装也在一些主板上出现了，同样是性能非常棒的封装，看上去也非常YY，找到实物大图以后会补充进来。输出扼流圈（Choke），也称电感（Inductor）。每相一般配备一颗扼流圈，在它的作用下输出电流连续平滑。少数主板每相使用两颗扼流圈并联，两颗扼流圈等效于一颗。主板常用的输出扼流圈有环形磁粉电感

6、、DIP铁氧体电感（外形为全封闭或半封闭）或SMD铁氧体电感等形态，上图为半封闭式的DIP铁氧体功率电感。上面是两种铁氧体电感，外观都是封闭式。左边是DIP直插封装，内部为线绕式结构，感值0.80微亨（“R”相当于小数点）。右边是SMD表贴封装，内部只有一匝左右的导线，感值0.12微亨要小很多。上面是三种环形电感。环形电感的磁路封闭在环状磁芯里，因而磁漏很小，磁芯材料为铁粉（左一）或Super-MSS等其它材料。随着板卡空间限制提高和供电开关频率的提高，磁路不闭合的铁氧体电感、乃至匝数很少的小尺寸SMD铁氧体功率电感以其高频区的低损耗，越来越多地取代了环形电感，但是在电源里因为各种应用特点，环

7、形电感还在被大量使用。输出滤波的电解电容（Electrolytic Capacitor）。供电的输出部分一般都会有若干颗大电容（Bulk Capacitor）进行滤波，它们属于电解电容。电容的容量和ESR影响到输出电压的平滑程度。电解电容的容量大，但是高频特性不好。 除了铝电解电容外，CPU供电部分常见固态电容。我们常见的固态电容称为铝-聚合物电容，属于新型的电容器。它与一般铝电解电容相比，性能和寿命受温度影响更小，而且高频特性好一些，ESR低，自身发热小。关于固态电容的诸多优点我们就不再细说了。 Hi-c Cap此外还能见到钽电容和钽-聚合物电容（图：三洋POSCAP系列）等，性能也比一般的

8、铝电解电容优异得多，钽-聚合物电容具有好于一般固态电容的ESR、高频特性和更小的尺寸。网上已经有很详细的介绍。 插座中央这种电容叫做多层陶瓷电容（MLCC），它的单颗容量比电解电容小很多，然而高频特性好很多，ESR很低。电解电容高频特性不好，因而主板CPU插座周围和CPU插座内部会有几十颗MLCC用作高频去耦，和大容量的电解电容搭配，提供更好的滤波效果和动态性能。近年来高端板卡开关频率较高的数字供电电路，就利用MLCC高频特性好的特点，直接使用很多颗MLCC进行滤波，但是总容量上不去，只有很高的开关频率才适合用。 输入滤波的大电容也是电解电容，它为多相供电电路提供源源不断的能量，同时防止MOS

9、管开关时的尖峰脉冲对其它电路形成串扰，也可以滤除电源电压中的纹波干扰。输入滤波电容同样可能用固态电容。分辨输入滤波电容和输出滤波电容的方法是看额定电压，输出电容的额定电压一般是6.3V、2.5V之类的数值，而输入滤波电容要接在+12V输入上，额定电压往往是16V。 输入电路有时会串联一个扼流圈。这个扼流圈的作用是防止负载电流的瞬态变化影响到上一级电路。它的形状可能是线圈绕在棒子上，也可能是绕在环形磁芯上的线圈。还可能是封闭式的。很多主板上并没有这个扼流圈，或者有焊位，但把它省略掉了。此外在供电部分我们还可以看到一些细小的起保护、缓冲等作用的料件。好了，了解完这些主要元件，下面我们来看看如何识别

10、CPU供电电路的相数。六相供电的技嘉EP45-UD3。我们可以看到六个扼流圈，MOSFET共18个正好每3个和一个 输出扼流圈搭配。我们还能看到每相旁边小小的MOSFET Driver芯片。最后我们还看到CPU插座一角方形的PWM主控芯片，它是intersil ISL6336，支持最高到6相供电。由此我们可以确认这是6相供电，每相MOSFET采用一上两下配置的主板。每相使用的三颗MOS管属于SO-8衍生型封装，是具备低导通内阻（Low Rds-on）的MOSFET。四相供电的技嘉EP43-DS3L，每相一颗扼流圈、一颗Driver和三颗MOSFET都能对号入座。主控芯片是最高支持4相工作的in

11、tersil ISL6334，因而它是4相供电。常规情况里MOSFET驱动芯片也有集成进主控芯片的情况。MOS管的驱动是通过给栅极加上高电平或者低电平实现的，MOS管栅极有很大的电容，要驱动 MOS管快速开关，驱动芯片就要输出一定的电流，而这么大的电流集成到主控芯片里就有可能因为发热对主控芯片（属于模拟集成电路）的工作精度造成影响，从而影响到输出电压的准确性。因而主控芯片里最多集成三相的MOS驱动器。三相以内主板目前往往直接使用集成MOS驱动的主控芯片，没有独立的MOSFET Driver。而4相、5相供电的主板，一般使用4个、5个独立的MOSFET Driver，也有使用集成三相MOS驱动的

12、主控，第四相、第五相用独立驱动芯片驱动的方案。下面是几个例子。映泰Tforce 945P 映泰Tforce 945P，三相供电，使用集成了三相MOS驱动的intersil ISL6566主控，每相三颗MOSFET。同样我们也没有见到输入扼流圈。映泰TA790GX 128M 映泰TA790GX 128M，四相供电，使用集成了三相MOS驱动的intersil ISL6322主控，每相三颗MOSFET，第四相的MOSFET Driver放在MOSFET旁边（圈出来了）。类似的还有映泰TP43D2-A7，同样是ISL6322的方案。昂达魔剑P35 昂达魔剑P35（同样地还有七彩虹C.P35 X7），五

13、相供电，每相搭配两颗MOSFET，使用Richtek的主控芯片RT8802搭配两颗RT9619 MOSFET Driver，RT8802是支持25相的PWM控制器，同时整合了三相MOSFET Driver，第四相和第五相就要外挂Driver芯片了。老一些的MOSFET Driver芯片使用HIP6602这样单颗集成两相MOS驱动的芯片，也就是说两相的驱动整合到一颗芯片里。它的外观可能是双列14引脚（SSOP-14）或四面共16引脚（QFN-16）。下面是几个例子。梅捷SY-15P-FG，四相供电每相三颗MOS管，PWM主控芯片是intersil ISL6561，每两相使用了一颗14引脚的dri

14、ver（已圈出）升技AN8，四相供电，MOS管覆盖在散热片下面。我们同样可以看到每两相使用的一颗Driver（已圈出），这里取代HIP6602的是intersil ISL6614芯片。Intersil的某款PWM主控这里被贴上了GURU标签，所以我们看不到型号。磐正8RDA3I PRO，两相供电，每相搭配三颗MOS管和两颗并联的扼流圈（这个我们后面会提到）。它的供电使用了intersil HIP6302（上图左边）主控搭配一颗HIP6602驱动芯片来控制两相供电。尽管总共有四颗输出扼流圈，由于主控是只支持到2相的HIP6302，两相Driver也只有一颗，MOS管总共6颗只能分给两相而不是四相

15、，我们知道这是一个两相而非四相的供电方案。我们先来看这种容易导致困惑的情况。一些主板厂商选择每相使用两颗并联的扼流圈。一般用户的认知是一颗扼流圈对应一相，看到豪华的十颗十二颗扼流圈就只有惊叹的份了，这样在豪华程度上也迅速地与其它厂商拉开了差距。我们并不清楚厂商用两个电感并联代替一个电感有什么技术上的理由。两个电感可以允许两倍大的电流通过，相同大小的损耗分担到两个电感上每个电感温升更小，不过和真正分成两相相比，纹波还是要输一些。（图：技嘉DQ6）（图：梅捷超烧族OC3P45-GR）上面这些主板包括台系和大陆的知名品牌，其共同点在于每相使用两颗并联电感代替一颗，看上去是2n相供电的，其实是n相。我

16、们来看看如何识破它们。首先我们回到这个老祖宗，EPOX 8RDA3I PRO。前面我们说过它是两相而非四相的设计，理由是如下两点： PWM主控芯片和driver数量都表明这是两相供电的方案； 6个MOSFET，只能是两相，每相3个，而不可能是4相。可以看到EPOX的智慧比这些后来者们足足早了三年有余！然后是梅捷超烧族P45，可以看到它也很容易看透。尽管有10个扼流圈，可MOS总数只有5对，只能是5相供电、每相一对MOS管的配置。此外在供电的两角我们还可以看到两颗driver芯片，是驱动第四相、第五相的。翔升P45T下面这个就比较tricky了，翔升P45T。8个扼流圈8对MOS管，怎么看都是8

17、相供电嘛！不过等等，我们可以找到它的主控芯片是支持4相控制的ISL6312，旁边还能找到1颗MOSFET Driver（已圈出）。这是典型的使用内置3组driver和一个外置driver控制的四相电路，每相两个扼流圈并联，4颗MOSFET每两个并联为一组。类似地还有技嘉DQ6系列。这个“12相”供电是由支持6相控制的ISL6327/ISL6336控制芯片配合6个ISL6609 driver芯片驱动的，通过主控芯片的规格和driver数量我们可以得知它是6相供电。技嘉官方已经承认DQ6系列的设计是“虚拟12相”。早期 DQ6主板每相配备4颗MOSFET，到了EX48-DQ6上，每相配备了5颗，这

18、样通过MOSFET数量也能自动排除12相的可能。容易被混淆的输入扼流圈（Input Choke）前面我们提到供电的输入部分可能有一个扼流圈。通常它紧挨着+12V输入的4pin/8pin插座。这个扼流圈常常以磁棒的形态出现。由于这种外观和输出扼流圈差别较大，一般不会混淆。甚至有些人意识不到这是一个电感。然而有的时候它也是一个封闭电感的样子如上图，如果它和输出扼流圈靠得比较近，就容易被认错了。不过一般来讲输入扼流圈的感值和输出扼流圈不大一样，这会体现在标记上。同时因为输入扼流圈的电流小一些，所以外观尺寸上也会不大一样。有的时候它是个环形的扼流圈，这种情况就更容易认错了。青云PX915 SLI 这张

19、图我们可以看到供电的输出扼流圈和输入扼流圈都是环形，绿色磁芯，只是输入扼流圈的绕数比输出扼流圈少一些。注意到这点区别就不会把它当成四相供电的主板。三相供电么？不，这是两相，输入扼流圈的磁芯和绕线外皮颜色都有点差异。当年有很多编辑会把这种主板当作三相供电。磐正8RDA+ 曾经非常流行的EPOX 8RDA+。尽管输入扼流圈的外观和个头都与输出扼流圈相差无几，从它的位置以及MOS管总数可以把它和输出扼流圈区分开来。梅捷SY-15P-FG供电部分相信没有人会把它认成5相供电了。只要注意位置和外观的差异，识别输入扼流圈并不是难事。真8相和真16相供电是如何实现的？（True 8-phase/16-pha

20、se voltage regulators）主流的PWM控制芯片最多支持到6相（本文完成前夕，台湾uPI已经推出了原生12/8相的VR11控制器uP6208）。然而华硕很高调地宣称他们的主板具备真8相甚至真16相供电，这是如何做到的？华硕P5Q供电部分 在华硕8相和16相供电的主板上，我们确实能找到每相对应的MOSFET driver芯片，也就是说每相有一颗独立的driver在驱动。不幸的是PWM控制芯片表面被华硕自家的编号以及EPU字样给覆盖了，这样我们也就不知道PWM控制芯片的规格。台湾网友LSI狼对8相供电的早期型号A8N32 SLI Deluxe进行过分析。A8N32 SLI Delu

21、xe的主控芯片是支持4相工作的ADI ADP3186，配合了ADG333A四路的二选一开关。据我分析这样的工作方式是让ADP3186输出4相的相位信号，单刀双掷开关在第一个周期里把四相信号输送给第1、2、3、4个driver，第二个周期里把四相信号输送给第5、6、7、8个信号。这样8相的driver就能错开相位轮流导通，实现 8相工作方式第一代8相供电主板就是这样实现的。由此推测，真16相的做法可能是两个8相交替开关动作或者4个4相交替动作。在 P5Q主板的8相供电电路中我们只找到一颗打着EPU2标记的PWM控制芯片，而没有看到类似电子开关的额外芯片。在P5Q Deluxe这样16相供电设计的

22、主板上除了EPU还能找到一颗名为PEM的芯片。对它们的具体功能我们找不到公开资料，结合华硕的说法来看，EPU是一颗原生控制8相的PWM控制器，而PEM作为电子开关一类的器件负责将8相信号送到16相的驱动芯片实现16相与8相可切换的工作方式。K10 的分离供电与N+1相供电设计（K10s Split-Plane design and N+1 phase power delivery circuits）AMD K10处理器引入了分离电源层（Split Power Plane）的设计。分离电源层是指，CPU内部被划分成处理器内核（每个核心以及L2缓存）和片上北桥（L3缓存、HTT3.0控制器、内存控

23、制器等等）两部分，处理器内核使用名为VDD的电源，片上北桥使用名为VDDNB的电源，这两个电源的工作电压我们分别称为内核电压和北桥电压。在不同的工作状态下两组电压可以独立地进行控制，实现更好的节能效果。要获得两组独立的电压，就需要两个独立的供电电路。在分离供电设计的主板上，一个传统的N相供电电路根据VID信号中内核VID的指示提供VDD电源，另外还有一个独立的单相供电电路根据VID中北桥VID的指示提供独立的VDDNB电源，这就是所谓“N+1相”设计。N+1相供电设计的主板在插上单一电源设计的K8 CPU时，只有N相的VDD电源工作，产生VDD电压提供给CPU。K10的供电需求对VDD电源的输

24、出电流要求最高可达100A，TDP最高达到140W（Phenom 9950 2.6GHz），需要四相供电支持，否则供电电路会发热过大不够稳定。因此K10主板常见的供电设计是4+1相，面向低端的整合主板常见3+1相的设计，而部分超频主板甚至做到了5+1相。我们以技嘉MA770-DS3H的供电为例看看如何判断N+1相供电。MA770- DS3H的供电部分在供电部分我们看到五颗输出扼流圈，标称感值都是0.50微亨，不过供电部分的MOSFET总共有14颗（旁边还有一颗风扇调速用器件，不属于CPU供电电路）。此外我们能找到主控芯片是最高支持4+1相供电设计的ISL6324（CPU内核支持24相供电，并内

25、建2个 driver），还能找到一颗driver芯片。MOS管数量14=3*4+2，于是VDD是4相供电每相3颗MOS管，VDDNB是1相供电2颗MOS 管。由于ISL6324的VDD供电内建2个driver，VDD供电的第三第四相是通过两颗外置driver来驱动的。由此我们可以判断其为4+1相供电设计。在MA78GH-S2H上面我们能看到14颗MOS管和4颗0.60微亨扼流圈，ISL6323主控芯片配合1颗外挂driver，同理可推断为 3+1相供电。K10发布以后intersil推出了对应的混合式电源管理方案ISL6323和ISL6324，这两个芯片都支持最高4+1相供电设计，如果看到这个

26、控制芯片，那基本上就是N+1相的方案了。映泰TF8200 A2+供电部分 这个更容易识别，4个扼流圈是3个0.60微亨和1个2.2微亨，显然是3+1相供电，MOS管数量14=4*3+2，所以是VDD供电每相4颗MOS，VDDNB供电两颗MOS。VDD的控制芯片是内置3个driver支持最高4相的ISL6312，在775主板上很常见。ISL6312是单一供电设计的PWM控制芯片，单独使用是不能支持分离供电设计的，为了实现分离供电，主板使用了一颗Fintek的F75125电源芯片，这颗芯片将K10 CPU发来的VDD串行VID（SVI）的信号翻译成并行VID（PVI）的内核电压VID信号输送给IS

27、L6312，同时自己将VDDNB串行VID信号转换为信号电压，通过F78215单相buck控制器驱动1相供电生成北桥电压。相对地，ISL6324这种混合式芯片是另一种分离供电的设计方案。随着790GX主板的流行，基于ISL6323和ISL6324的4+1相供电方案非常常见了。精英A780GM-A供电部分 4个扼流圈3个半封闭和1个封闭式，3+1相供电，VDD供电每相3个MOS管，VDDNB两个MOS管。主控芯片是ISL6323，搭配了1颗driver。Nehalem的分离供电设计（Split-Plane power delivery design on Nehalem）这一阵子关注X58主板的

28、网友应该已经注意到，Nehalem主板除了环绕CPU的一圈供电以外，还要多出几相不知道给谁的供电。EX58-UD3RNehalem/Bloomfield也引入了分离供电设计，CPU中QPI控制器和三通道DDR3内存控制器的部分称为“Uncore”，由独立电源供电。因为这部分功耗不算小，再加上超频需求，主板的Uncore供电以两相居多。上面这片主板使用了4+1相供电的配置，核心供电和Uncore供电用了两颗独立的PWM控制芯片（图中左下和右下），核心供电每相为双倍用料。内存和芯片组供电（Memory and Chipset power delivery circuits）主板的内存VDD/VDD

29、q以及芯片组VDD供电在以往是需求不高的，还能见到用线性供电为芯片组或内存提供电力，从+5V 或+3.3V通过一般是LDO（低压差稳压器）一类的器件转换出需要的电压，中间差值的部分就消耗在稳压器上变成了发热。随着内存工作电压由3.3V降低到2.5V再降低到1.8V、1.5V，芯片组核心电压也从1.5V降低至1.1V而需要的电流上升，线性电源的低效率和高发热变得不可接受，内存与芯片组供电纷纷转向了开关电源。ABIT GD8 pro通常来讲，内存供电位于内存槽的附近，可能是靠近南桥一侧，也可能是远离南桥一侧。芯片组供电则可能位于显卡插槽附近或者北桥与IO挡板之间的位置。这张图示意芯片组供电和内存供

30、电可能出现在ATX主板上的常见位置。开关供电电路的标志性元件就是那个输出扼流圈，如果没有输出扼流圈那肯定不是开关供电电路。要确定供电的方式，我们就得找出这些扼流圈，在前面的图上我用红圈做了标记。注意，内存和芯片组的开关供电就是单相或者多相的开关供电电路，和CPU供电一样会有输入输出滤波电容，同样也可能有输入扼流圈来减小输出对上一级电路的影响。在这张ABIT GD8主板上我们可以看到内存和芯片组供电的输入端都有一个黄色磁芯的环形扼流圈。输出电流比输入电流大，所以输出扼流圈采用了三股线并绕的方式，磁芯个头也要大一些。富士康Black OPS 这张富士康Black OPS的内存和芯片组（X48）供电

31、也使用了开关供电，我们可以看到扼流圈放在那里，内存供电有两个，芯片组供电也是两个。然而这两个扼流圈的感值分别是 1微亨和2微亨，不会都是输出扼流圈，其中一个是输出，一个是输入扼流圈。从尺寸上判断1微亨是输入扼流圈，2微亨是输出扼流圈。我们还可以通过附近滤波电容的耐压值来判断。内存供电使用+5V转换为DDR3的工作电压1.5V到2V多，因而耐压6V的电容是输入滤波电容，耐压4V的电容是输出滤波电容，由此确定了2微亨扼流圈是输出扼流圈。芯片组供电使用+12V转换为芯片组的内核电压1.25V左右，因而耐压16V的电容是输入滤波电容，耐压4V的电容是输出滤波电容，由此确定了2微亨扼流圈是输出扼流圈。（

32、图：技嘉X48-DQ6的内存供电与芯片组供电）这是货真价实的两相供电，每相使用一颗1.2微亨输出扼流圈和两颗SO-8衍生型的低内阻MOSFET。两个两相供电分别使用了一颗ISL6312进行控制，这可是4相供电的主板会用到的标准配置！在芯片组供电这边我们还能看到一颗1.2微亨的输入扼流圈，别搞错了哦。（图：华硕P5Q Deluxe的内存供电）这也是货真价实的两相供电，每相一对LFPAK封装的MOSFET，PWM控制芯片是uPI的uP6203一般指CPU和内存的供电相数，就是CPU和内存插槽周围的电感数，或者电容数除以2(数字供电除外)。理论上，CPU和内存的供电相数越高，就越稳定，加压超频时就越

33、不容易掉电压。实际应用中，4相以上的供电即可满足日常需要，加压超频的爱好者，或者追求卓越性能的人，推荐8相以上供电的。 主板上的供电相越多，提供的功率越大，比如4核CPU至少要5相供电，要是针对一个CPU，供电越多，电压越稳，容易超频那个是供电的相数，是开关电源，理论上相数越多供电的能力越大，电流越平直；但实际上，开关电源发展到现在，设计已经极度成熟，3相的供电就已经足够好了，就算是新出的处理器电流更大，那么4相也就到头了；过多的相数这只是商家的噱头而已。深入一点， 每一相由两个MOS管 就是场效应管及电感电容组成，每一相如果采用低端的MOS，那么供电电流只有30安培左右，而高端的Mos可达到

34、80安培，假定你需要200安培的电流， 用高端的只要3相 即可提供240安培，满足要求，而用低端的则需要7相 才能达到210安培满足要求，而商家为了赚钱，本来3相就能搞定的，非要做成7相，显得自己高端，很多不明真相，觉得相数越多越好的小白，就会去买用了低端甚至是劣质Mos的7相供电主板. 大多数主要看cpu旁边那个方块形状的电感，有几个就是几相了，有的厂家做工比较好的，会一相用两个电感。相数多一点，对cpu的供电能力就大些。3+1中的1代表的含义就不禁相同了，各个厂家都有自己的设计，有的是代表当CPU不需要满负荷时,同时也有可能不需要5相供电,此时就将这个1类似屏蔽的意思，有的代表和其他供电模

35、块并连的意思，不明白我就解释一下，比如技嘉以前有自称12相供电,实际上是6+6,此时不是真正的12相, 可叫它6相,而4+1说是5相又不对,那么叫4相也不对,因为那1相也是有可能给CPU辅助供电用,所以就叫了个4+1,这个1有可能和4相中的任何一相并连或是跟一级滤波串连有些主板的供电是4+1,这是什么意思?它和4相供电或5相供电有什么不同吗,不同在那里啊? 4+1，中间的这个1是指专门分出一项为南北桥供电。具体是4+1相供电好，还是5相供电好，主要是看是什么cpu。如是功率很大的cpu，则5相供电比4+1好。如是功率一般并且不超频使用的话，4+1相供电好。再说下，所谓N+1相供电，其中的N就是

36、指直接给cpu供电的分流数，一般可看主板cpu插槽上面的电感数来判断其相数，注意是一般哈。其中的1指专门用一项供电给南北桥（其中含内存控制器等供电），以提高主板稳定性。4+1是比4相供电好的，但不一定比5相供电好。5相供电也不一定就比4+1相供电好。一般来说，如主板上面为4+1相供电，则电感上面，其中的4个电感上面的标识会和另外一相不一样，或是mos管个数不一样，一看便知。所以3相，3+1，4相。4+1，5相关键看供电电路的用料，用料一样的话应该是5相的好。用料优秀的三相供电比用料垃圾的5相供电好再提醒一下：购买主板两大误区误区一：CPU供电相数越多越好 说到CPU的供电设计，很多消费者会觉得

37、CPU的供电相数会越多越好。在一些高端主板上，的确我们也看到了很多所谓的“12相供电设计”主板。CPU供电的相数真的越多越好吗？ 相数多的优点供电部分温度低 现在常用的CPU供电组合方案是由“电容+电感+场效应管(MOSFET管)”组成一个相对独立的单相供电电路，这样的单相供电电路通常会在CPU供电部分出现多次，出现3次就是3相供电，出现6次就是6相供电。这样的设计除了为CPU提供纯净稳定的电流之外，还起到了降压限流的作用，以此来保证CPU的正常工作。同时多相电路可以更精确地平衡各相供电电路输出的电流，达到各功率组件间的热量均衡，在器件发热这项上多相供电具有优势。 相数多的缺点设计成本和用料成本增加 供电电路的每一相，由于设计、料件和布线的不同，导致每一相能提供的电流大小就会有所差异。因此多相供电的主板，在设计上需要投入的成本将会增加，用料上的成本更是不言而喻。在很多一线的高端型号主板上，我们常常会看到12相供电或是16相供电的主板。 老百姓买主板 几相供电够用？多相供电主板对我们老百姓来说的确是不实用，那么几相供电才算合适呢？假如一个120W的处理器，其电压为1.35V，那么供电电流大致为90A左右，如果是采用12