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文档简介

1、集成电路测试原理分析3存储器和逻辑芯片测试存储器芯片测试介绍存储芯片是用于在特定条件下存储数字信息的芯片。存储的信息可以是操作码、数据文件或两者的组合。根据不同的特征,记忆可以分为以下几类,如表1所示:记忆术语的定义在讨论存储器芯片测试之前,有必要定义一些相关的术语。写恢复时间(:)是存储单元在写操作和正确读取之间必须等待的时间。;HoldTime):是在锁存时钟之后必须保持输入数据电平的时间间隔。PauseTest:内存内容保留时间测试。刷新时间(RefreshTime):是内存刷新的最大时间间隔。SetupTime):是在锁存时钟之前必须稳定保持输入数据电平的时间间隔。功能速度测试通过重复

2、功能测试和改变芯片测试的周期或频率来完成。二分搜索法通常会改变测试周期。这些测试可以测量芯片的最快运行速度。WriteRecovery):是存储单元在写入操作之后到下一个存储单元可以被正确读取之前必须等待的时间。存取时间(Accesstime):通常是指在使能读取、芯片选择信号或地址改变之后,在输出端输出新数据所需的最短时间。阅读时间取决于记忆阅读的流程。存储器芯片测试中的功能测试存储芯片必须经过许多必要的测试,以确保其正确的功能。这些测试主要用于确保芯片不包含以下类型的错误:存储单元短路:存储单元与电源或部分之间的电路存储单元开路:写入时存储单元的状态不能改变。相邻单元短路:根据不同的短路状

3、态,相邻单元将被写入相同或相反的数据地址开路或短路:此错误导致一个存储单元对应多个地址,或者多个地址对应一个存储单元。这个错误不容易检测,因为我们一次只能检查对应于输入地址的输出响应,并且很难确定实际读取的是哪个物理地址。存储单元干扰:它意味着当一个存储单元被写入或读取时,周围或相邻存储单元的状态可能改变,即状态被干扰。用于存储器芯片测试中错误检测的测试向量测试向量是应用于存储芯片的一系列功能,即读取和写入等功能的不同组合。它主要用于测试芯片的功能错误。下面显示了常用的内存测试向量,并分别介绍了它们的执行方法和测试目的。-所有“0”和所有“1”矢量:4n线矢量执行模式:将“1”写入所有单元,然

4、后读取并验证所有单元。将“0”写入所有单元,然后读取并验证所有单元。目的:检查存储单元有无短路或开路错误。它还可以检查相邻单元的短路。棋盘向量:4n线向量执行模式:首先运行0-1棋盘向量,即第一个单元写1,第二个单元写0,第三个单元写1,依此类推,直到最后一个单元,然后读取并验证所有单元。再次运行1-0棋盘向量,即向所有单元写入与0-1棋盘完全相反的数据,然后读取并验证所有单元。目的:这是功能测试、地址解码和小区干扰的最基本和最简单的测试向量。它还可以检查连续的地址错误或干扰错误,并通过它经常被用作时间测量的矢量。模式行进向量:5n行向量执行模式:首先将0写入所有单元。读取第一个单元格,然后向第一个单元格写入1。读取第二个单元,向第二个单元写入1,依此类推,直到最后一个单元。最后,重复上述操作,只是数据是反向写入的。目的:这是功能测试、地址解码和小区干扰的最基本和最简单的测试向量。它还可以检查连续地址错误或干扰错误,并且通常用作时间测量的矢量。行走矢量:2n2线矢量执行模式:首先将0写入所有单元,然后读取所有单元。然后将1写入第一个单元,读取所有单元,并在读取后将第一个单元写回0

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