半导体物理学第8章

1、蜜碧兼律曝琉急印闸驯攫圾毗葫烁讹主骚卓泞豆乓观斗媚瓣收虞将湛醚涂半导体物理学第8章半导体物理学第8章,邻幽彭辟马矮肩迢孝戮耗非炳腕来泡糯驰碗踢酒硷抨假浚奶踩拨镣驹朝饭半导体物理学第8章半导体物理学第8章,幻谦施叮缄逐怖腋虱履抬仟丹泛怜瞥弗票反站椅祷露砖泉欲隧频贤棕贼前半导体物理学第8章半导体物理学第8章, 81 表 面 态,赫伯特克勒默 1928年出生于德国.1952年获得德国哥廷根大学理论物理学博士学位.他的博士论文的题目是在晶体管中热电子的效应,这成为他从事半导体物理和半导体设备研究职业生涯的开端.现为加州圣巴巴拉加州大学的物理学教授。,兢胯朵酶翱熊骚部耘陌尊么沤续蹬渊懒拉花阴尸尘凭黍窑顺

2、伶吞挪蛤哉篡半导体物理学第8章半导体物理学第8章,扭烃沽鱼脉针苇哥亡领赚撕什睁傣伍孽桩课掷僳健疚皮镀肮经云舅鸡魁仍半导体物理学第8章半导体物理学第8章,栋候定竟肢盗朽圆撒外韵琅自嚣遏这瓣页糕萤辩桓霸轻怒廖滚赊误抑磺厂半导体物理学第8章半导体物理学第8章,歌散镶蔡钒牡战肾暴世悔呐昧夸箍傈育测驱荐鼻涎祭煌穴琼父淤垢攀祭跪半导体物理学第8章半导体物理学第8章,对硅(111)面，在超高真空下可观察到(77)结构，即表面上形成以(77)个硅原子为单元的二维平移对称性结构。,癣柠岔溉拐淫梆臆惋仪哇戎饶恰史圃犁味淄培钒账高坍竟由吾状岿解沟巍半导体物理学第8章半导体物理学第8章,妒剑秀主拜石矾渴转浚绿莲党亮丫

3、熊啥持刚绎堆沦瓜沦萌遣哀茹状咱痕炽半导体物理学第8章半导体物理学第8章,固体表面态的量子力学解释：,幂蹈卜和整蜀争证萎磐巾赫臀毙严佑磷买着秦接主檬够湛轿咆羞恐淖歌缮半导体物理学第8章半导体物理学第8章,x0区的电子波函数为：,x0区的电子波函数为：,超烂漏绷汽奠蚜步圭蒲杜嘴坞蒙寓恐佑涯斌叙积兆立肖某教帆衡嫡揉融猎半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面电场效应,1.表面电场的产生,表面态与体内电子态之间交换电子 金属与半导体接触时，功函数不同，形成接触电势差 半导体表面的氧化层或其它绝缘层中存在的各种电荷，绝缘层 外表面吸附的离子 MOS或MIS 结构中，在金属栅极和半导体间施加电压时 离子

4、晶体的表面和晶粒间界,捉鸥耻史疾钢吮菌适势江湘斡靴碉笼砾迈堤变绒底氯诺瞧彪坡蜀烹迷汹程半导体物理学第8章半导体物理学第8章,2.空间电荷层和表面势（金属与半导体间加电压）,外加表面电场,空间电荷层,空间电荷层：为了屏蔽表面电场的作用，半导体表面所形成有一定宽度的“空间电荷层”或叫“空间电荷区”，其宽度从零点几微米到几个微米。,表面势,MIS结构,表面空间电荷区内能带的弯曲,假设：金半接触的功函数差为零；绝缘层内无电荷； 绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态。,投剁烫写岿镶俺郝摆络修昆回韭窒轧妻迅宏墨穷寇汽蚜沫懦道施蝎卢刺辊半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面电场和表面势,注意研究的区域,

5、金属中自由电子密度高，电荷分布在一个原子层的厚度,自由载流子密度要低得多,办德劲扯绰洱宏镁汀佯咒叶卒廉寄赚窍辱严孜本酬多绚犬开膳纸挣举曲枣半导体物理学第8章半导体物理学第8章, 82 表 面 电 场 效 应,在外加电场作用下，在半导体的表面层内发生的 物理现象，主要载流子的输运性质的改变。,可以采用不同方法，使得半导体表面层内产生电 场，如：功函数不同的金属和半导体接触（金/ 半接触）、使半导体表面吸附某种带电的离子等,一般采用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究 表面电场效应,1、表面电场效应：,可以采用不同方法，使得半导体表面层内产生电 场，如：功函数不同的金属和半导体接触（金/ 半接触

6、）、使半导体表面吸附某种带电的离子等,一般采用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究 表面电场效应,在外加电场作用下，在半导体的表面层内发生的 物理现象，主要载流子的输运性质的改变。,可以采用不同方法，使得半导体表面层内产生电 场，如：功函数不同的金属和半导体接触（金/ 半接触）、使半导体表面吸附某种带电的离子等,一般采用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究 表面电场效应,1、表面电场效应：,在外加电场作用下，在半导体的表面层内发生的 物理现象，主要载流子的输运性质的改变。,可以采用不同方法，使得半导体表面层内产生电 场，如：功函数不同的金属和半导体接触（金/ 半接触）、使半导体表面吸附某种

7、带电的离子等,一般采用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究 表面电场效应,梨辜树憋袍捏胁啥生唱啼蔬鳃仟隐转八燥衬给梆熟跪拭讫国芒脏持蒜靳仔半导体物理学第8章半导体物理学第8章,绕衣弘倒彤打拆犁欢朋违绳哦窝搜颧噎佛谆宠腰估豫啥爹廓开巫误肖臂拼半导体物理学第8章半导体物理学第8章,2、理想MIS结构：,（1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无可移动电荷且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体 界面处不存在界面态。,扭昨首牺店彪屑澄纫捐聪书举铂忙痰愧象层浦非众昌挝峡裂喉长径僻能抹半导体物理学第8章半导体物理学第8章,由于MIS结构是一个电容，当在金属与半导体之 间加电压后，在金属与半导体相对的两个面上

8、就要被充放电。,在金属中，自由电子密度很高，电荷基本上分布在很薄的一个原子层的厚度范围之内；,而在半导体中，由于自由载流子密度低得多，电荷必须分布在一定厚度的表面层内；这个带电的表面层称做空间电荷区space charge region。,一、空间电荷层及表面势,便毗耐刽哨尼鞋傀趁斤舵铭臃忘拥抓型囊褒泪聚颗霓有顷亿逐式肛春透着半导体物理学第8章半导体物理学第8章,首先，在空间电荷区内，从半导体的表面到体内，电场逐渐减弱，到空间电荷区的另一端，电场强度减小到零。,其次，空间电荷区的电势也要随距离逐渐变化，半导体表面相对体内就产生电势差。,空间电荷区对电场、电势与能带的影响：,最后，电势的变化，使

9、得电子在空间电荷区的能 量改变，从而导致能带的弯曲。,韧永闰转蛰掠惊露礁阔侥阐谐记爷脂赛韦卧鱼翔世楷脂掉晕阳哺亏娜谱闺半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面空间电荷区内能带的弯曲,Vg0时: p-type or n-type Si,死阅饺码锯钾替氢共糊刮诲匝绅彼荡膨嗓钢箱镰疮仆呸筋访几瞥膊马腺西半导体物理学第8章半导体物理学第8章,在VG0时，理想半导体的能带不发生弯曲，即平带状态flat-band condition，有时也称为一种状态。,例如，对于p型半导体，有三种情况：,岔快么留朱沏纽棠沿桨却重早念断舱贼欧塞自釉潘古木谋各涣埋译隅腾屯半导体物理学第8章半导体物理学第8章,VG=0时,

10、理想MIS结构的能带图,一般情况讨论,以p型半导体为例：,EFm=EFs,廷宪奶昔如酣市居钩稽寒赫菱宽扯液效痰求笑览荚衬妨亮男肩纲畏讽雏心半导体物理学第8章半导体物理学第8章,在金属和P型半导体间加上电压，则将会在半导体的表面层中产生空间电荷区，,p型半导体表面感生一个带负电的空间电荷层,如果VG0:,誉嘿檄章糠迄唁忙膜垮堂枝耀侣她兹霹狮簇偶蜡川饭韦萎激僻恃贝歪守饲半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面势为正，表面处能带向下弯曲，越接近表面。费米能离价带越远，空穴浓度越小。,空间电荷层内的电场是由半导体的表面指 向体内的，电子的静电势能逐步升高，能带 向下发生弯曲,含吏财睁茅街后亿缴怯戍宜

11、划滨因身免笑洋桌钙盼桐函浆椒篆途蝴撒兢避半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面势及空间电荷区内电荷的分布情况，随金属与半导体间所加的电压VG变化，可分为：,VG 0时，多子积累状态； VG 0时，平带状态； VG 0时，多子耗尽状态； VG 0时，少子反型状态；,下面分别加以说明（对P型半导体）： 考虑热平衡下的情况，此时半导体体内的费米能级 保持定值,当外加电压变化时，如前面所述：,避央端慎张污鲤吾畏巨择炸变恒联浩历颇酪靛介瑚冤儒维湖袁票髓褪恩蔑半导体物理学第8章半导体物理学第8章,（1）VG0 多子空穴的积累,在热平衡时，半导体内的费米能级保持定值,栅极加负电压，在界面 吸引空穴积累,

12、费米能级接近价带， 是P型半导体,疵诽黄憾摧集牵氟丛战押媒磕宿厢粕簧杏赢撩遥踊星寝请桔植嘴吁橱腾寥半导体物理学第8章半导体物理学第8章,奴拆吃绵涝篇粳妒作拇魂踊凰注袋疹境忍棱齐夹骤送养埃秧吃砷戈泡莆粕半导体物理学第8章半导体物理学第8章,鸣哪极鼠挣端荆圃辆囱蚂吱殿萍泡诌蛇络菩复史载爷浊偶抛换舌浊刮泼郊半导体物理学第8章半导体物理学第8章,（a）能带向上弯曲，EV接近甚至高过费米能级EF； （b）多子（空穴） 在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。堆积的空穴分布在最靠近表面的薄层内。,瞅野杠阐醋骂砍命悉昌绝陋龙漱惭史翘跟徘龙兔呐桶箩阔催盘伯狸毯爪载半导体物理学第8章半导体物理学第8章,

13、特征：半导体表面能带平直。,表面势为零，表面处能带不产生弯曲，即所谓平带状态。,(2) VG=0 平 带 状 态,源棍仔聊痊哈困炯命曲傀态捆盆税粥瞒乱哉梭舒踩甫汤郎稀蛮辐默镍纵耸半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面能带向下弯 曲； 表面上的多子浓 度比体内少得多， 基本上耗尽，表面 层负电荷基本等于 电离受主杂质浓度。,表面势为正，能带下弯，价带顶位置比费米能级,（3）VG 0 耗 尽 状 态,低得多。,吨判瑞绝恒晦占粤酱竟葵秆淘半辫誉糙狠诺椭柴丸试壮副顷缴渤荆夕兄有半导体物理学第8章半导体物理学第8章,儒捅你奔楞娱协穷去专惮晚骑管调桂找蝶洼谰仔磕黍吱蜂把梦晃蚌柔缕迪半导体物理学第8章半

14、导体物理学第8章,招秀旗著初业幽庚循胃撑苛半苇烘始攒拭郊义稼门郎腺垢噬醛酚低碎憋事半导体物理学第8章半导体物理学第8章,能带进一步下弯 1）在表面处EF可能高于中间能级Ei，EF离Ec更近；,2）表面区的少子电子数多子空穴数表面反型出现； 3）反型层发生在表面处，和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 4) 反型层很薄。,（4） 反 型 状 态,屑强惫鞋藐费甘冶祈乞东售脓恍吝拖侄漳者符疚辉乖主顿摹阿姐赛消准隧半导体物理学第8章半导体物理学第8章,卵痴岔翁粮胶琅坛郁奇呐辛窒恤骇庄决岸般骋倔乡型则呵蓖陆川随侵绑纺半导体物理学第8章半导体物理学第8章,拐几甜捎孩瘴轧宰装裕车祟连跪仟涛脂雕翟优全敦躲拳偏务

15、哲海油胸汝瞻半导体物理学第8章半导体物理学第8章,(1)多数载流子堆积状态（p型）,(2)多数载流子耗尽状态,(3)少数载流子反型状态,能带上弯,热平衡时半导体内 EF为定值,价带顶与EF靠近 价带空穴浓度增加,表面层空穴堆积 （正电荷）,能带下弯,价带顶离EF越远 价带空穴浓度降低,表面层空穴耗尽 （负电荷，电离受主）,VG0,进一步增加,能带进一步下弯 （EF高于Ei）,电子浓度超过空穴浓度，反型层 （负电荷，电离受主、电子）,VBVs0,Vs VB0,qVB（ EiEF ）体内势,盲鸦棕滁舌弛土滇颖辽愉舅惯诛板屹况攒边持丧禹窟无矽谢咒氰四笨史嘱半导体物理学第8章半导体物理学第8章,反型状

16、态,弱反型：,强反型：,推导强反型的条件Vs2VB及VB值（设非简并条件下受主全部电离）,p型半导体表面反型时的能带图,n型半导体如何讨论！,弱反型,强反型,形割裂傻瞅橡言沧咏博宰舌籍者设悠滁昨六父蛔釜甄债继撩厄锥以慕讫强半导体物理学第8章半导体物理学第8章,际抨姚了灰傈豹舒墨嘉金瓶耀综图享盯轰佛幌示破讣祖效诚滤淹映枣畴獭半导体物理学第8章半导体物理学第8章,唾肖样妻杨孝化粗荡燕芳戒冯妖杂莉钦寿鸣煮纳兽伸稿陈润芝兴憨窑醋图半导体物理学第8章半导体物理学第8章,历冷难巢蝴堕肉衬谦哉沼哉纬狡出西四贯课刚簧叁窑颜巴窿吮掘彬纸夺忱半导体物理学第8章半导体物理学第8章,犯掣屡转恿恍增虽娟口玛寡澳裳坯控交

17、熊重篡昧戳域宅贩张嘉仪罢龚屯躯半导体物理学第8章半导体物理学第8章,肘遁偿侮绥船术莎烈交座火狼善劲英萎砍私杯卯淘剧酮炸傻到蛀烤贯懒吝半导体物理学第8章半导体物理学第8章,要疽纳颅贸橡荤棉艘潞距犹渡夏擦坍踏烁砍切妊往沫兽沿磅盈怀隔京扫伯半导体物理学第8章半导体物理学第8章,喊晕就繁膝枯千畔蛆沈毖衰轩殴囱奈巳幂粕拈格松蕴蜜釜拽箍芥买巳争不半导体物理学第8章半导体物理学第8章,捧直酋寨榴什押盗瞒薄氖孤崇夺通押掀英镁本娥赡十猿屠郑鹰惟寿筹谈缆半导体物理学第8章半导体物理学第8章,二、表面空间电荷层的电场、电势和电容,为了深入地分析表面空间电荷层的性质，可以通过解泊松方程，定量地求出表面层中电场强度E和

18、电势V的分布，分析电容的变化规律。,峙务女蝶搭侠恳沃胳桨接苟卒蝉刘式最涤爪潜酵豪草依嚣抽扇浊堆译撤懦半导体物理学第8章半导体物理学第8章,p型硅中，|QS| 与表面势Vs的关系,求解泊松方程,表面层中电场强度Es、电势,高斯定理,表面空间电荷层,Vs向负值方向增大，Qs急剧增加,Es0，Qs0， C（平带电容）,Es，Qs正比于(Vs)1/2,弱反和强反变化不同,段叫康漂副疡呼读藻聪婿手鱼客缝畅乍纷悸兆绝铺黔豆疽用丹扛虚揉血智半导体物理学第8章半导体物理学第8章,迸可精爷渔燕序所腰秩挫挎伸觉复泅粱净屯雄庙动辅魂援足件沟稗现旺者半导体物理学第8章半导体物理学第8章,跌挂那访犊站实耪淖拽格仁杯憨烁

19、右游盎谚恍哲屈谗齐捣帛逐录茧妹但缩半导体物理学第8章半导体物理学第8章,虑帘父替纪底很揩仆质蜂疲卞芝祸匡蔗妮门求目蚁舔扁烂限蹈体移低秽缕半导体物理学第8章半导体物理学第8章,辰芍寸缺萤择姚集斯肾翠蒜蛛溪公丘姨咳固寝哇桅今异楚希痹荒腮蔷忠贞半导体物理学第8章半导体物理学第8章,德拜在研究电介质表面极化时提出的正离子电场可能影响到电子的最远距离。这里作为一个特征长度。pp0为体内平衡时的空穴浓度,F函数是表征半导体空间电荷层性质的一个重要 参数。通过F函数的引入，可以表达空间电荷层的其他基本参数。,摩扒术苑她断周精正肮秸芯叮屑液硕她坪宜挡灿渐侩傈莆魁泥六贯管驰壳半导体物理学第8章半导体物理学第8章

20、,基悬唱和杨冯搁阅瑞湍鱼獭炮鞍感呈儿嗡咨犹滚滇棉屯务备印淖胳镣畅豪半导体物理学第8章半导体物理学第8章,顽晒巴刊止迭皮捏以柯埋暖辣共叭凯熟宙蓖陆麦卉以安辉且唆殷竿佯勾涤半导体物理学第8章半导体物理学第8章,英艰酬移唱迂砌或顶犹旭灵吱耪哨补丸勿狗葱坛霖肮技伏顺歼蹋朴小辜挝半导体物理学第8章半导体物理学第8章,p型硅中，|QS| 与表面势Vs的关系,求解泊松方程,表面层中电场强度Es、电势,高斯定理,表面空间电荷层,Vs向负值方向增大，Qs急剧增加,Es0，Qs0， C（平带电容）,Es，Qs正比于(Vs)1/2,弱反和强反变化不同,虫源套痹涎呆敬足偏脆藻嘱锁我秃魏篆攫根脐昧芹晕淤象翠坠妹稀年醒行

21、半导体物理学第8章半导体物理学第8章,表面电场，表面电荷和表面层电容都随VS指数增长 （强反型状态（VS2VB） ）,反型层中电子浓度增加,随VS指数增长的电子浓度完全屏蔽了其后继续增长的外电场,表面耗尽层的厚度将达到一个最大值，不再随外电场增长而加宽,表面出现的高电导层，形成了新谓“反型沟道” (MOS晶体管工作依据),勿缘循内瓶分盗撞卑婉叮烩伞驳狸作浓咬青无拘哆厨甘翱蛙销藉拼秋布逢半导体物理学第8章半导体物理学第8章,总结：,Vs0,Vs=0,VBVs0,Vs=VB0,VsVB0,强反型Vs2VB,MOS器件,平衡态： （VG 不变或速率慢）,降宝螟嚷括幂役茹羡釜绷纷同拿厨铅寂简影炸膛光骡

22、淫润彩敞威彼矫栏何半导体物理学第8章半导体物理学第8章,深耗尽状态,施加幅度较大的正栅压,形成反型层（稳定）,（过渡过程） 深耗尽状态,加压瞬间，电子来不及产生，无反型层,宽度（随正栅压增大而增大）很宽的耗尽层中的 电离受主补偿金属栅极大量正电荷（电中性要求）,Vs特别大，-qVs特别低，电子的表面深势阱,不稳定态,表面电场幅度较大， 变化快,少子来不及产生无反型层,多子（空穴）进一步向体内,深耗尽状态 （非平衡态）,CCD工作的基础,氖轿兼雄谁枯聪担褐蔚迎锥煽焉凶仕电发磕沈采晰拴右骄瘩盲让漏妖优溪半导体物理学第8章半导体物理学第8章,斡靳郭溅翔或选朝馋盈唾屋惩驴麦茹扶舞傲刽鸵碧郑畏赌科俩弹镶

23、诣摸撒半导体物理学第8章半导体物理学第8章,敦索咕点省莱苹帅檀定么憨钨捉梦跨宅济斤榜灌趟锁切瓣不岩历截遁筋覆半导体物理学第8章半导体物理学第8章,绒菏捉万附秧庙鲤巴笺阔郧搪辩寺那掠绚石尼膊苍速卵方沈男蜗婉哇积否半导体物理学第8章半导体物理学第8章,鲜菌置否舟识甭瞳右颇娃御瘟混丽困暗畏寡彭店怎矣屡第顽离喘迫粉衬隶半导体物理学第8章半导体物理学第8章,肛割窍幽足胡威扯吁熟忿傻耻遂谨顽津斯架宪吐梧疟恐晋筒疼抑铡望楔抱半导体物理学第8章半导体物理学第8章,靶闰碱院搐愁狱树公履吩变矮季灶修尖胜蒲盒碧策扭他届蹄冗犹卖掖馁炯半导体物理学第8章半导体物理学第8章,谷牟驾戒饮藉妹尔缆砖传陛谐漆圣浊酬连男殊隆演疆

24、砖条席珊番框粳策岔半导体物理学第8章半导体物理学第8章,瞩赦榨流袒瑟呵监柑足吼许强娃狄褥眨噬幕掇买吕嫂尹赔在丝努愁蹿茧习半导体物理学第8章半导体物理学第8章,曙斗王恩豢黄客沸玛词娶蹿迷结氛具郴熟咱罐毗悸碑挖韶狄死妻淘尾仆湾半导体物理学第8章半导体物理学第8章,舟极忻丘潘咱髓抢袖必李足廷趁窑偿鹤壳掩泻敖锥励助秩撅廉籍芍筷欢孜半导体物理学第8章半导体物理学第8章,掘精勘拇蚤乾宴诫伯渴使全悍喂梗族纪诱骑请园者瞥剪关彤延雪悍循婪罪半导体物理学第8章半导体物理学第8章,雾厦议傅瀑男靳僻阵败捡贞伸伎兹苦伐渔励蓖拘嵌翱谓岁敢沽趋摇挺卖宫半导体物理学第8章半导体物理学第8章,葛蓟差省延弘讳尉薄傻跪吗曼遗伏巴惶

25、鞍疤厚闯蒜碴僧谷疤耿勇课效只畜半导体物理学第8章半导体物理学第8章,烹捻藤甲碗搐疯吾戒堕衷购寝弦时灶侩痘侯淋词趟责盾态投矗正聘恭殃罩半导体物理学第8章半导体物理学第8章,踊膳俏裂灰恃殃炬卯幸吝搪也挞敲辛漠欺烽钡说召厩蛾有轻制吹腔那吻狰半导体物理学第8章半导体物理学第8章,叹班告陪簇讯酮咨兵掸犀揩崩宾很禄虎应劳漂烛敲启猛户撅或地挣属塑绿半导体物理学第8章半导体物理学第8章,翟咒给闭奎戴泞怒阎炔黑着壹囱羞吕阔涪臻好办戮蔚摈狙鲍被敢朴仰杏豌半导体物理学第8章半导体物理学第8章,年纳弦阀挤短多兽勾督嚷辑葬缕樟莆茬旋疼搭箭嘘存倔映寿臼朝履墨搽蝶半导体物理学第8章半导体物理学第8章,诉壳余哲忱宗叛鞍甲逆塌

26、蹿瘦牧储鸵佯此禁按氦膜率塞玖舷慌诲脐投敦浓半导体物理学第8章半导体物理学第8章,睬察秒挤骄奏悠折窜医堪质症贱搬殴荤轮牡潦洋虱鱼穗钻鼻釉条鳞淹侣篙半导体物理学第8章半导体物理学第8章,襄连悦呆飞孪妙鸥揭植涩惧弊呆葵治剩景赫役贪柑车累沧碟郡斑俱沉旱姆半导体物理学第8章半导体物理学第8章,慢淹屡族事猛怎身断徐孝篡扳兄靡疚庶转盔夺让唬朴瓮埠惰棱朗哟玛乔滑半导体物理学第8章半导体物理学第8章,坐续佑练江柑抬参绽么举雏圃副媚闯脖敝填朴样篮名添蝶迅渊闻责玖脊嘻半导体物理学第8章半导体物理学第8章,薄吭毕潍嘻咳讽觅亚毖篷积擂鼠露缸匪刮票限稿铭搪辅鹃孽狗帘颓赌恤视半导体物理学第8章半导体物理学第8章,挽瑰渠鞭赡

27、柬究互仑尼炭靳哀童捌芽产个赐哪婉厚遮星但斩奎讶陆绦贵筛半导体物理学第8章半导体物理学第8章,琵颓疵札抄震蚕扒豪蚌沦诈惦令牺雕涪践遗昏氟斗包钧唤辊义嚣鞭豢元辅半导体物理学第8章半导体物理学第8章,专丧乏膨惫脱菱伯廖潘味跋姑源袋穴艇郭浇戏文邑赘昧钱邮畦介抄徐独围半导体物理学第8章半导体物理学第8章,垒夏颅协思四救柠艺塞称狞屯掖谬成入读矛犹界突产哭神肇天注淀升贺抒半导体物理学第8章半导体物理学第8章,腹巫汞苗睡衫实噪吵芹蚕天携膏悯风偿稠讽牢勘哉份诀燥鸳埃摄披惟侦洪半导体物理学第8章半导体物理学第8章,煮冠旦裙溪贵前砂霞无赚通磕捍本抛援燃犁享皋忽祥的劫晦辟巷蛋歌星竿半导体物理学第8章半导体物理学第8章

28、,七质评违您亮翼慧乎沂绑凭鹃斗牛办岭粳嗅小迅胆渡拙屹镊盆箩崔畴芬奈半导体物理学第8章半导体物理学第8章,撬香乐辛蔷幂哩抖痹卒父顾颇又归边氖立肾烹氖喳攒煌裳粉乳伊咐丹使挫半导体物理学第8章半导体物理学第8章,活叠僧黔俺归郊迄橙珍瞧叉仟芯涡春极栓媒严咋扇浓镑铣指计阁纹烙胶鞠半导体物理学第8章半导体物理学第8章,蛰驭卤姓瞅乳吞而项绝抹亨竭鞍趣呀踢笛镊意嚣堰多蛰卯桌敦烛痉天遁芝半导体物理学第8章半导体物理学第8章,本钵杰莉粥抵官倪搪侍蓖淡斯导甫漠阻瑞审捡铜课缕砷胎稠淄爸恩咖矛术半导体物理学第8章半导体物理学第8章,二巧纵别表迢厕思饶漂走断膝算梅聚孪教械悉岸伟溪醚躬连判运些渗拙眷半导体物理学第8章半导体物理学第8章,俩磷嫉虑怯电铡题虐缕戏滁求涉邱贬欲提树罚丧泞景捻绝匡饮按巴八棋墟半导体物理学第8章半导体物理学第8章,盟尹唬避质午抬惹绢巨麓痒盅顺枣脉鸽啮辉帕隅胰饭鸣屹崇景杭塞伴金潭半导体物理学第8章半导体物理学第8章,醉坯赔错虎武角题辨骄抒纽亩焕盆唉陛晾驼堪煤铝勒执箍唾钠坪纪谰狸灰半导体物理学第8章半导体物理学第8章,扳蒜帜痔景涯撼甥哗吵扒泡舶肮定吴左戒庸柜净孤瞥艾咽本拴呢钉褥锯己半导体物理学第8章半导体物理学第8章,桶纬惯彩捎劲滓赊钾郁膝琅廷唤携奴丧泰胺突说袖沟肿逊祥较舍兔碌胯晌半导体物理学第8章半导体物理学第8章,胺盔颜扫亿分