数字逻辑课后答案第三章

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2、成电路。金属氧化物半导体集成电路具有结构简单、制造方便、集成度高、功耗结构简单、制造方便、集成度高、功耗低、速度慢的特点。但是速度很慢。2.简述晶体二极管的静态特性？回答“正向导通(相当于开关闭合)、反向截止、反向截止(相当于开关断开)”。硅管的正向压降约为0.7V，锗管的正向压降约为0.3V.3什么主要取决于晶体二极管的开关速度？解决方案晶体二极管的开关速度主要取决于反向恢复时间(二极管从正向到反向导通所需的时间)和导通时间(二极管从反向到正向导通所需的时间)。相比之下，开放时间非常短，通常可以忽略不计。因此，影响二极管开关速度的主要因素是反向恢复时间。敬恢复时间。4.在数字电路中，晶体管通

3、常工作在什么状态？在数字电路中，晶体管一般工作在“关断状态”(相当于关断)和“饱和饱和导通状态”(相当于关断)(相当于关断)。5什么因素决定晶体管的开关速度？晶体管的开关速度主要取决于导通时间t ton on(晶体管从关断状态到饱和状态所需的时间)和关断时间t toff off(晶体管从饱和状态到关断状态所需的时间)，这是影响电路工作速度的主要因素。6.TTL与非门的主要性能参数是什么？TTL与非门的主要外部特征参数包括输出逻辑电平、开门电平、关门电平、输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输延迟、扇出系数、平均传输延迟、输入短路电流、空载功耗和空载功耗。物品。7.7的结

4、构有什么区别。与门和与非门以及一般的与非门？每一种的主要用途是什么？解决方案OCOC门：该电路在结构上将T3和D4从通用TTL与非门电路中去除，使T4的集电极悬空，从而将通用TTL与非门电路的推挽输出级变为三极管开路集电极输出。OC门可用于实现“线与”逻辑、电平转换，并直接驱动发光二极管、簧片继电器等。TSTS门：该电路基于通用与非门，增加了使能控制端和控制电路。当en有效时，处于正常工作状态，当EN无效时，输出端暂停，即处于高阻抗状态。TS门主要用于连接数据和总线，实现总线传输控制，既可用于单向数据传输，也可用于双向数据传输。8.有两个相同型号的TTL与非门，测试结果如下：(1)A的门开度为

5、1.4V，B的门开度为1.5V；(2)甲方的闭合电平为1.0V，乙方的闭合电平为0.9V。当输入相同的高电平时，哪一个抗干扰能力强？当输入相同的低电平时，哪一个抗干扰能力强？当输入相同的高电平时，A的抗干扰能力比A强.因为门开度越小，输入大功率时抗干扰能力越强。当输入相同的低电平时，A的抗干扰能力比A强.由于闭合电平越高，当输入电压较低时，抗干扰能力越强。9.图1(a)示出了由三态门组成的总线换向开关电路，其中A和B是分别发送两个不同频率信号的信号输入端；EN是换向控制端子，控制电平波形如图(b)所示。试着画出Y1和Y2的波形。在图图1 1的电路图和相关信号波形电路图以及相关信号波形解算图中，

6、enen=0=0: YY11=，YY22=ENEN=1=1:Y Y1 1=，Y Y2 2=ABB .据此，Y1和Y2的波形可以如图2所示。图图2 2 2 10。试着画一个CMOS电路图来实现以下功能。(1)CBAF=(2)BAF=(3)DCBAF=解决方案(1)实现的互补金属氧化物半导体电路图如图3所示。CBAF=图3 (2)中实现的互补金属氧化物半导体电路图如图4所示。BAF=图图4 (3)的互补金属氧化物半导体电路图如图5所示。图图5 11。以下哪五个逻辑门可以并行使用？(1) TTL集电极开路栅极；(2)具有推挽输出的普通TTL与非门；(3) TTL三态输出门；(4)共栅；(5) CMO

7、S三态输出门。在上述五个逻辑门中，TTL开集电极门、TTL三态输出门和CCCMOS OS三态输出门的输出可以并行使用。由与非门组成的基本R-S触发器和由或非门组成的基本R-S触发器在逻辑功能上有什么区别？由与非门组成的R R-S S触发器的基本功能如下：R=R=0 0，S=，S=0 0，状态不确定(不允许)；状态不确定(不允许)；R=0，S=1，R=0，S=1，设置为0 0状态；地位；R=1，S=0，R=1，S=0，设置为1 1状态；地位；R=R=1 1，S=，S=1 1，状态保持不变。由基本或非门组成的R-S触发器的基本功能如下：R=R=0 0，S=，S=0 0，状态不变；R=R=0 0，S

8、=，S=1 1，并设置为1 1状态；地位；R=R=1 1，S=，S=0 0，并设置为0 0状态；地位；R=R=1 1，S=，S=1 1，状态不确定(不允许)。状态不确定(不允许)。13在图6(a)所示的d触发器电路中，如果输入d的波形如图6(b)所示，试着画出输出q的波形(让触发器的初始状态为0)。图图6 6电路图、相关波形电路图及相关波形求解根据D触发器的功能和给定的输入波形，输出Q的波形可绘制如图7所示。图图7 7 14。输入信号的波形如图8(a)所示。试画出图8 (b)和(c)中两个触发器的Q端输出波形，并将触发器的初始状态设置为0。图图8 8信号波形、电路信号波形和电路解决方案根据给定

9、的输入波形和电路图，可以画出两个触发器Q端的输出波形QD和QT，如图9所示。图图9 9输出波形图输出波形图15。让电路的初始状态Q1=Q2=0，如图10 (a)所示，输入信号和阴极保护端子的波形如图10(b)所示，试画Q1和Q2的波形。根据给定的输入波形和电路图，可以画出两个触发器的输出端Q1和Q2的波形，如图11所示。图图11116利用T触发器和门电路分别构成D触发器和J-K触发器。解决方案(1)利用子状态方程联合立法，将T触发器和D触发器的子状态方程写成：T触发器的子状态方程：qtq 1(n=D D触发器的子状态方程：qqdq)(D)qqd(dqqqdqqdq)dq(dq 1)(n=通过比

10、较上述两个方程，可以得到由T触发器和QDT=异或门组成的D触发器的电路图(2)采用子状态方程联合立法，将T触发器和JK触发器的子状态方程写成：T触发器的子状态方程：qtq 1(n=JKJK触发器的子状态方程：qkqjkq)q(j)qqkq(j)(QJ)qqqkjkj(qjkjqqqqqq)(n=比较上述两个方程，可以得出由T触发器KK组成的JK触发器的电路图图图1212第3章第3章第1节根据所用半导体器件的不同，集成电路可以分为哪两种类型？他们的主要优点和缺点是什么？双极型集成电路：双极型半导体器件用作元件，其特点是速度快、负载能力强，但功耗高、集成度低。单极性集成电路单极性集成电路：指采用金

11、属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为元件的MOS集成电路。金属氧化物半导体集成电路具有结构简单、制造方便、集成度高、功耗结构简单、集成度高、功耗低、速度慢的特点。但是速度很慢。6.TTL与非门的主要性能参数是什么？TTL与非门的主要外部特征参数包括输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输延迟、输出系数、平均传输延迟、输入短路电流、空载功耗和空载功耗。物品。8.有两个相同型号的TTL与非门，测试结果如下：(1)A的门开度为1.4V，B的门开度为1.5V；(2)甲方的闭合电平为1.0V，乙方的闭合电平为0.9V。当输入相同的高电平时，哪一个抗干扰能力强？当输入相同的低电平时，哪一个抗干扰能力强？当输入相同的高电平时，A的抗干扰能力比A强.因为当输入高电平时，门开度越小，抗干扰能力越强。当输入相同的低电平时，A的抗干扰能力比A强.因为关断电平越高，当输入低电平时抗干扰能力越强。11.以下哪五个逻辑门可以并行使用？(1) TTL集电极开路栅极；(2)具有推挽输出的普通TTL与非门；(3) TTL三态输出门；(4)共栅；(5) CMOS三态