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文档简介
1、防靜電材料物品量測與靜電敏感等級測試介紹,ESD培訓系列教材之,QC 2010.08,教材大綱,一、防靜電材料物品時效性檢驗 二、靜電敏感等級測試介紹 1.靜電放電模型 2.設備的ESD實驗 3.SSD料件的靜電敏感等級測試,防靜電材料物品時效性檢驗,防靜電材料物品技術性能與管理檢查項目:,靜電放電模型,一、人體放電模型(HBM,Human Body Model ) 1)理論介紹:這個測試模型表示放電從人體的指尖傳到器件上的導電管腳,該模型通過一個開關組件,將充了電的100pF電容器,在待測器件和與之相串聯的一個1500電阻上放電。放電本身是有210ns上升時間,和大約150ns脉衝寬度的雙重
2、指數信號波形。使用1500串聯電阻,意味著這個模型接近一個電流源。所有的器件都應該視為HBM敏感器件。 2)電路圖及示意圖:,靜電放電模型,二、機器放電模型(MM,Machine Model ) 1)理論介紹:機器模型的損害主要來源,是能量迅速地從一個帶電的導體傳輸到器件的導電管腳。這個放電模型是200pF電容直接對500nH電感放電,沒有串聯電阻。由於缺乏限制電流的串聯電阻器,這個模型接近一個電壓源。在現實中這個模型代表了物體之間的迅速放電,譬如帶電的電路板裝置,帶電的線纜或一個自動測試的傳導手臂。放電本身是具有58ns上升時間和大約80ns周期的正弦衰減波形。 2)電路圖:,靜電放電模型,
3、三、充電器件模型(CDM,Charged-Device Model ) 1)理論介紹:帶電器件模型損害的主要來源是能量從一個帶電器件迅速的釋放。靜電放電完全與器件相關,但器件零電位面的相對距離,卻能影響實際的失效水平。該模型假定,當帶電器件的導電管腳與具有較低電位的導體平面接觸時,會發生迅速的放電。信號波形的上升時間經常小於200s,整個放電過程可能發生在少於2.0ns的時間里。 2)電路圖:,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,美國國家標準ANSI/ESD STM5.1是國際通用的元件HBM模型靜電放電敏感度測試標準。 一、HBM模型靜電放電敏感度等級分類:,二、必須的設備 1)人
4、體模型靜電放電測試器 ESD測試設備是一個符合標準要求的組合設備。 2)波形驗證設備 設備能夠驗證本標準中脈衝波形,包括:一個示波器、二個評估負載、和一個電流感測器。,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,三、設備和波形要求 6.1 設備校準 按照國家標準對全部的測試設備作校準,包括示波器、電流感測器和高壓電阻負載,最大的校準間隔時間為一年。 6.2 測試器審查和再審查 HBM ESD 測試器的最初審查,應該按照交貨或第一次使用時的標準進行審查。 HBM ESD測試器的再審查,應該按照製造者的建議執行,再審查測試的最大間隔時間是一年。 PS:修理或者維護之後可能影響波形, 此時需要對測
5、試儀器作校正。 6.3 測試器波形記錄 新設備在最初審查時,需要對正、負極性的波形作記錄,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,四、零件敏感等級測試要求和程式 1)靜電敏感等級測試要求 A.測試之前、之中、之後始終對DUT採取完全的ESD防護措施 B.使用短路線在1000V或測試電壓下對波形的完整性進行驗證 C.測試DUT在運轉和非運轉狀態下的電性能參數 D.確定所有可能的管腳組合,隨DUT不同而不同,取決於同樣名稱的電源管腳的組合。 2)靜電敏感等級測試程式 A.最少抽取3個測試樣品,測定它們在運轉和非運轉狀態下的電性能參數。 B.確定測試起始電壓與初始的管腳組合 C.對元件施加一個
6、正的和負的電流脈衝,脈衝之間允許最小為0.3秒的間隔,然後對所有其他的管腳組合重複這一過程。 D.在室溫下測試元件在運轉與非運轉狀態下的電性能參數,如果3個元件的電性能參數均符合規格,則使用靜電敏感等級中更高一級的電壓重複以上測試步驟。 E.如果有元件失效,則使用3個新的元件,使用一個較低的電壓重做敏感度測試。如果此元件仍然失效,再減小測試電壓級別作測試,直到測試電壓為250V。,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,五、失效判定標準 被測試的元件不符合規定的電性能參數。 典型的IC零件示意圖: 1.對任意一個I/O管腳的可能的測試組合:,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,
7、a.PS-模式:VSS腳接地,正的ESD電壓出現在該I/O 腳對VSS腳放電,此時VDD與其他腳皆浮接; b.NS-模式:VSS腳接地,負的ESD電壓出現在該I/O 腳對VSS腳放電,此時VDD與其他腳皆浮接; c.PD-模式:VDD腳接地,正的ESD電壓出現在該I/O 腳對VDD腳放電,此時VSS與其他腳皆浮接; d.ND-模式:VDD腳接地,負的ESD電壓出現在該I/O 腳對VDD腳放電,此時VDD與其他腳浮接。 2.pin-to-pin放電可能的測試組合 a.Positive-模式:正的ESD電壓出現在某一I/O 腳, 此時所有其他I/O 腳皆一起接地,但所有的VDD腳 與VSS腳皆浮接
8、; b.Negative-模式:負的ESD電壓出現在某一I/O 腳, 此時所有其他I/O 腳皆一起接地,但所有的VDD腳 與VSS腳皆浮接。,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,3.VDD-to-VSS的可能放電模式 a.Positive-模式:正的ESD電壓出現在VDD腳, 此時VSS腳接地, 但所有I/O 腳皆浮接; b.Negative-模式:負的ESD電壓出現在VDD腳, 此時VSS腳接地, 但所有I/O 腳皆浮接。 靜電放電故障判斷 常見的有下述三種方法 : 絕對漏電流:當IC被ESD測試後,其I/O腳的 漏電流超過1A(或10A)。漏電流會隨所施加的偏壓大小增加而增加.
9、相對I-V漂移:當IC被ESD測試後,IC內部的I-V特性曲線漂移量在30% 。 功能觀測法: 先把功能正常且符合規格之IC的每一支管腳依測試組合打上ESD測試電壓,再 拿去測試其功能是否仍符合原來的規格。 對同一IC而言,用不同的故障判定準則,可能會有不同的靜電敏感等級,因此ESD敏感等級要在有注明其故障判定準則條件之下,才顯得有意義!,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,測試次數計算: 假設一顆40pin的IC (38支I/O,1支VDD ,1支VSS),其人體放電模式(HBM)自1400V 測到2000V, 每次ESD電壓增加量為100V的情形下,所要測試的次數: 每一測試腳在
10、變化ESD電壓之下的Zap次數= (2000-1400)/ 100+ 1=7次; 每一支I/O管腳的測試組合 = 4種,38支I/O管腳的總測試次數=38支4 種7次= 1064次; Pin-to-Pin 靜電放電測試之次數=38支2種7次=532次; VDD-to-VSS靜電放電測試之次數=1支2種7=14次; 故該40腳位IC的ESD(14002000V)總測試次數=1610次。 由上述的簡單估算可知,一具有40腳位的IC,只從1400V測到2000V,每一次電壓調升100V,則要1610次的ESD放電測試。以上所談的ESD測試次數是指HBM測試,若該IC也要做MM以及CDM的ESD測試,
11、則還要再加上MM及CDM的ESD測試次數。,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,測試結果的判讀:假設下表為某一個IC的靜電敏感等級測試數據。,ANSI/ESD STM5.1-2007介绍,測試腳4是VDD,測 試腳17是VSS,其他為輸入或輸出腳。表中“OK”表示其ESD耐壓超過8KV以上。對I/O腳有四種測試模式,先看第7腳,其ESD耐壓分別為4250V(PD-模式),-500V(ND-模式),4000V(PS-模式),以及 -5750V(NS-模式),此第7腳的靜電放電故障臨界電壓(ESD failure threshold)定義為其四種測試模式下的最低值,即此第7腳的ESD failure threshold為500V。再看第11腳,其ESD耐壓分別為7250(PD-模式),超過8000V(ND-模式),7250(PS-模式),以及超過8000V(NS-模式),此第11腳的ESD failure threshold為7250V。依此類推,每一腳都有其ESD failure threshold。而此顆IC的ESD failure threshold定義為所有IC腳中ESD failure threshold最小的那個電壓值,因此,該顆IC的ESD failure threshold僅為500V。在一批相同的IC中,要隨機取樣一
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