第4章常用电子元器件的识别与测试.ppt

1、,电阻器,电位器,电容器,电感器,半导体分立元件,集成电路,一、电阻器,1、电阻器的电路符号,电阻器在电路图中用字母R表示，常用的图形符号如图所示 。,2、电阻的单位,3、电阻器的分类,4、常用的电阻,碳膜电阻 金属膜电阻,线绕电阻,光敏电阻 压敏电阻 热敏电阻,水泥电阻结构,5、电阻器型号的命名方法,6、电阻器的主要参数,见表4-1-1,压敏电阻参数,光敏电阻参数,7、电阻器的标注方法,示例：,8、电阻器的测试,9、电阻的应用,（1）、限流作用： a.当要求加于负载上的电压低于电源电压时，电阻与负载串联限制流过负载的电流。 b.在加电瞬间电流大，随时间电流减小的这类性质的负载，串联电阻用电路

2、或人工 方法改变电阻大小使负载电流维持稳定。 （2）、分压作用： （3）、分流作用： （4）、IV变换： （5）、制作直流中性点,10、使用注意事项 （1）、非等值电阻串联时，阻值大的消耗功率大，阻值小的消耗功率小。 即大阻值电阻选择功率要大。小阻值电阻选择功率可小。 （2）、非等值电阻并联时，阻值大的电阻消耗功率小。 （3）、电阻两端电压与流过电流相位相同。,根据,有,可见，电阻上的电流与其两端的电压同频率同相位。,1、电阻电流与电压同相位,2、电阻是耗能元件,可见，电阻吸收的瞬时功率有两部分组成，瞬时功率在任何瞬间总是大于或等于零的。说明电阻是消耗功率的元件。,瞬时功率：,设,平均功率（有

3、功功率）：,理论知识复习,二、电位器,1、电位器的电路符号,电位器在电路中用字母RP表示，常用的图形符号如图所示 。,2、电位器的分类,3、电位器的主要参数,4、电位器的标注方法,5、电位器的安装,见表4-2-2,6、电位器的测试,三、电容器,1、电容器的电路符号,电容器在电路图中用字母C表示，常用的图形符号如图所示 。,2、电容的单位,3、电容器的分类,电容器的命名方法,4、常用的电容器,独石电容器,电解电容器,陶瓷电容器,5、电容器的主要参数,6、电容器的标注方法,7、电容器的测试,（4）电容器的使用： 1、用容量大一倍的两个有极性电容反极性串联可代替无极性电容器。 2、非等容串联时，由于

4、两个电容器充电电压总合等于电路电压， 这时容量大的充电电压低。容量小的充电电压高。,注意P97表述有误,设,则,可见，电容电流与电压是同频率的正弦量，且电流超耗前电压,根据电流的定义有,也可写成,微积分运算运算 和波形变换,实现移相,隔直通交,理论分析：,超前移相,滞后移相,8、电容器特性与应用,（1）、阻碍低频低频、导通高频,a.交流信号耦合 b.交流信号旁路 c. 隔离直流 d. 频率分配 e. 市电降压,低音 高音,C,根据 对于市电,于是,则降压电容：,（2）根据电容电压不能突变原理，构成滤波电路 （3）根据电容电流超前电压 原理 a.构成移相电路.（超前移相）,当 f=800HZ,C

5、=0.047 ,R=2500,则，,b.用做单相电机的启动电容,（4）根据,可实现信号运算和波形变换,2、电感器的分类,四、电感器,1、电感器的电路符号,电容器在电路图中用字母L表示，常用的图形符号如图所示 。,电感的命名方法,3、常用的电感器,常用的电感器,4、电感器的主要参数,5、电感器的标注方法,直标法：直标法是在小型固定电感器的外壳上直接用文字标出电感器的主要参数，如电感量、允许误差值、最大直流工作的对应电流等。其中，最大直流工作电流常用字母A、B、C、D、E等标注，字母和电流的对应关系如下表所示。电感量的允许误差用、即5%、10%、20%表示。 示例：电感器的外壳上标有3.9 mH、

6、A、等字样，则表示其电感量为3.9 mH，误差为10%，最大工作电流为A挡（50 mA）。,6、电感器的测量,7、电感器应用,可见，电感在电路中不消耗能量 仅与电源进行能量交换 。,理论知识复习：,可见，感应电动势与频率、匝数、和磁通量成正比，,理论知识复习：,1、阻碍交流，导通直流，在交流电路中起阻流降压作用。 2、与电容配合实现选频、陷波、谐振、分频、滤波等。 3、移相 4、变压、变流 、变阻。 5、传输电能、信号。,中周命名与代号,五、半导体分立元件,晶体管的命名法,二极管,B,2二极管 3三极管,B,C,C,三极管,中国：,A,日本：,A B PNP C D NPN 高频 低频,例如：

7、2SD8201A低频NPN管，A表示改进型D8201A,美国：,欧洲：,C D 低频 F L 高频 小功率 大功率,S小功率开关管 U大功率开关管,例如：BU208A硅大功率开关管,韩国：,四位数字表示,1、半导体二极管,理论知识,为温度的电压当量,二极管的结构,（2）半导体二极管的分类 按材料分类有：锗（ ）二极管、硅（ ）二极管等。 锗二极管与硅二极管性能主要区别在于：锗管正向压降比硅管小（锗管为0.20.3V，硅管为0.60.7V），锗管的反向电流比硅管大（锗管为几百毫安，硅管小于1A）。 按制作工艺分类有：面接触二极管和点接触二极管。 按用途分类有：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、

8、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管等。,常见二极管的外形,检波二极管参数,整流二极管参数,变容二极管参数,玻封硅开关二极管参数,稳压二极管参数,红外发光二极管参数,变色发光二极管参数,阻尼二极管参数,单桥硅堆和全桥硅堆,双向触发二极管,2、半导体三极管,常用三极管的外形,达林顿管的结构,达林顿管外形,达林顿管参数,单结晶体管,单结晶体管的应用,3、场效应管,绝缘栅型结构(N沟道),4、晶闸管(可控硅),双向晶闸管,六、集成电路,1、集成电路的型号与命名,国产集成电路的型号命名,2、集成电路的分类,3、数字集成电路的特点与分类,数字集成电路的分类：,常用TTL（74系列）数字集成电路,常用CMOS（C000系列）数字集成