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文档简介

1、电路设计与仿真技术,第3章 之半导体器件,昝宏洋,概要,1.1 二极管 1.2 双极型晶体管 1.3 MOS场效应晶体管 1.4 结型场效应晶体管 1.5 砷化镓场效应晶体管,1.1 二极管,模型语句： DXXX N+ N- MNAME .MODEL MNAME D (PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ),1.2 双极型晶体管,语句格式： QXX NC NB NE MNAME .MODEL MNAME NPN(PNP) (PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ) 举例： Q47 3 7 2 QMOD IC=0.6 2.0 .MODEL QMOD NPN (IS=

2、14.34 .),1.3 MOS场效应晶体管,描述语句及模型语句： MXXX ND NG NS NB MNAME .MODEL MNAME NMOS(PMOS) (PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 .) L，W是沟道长度和宽度 AD和AS是漏和源扩散区的面积,1.4 结型场效应晶体管,描述语句及模型语句： JXX ND NG NS MNAME .MODEL MNAME NJF(PJF) (PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ),举例：,1.5 砷化镓场效应晶体管,描述语句及模型语句： BXXX ND NG NS MNAME .MODEL MNAME GASFET

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