正负片流程区别简介

1、正負片流程區別簡介,制作者：Leo _ Qiu,1,簡介大綱,名詞解釋 正片流程簡介 負片流程簡介 正負片流程區別 正負片流程優缺點,2,正片流程 又稱tenting流程，所用底片為負片底片。 負片底片 “所見非所得”，底片透明部份是要保留圖形。,名詞解釋,透明部分是要保留的圖形,3,負片流程 又稱pattern流程，所用底片為正片底片。 正片底片 “所見即所得”，底片黑色部份是要保留的圖形。,名詞解釋,黑色部份是要保留的圖形,4,正負片基本流程對照,5,正片流程詳細介紹,全板電鍍 利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達到RD要求。,清潔板面，去除鑽孔後的burr。,利用KMnO4的強氧化性，除去

2、孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。,利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,6,正片流程詳細介紹,外層,經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。,將乾膜貼附在基板表面，為影像轉移做準備。 所用乾膜貼附力好，tenting能力強。,使用負片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。,利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。,7,正片流程詳細介紹,外層,利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨。 酸性蝕刻液成份：H2O2/

3、HCl系列或NaClO3/HCl系列,利用去膜液（NaOH）將蝕刻後線路表面乾膜去除，使線路顯現出來。,8,負片流程詳細介紹,一銅 目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。,清潔板面，去除鑽孔後的burr。,利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。,9,負片流程詳細介紹,外層,使用正片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。,經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。,將乾膜

4、貼附在基板表面，為影像轉移做準備。 所用乾膜抗鍍性較好。,利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。,10,負片流程詳細介紹,二銅,將孔銅&面銅鍍到RD要求,鍍錫，保護蝕刻時圖形不被蝕刻掉。,11,負片流程詳細介紹,蝕刻,去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來，以便藥水咬蝕。,利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆盖之銅咬蝕乾淨，需要保留的圖形由錫保護，完成圖形。 鹼性蝕刻液成份：氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）,錫已完成使命，將錫去除。,12,正負片流程區別,13,正片流程 優點： 能夠製作無Ring NPTH孔及較大的NPTH孔。（NPTH孔無需tenting保護） 能夠製作外層兩面殘銅率較大的PCB。 （整板电镀不受殘銅率影響） 流程短，成本相對低。 缺點： 無法製作較大的PTH孔。（Tenting能力限制） 不宜製作高孔銅&厚面銅的PCB。 （面銅太厚，不易蝕刻） 負片流程 優點： 能夠製作無Ring PTH孔及較大的PTH孔。 （PTH孔無需tenting保護） 能夠製作高縱橫比&厚孔銅&厚面銅的PCB。 （蝕刻只需要咬蝕底銅+一銅） 缺點： 無法製作較大的NPTH孔。（乾膜能力限制）