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文档简介
1、正負片流程區別簡介,制作者:Leo _ Qiu,1,簡介大綱,名詞解釋 正片流程簡介 負片流程簡介 正負片流程區別 正負片流程優缺點,2,正片流程 又稱tenting流程,所用底片為負片底片。 負片底片 “所見非所得”,底片透明部份是要保留圖形。,名詞解釋,透明部分是要保留的圖形,3,負片流程 又稱pattern流程,所用底片為正片底片。 正片底片 “所見即所得”,底片黑色部份是要保留的圖形。,名詞解釋,黑色部份是要保留的圖形,4,正負片基本流程對照,5,正片流程詳細介紹,全板電鍍 利用整板電鍍的方法,使孔銅和面銅達到RD要求。,清潔板面,去除鑽孔後的burr。,利用KMnO4的強氧化性,除去
2、孔內膠渣,增加孔內表面積,提高孔銅與孔壁結合力。,利用化學沉積方法,使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅,讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,6,正片流程詳細介紹,外層,經過刷磨+微蝕,清潔並粗化表面,增加乾膜附著力。,將乾膜貼附在基板表面,為影像轉移做準備。 所用乾膜貼附力好,tenting能力強。,使用負片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜,乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應,從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。,利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解,留下已曝光的乾膜。,7,正片流程詳細介紹,外層,利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨。 酸性蝕刻液成份:H2O2/
3、HCl系列或NaClO3/HCl系列,利用去膜液(NaOH)將蝕刻後線路表面乾膜去除,使線路顯現出來。,8,負片流程詳細介紹,一銅 目的:在孔壁上電鍍一層基銅,以便二銅電鍍。,清潔板面,去除鑽孔後的burr。,利用化學沉積方法,使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅,讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,利用KMnO4的強氧化性,除去孔內膠渣,增加孔內表面積,提高孔銅與孔壁結合力。,9,負片流程詳細介紹,外層,使用正片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜,乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應,從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。,經過刷磨+微蝕,清潔並粗化表面,增加乾膜附著力。,將乾膜
4、貼附在基板表面,為影像轉移做準備。 所用乾膜抗鍍性較好。,利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解,留下已曝光的乾膜。,10,負片流程詳細介紹,二銅,將孔銅&面銅鍍到RD要求,鍍錫,保護蝕刻時圖形不被蝕刻掉。,11,負片流程詳細介紹,蝕刻,去掉乾膜,將不需要的銅顯露出來,以便藥水咬蝕。,利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆盖之銅咬蝕乾淨,需要保留的圖形由錫保護,完成圖形。 鹼性蝕刻液成份:氯化銨(NH4Cl)和氨水(NH3H2O),錫已完成使命,將錫去除。,12,正負片流程區別,13,正片流程 優點: 能夠製作無Ring NPTH孔及較大的NPTH孔。(NPTH孔無需tenting保護) 能夠製作外層兩面殘銅率較大的PCB。 (整板电镀不受殘銅率影響) 流程短,成本相對低。 缺點: 無法製作較大的PTH孔。(Tenting能力限制) 不宜製作高孔銅&厚面銅的PCB。 (面銅太厚,不易蝕刻) 負片流程 優點: 能夠製作無Ring PTH孔及較大的PTH孔。 (PTH孔無需tenting保護) 能夠製作高縱橫比&厚孔銅&厚面銅的PCB。 (蝕刻只需要咬蝕底銅+一銅) 缺點: 無法製作較大的NPTH孔。(乾膜能力限制)
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