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1、Flash Memory,Flash存储器的介绍 Flash存储器的厂家 Flash存储器的种类,定义：,1、FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。 2、对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。,存储结构,1、在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置

2、，一般其起始地址从0 开始，如图1 所示。 2、Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。 下面这幅图是 Flash 存储器的简单示意图，此图形象的体现了Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的，其基地址如图2 所示。,图1 存储器系统示意图,图 2 Flash 存储器示意图,Flash存储器的厂家,全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不

3、同，分为几大阵营,分类,1、NOR技术 2.NAND技术 3.AND技术 4. SPI技术（SPI FLASH） 5.EEPROM FLASH MEMORY,NOR FLASH,特点： 1、具有可靠性高、随机读取速度快的优势 2、程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行 3、可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作 （擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大 ，操作费时） 用途：PC的BIOS固件

4、、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等,NOR FLASH,NOR技术中另一种DINOR技术，DINOR(Dividedbit-lineNOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术，从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足,NAND FLASH,介绍： Samsung、Toshiba和Fujitsu支持NAND技术FlashMemory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIAATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心,NAND FLASH,特点： NAND技术FlashMem

5、ory具有以下特点：(1)以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。(2)数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。(3)芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bitcost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。(4)芯片包含有失效块，其数目最大可达到335块（取决于存储器密度）,NAND FLASH,AMD与Fujitsu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术 它与N

6、AND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势,AND Flash Memory,定义： AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的FlashMemory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。 用途： Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。,SPI F

7、LASH,SPI：serial peripheral interface串行外围设备接口 是一种常见的时钟同步串行通信接口。 外置flash按接口分有总线flash，SPI flash。 总线flash需要你的MCU ( Micro Control Unit )上有外部总线接口，SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写。 速度上，总线flash比SPI的快，但是SPI的便宜。,EEPROM FLASH MEMORY,EEPROM FLASH MEMORY与EEPROM的区别： EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高 而EEPROM FLASH MEMORY灵活性差于EEPROM，不能直接改写数据，成本低于EEPROM，存储密度比EEPROM大,芯片封装技术,芯片封装形式主要以下几种：DIP，TSOP，PQFP，BGA，CLCC，LQFP，SMD，PGA，MCM，PLCC等。,DIP封装,定义： DIP封装（Dual In-lin