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文档简介
1、PECVD的原理及设备结构,PECVD: Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积 等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样的物质就会变成自由运动并由相互作用的电子、正离子和中性粒子组成混合物的一种形态,这种形态就称为等离子态即第四态.,PECVD的原理,工作原理:Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下,等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可
2、以根据改变硅烷对氨气的比率,来得到不同的折射指数。在沉积工艺中,伴有大量的氢原子和氢离子的产生,使得晶片的氢钝化性十分良好。,PECVD的原理,技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。,PECVD的原理,3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2,Si3N4的认识: Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化,其理想的厚度是7580nm之间,表面呈现的颜色是深蓝色,Si3N4膜的折射率在2.02.5之间为最佳,与酒精的折射率相乎
3、,通常用酒精来测其折射率。 Si3N4的优点: 优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能(厚度折射率匹配)低温工艺(有效降低成本) 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化.,PECVD的原理及作用,物理性质和化学性质: 结构致密,硬度大 能抵御碱、金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好,PECVD的原理,Si3N4膜的作用: 减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。,PECVD的原理,PECVD设备结构,晶片装载区 炉体 特气柜 真空系统 控制系统,PECVD设备结构示意图,晶片装载区:桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。 桨:由碳化硅材料制成,具有耐
4、高温、防变形等 性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。 LIFT:机械臂系统,使舟在机械臂作用下在小 车、桨、储存区之间互相移动。 抽风系统:位于晶片装载区上方,初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体 SLS系统:软着落系统,控制桨的上下,移动范围在23厘米,PECVD设备结构,炉体:石英管、加热系统、冷却系统 石英管:炉体内有四根石英管,是镀膜的作业区域,耐高温、防反应。 加热系统:位于石英管外,有五个温区。,PECVD设备结构,PECVD设备结构,冷却系统: 是一套封闭的循环水系统,位于加热系统的金属外壳,四进四出并有一个主管道,可适量调节流量大小。 冷却系统的优点: 没有消耗净室空气
5、不同管间无热干涉 炉环境的温度没有被热空气所提升 空气运动(通风装置)没有使房间污染 噪音水平低,冷却系统示意图,特气柜:MFC 气动阀 MFC:气体流量计(NH3 CF4 SiH4 O2 N2) SiH4 1.8 slm NH3 10.8 slm CF4 3.6 slm O2 3 slm N2 15 slm 气动阀:之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易产生火花,而气动阀可以最大程度的避免火花。,PECVD设备结构,真空系统 真空泵:每一根石英管配置一组泵,包括主泵和辅助泵。 蝶阀:可以根据要求控制阀门的开关的大小,来调节管内气压的,PECVD设备结构,控制系统 CMI:是 Centrot
6、herm 研发的一个控制系统,其中界面包括 Jobs(界面) 、System(系统)、Catalog(目录)、Setup(软件)、Alarms(报警)、Help(帮助). Jobs:机器的工作状态。 System:四根管子的工作状态,舟的状态以及手动操作机器臂的内容。 Datalog:机器运行的每一步。,PECVD设备结构,PECVD设备结构,Setup: 舟的资料的更改,工艺内容的更改,使用权限 的更改,LIFT位置的更改,CMS安区系统 (安装的感应器将监控重要系统的运行情况,而一旦不受管的计算机的控制,CMS将会发生作用,所有的错误信息也都会在CIM上得以简洁的文本方式显示出来)的更改等。 Alarms:警报内容 Help:简要的说了一下解除警报以及其他方面的方法 CESAR:控制电脑,每一个系统都安装了CESAR控制电脑及CESAR 控制软件,此控
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