计算机组成原理实验二报告

1、实验（二）存储器实验1、 实验目的1 深入理解计算机内存储器的功能，组成知识。2深入的学懂静态存储芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储系统的方法（即字，位扩展技术），控制其运行方式2、实验内容1.完成存储器扩展的实验，需要为扩展内存选择一个地址，并注意读写和OE等控制的正确状态。2.用监控程序的D,E命令对存储器进行读写，比较RAM，EEPROM，EPROM在读写上的异同。3.用A命令写一段程序，对RAM进行读写，用D命令查看结果是否正确。4.用A命令写一段程序，对扩展存储器EEPROM进行读写，用D命令查看结果是否正确，如果不正确，分析原因，改写程序，重新运行。3、实验步骤1.检查FPG

2、A下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接，标有ROMLCS和RAMLCS的插针短接。2.RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。1用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。 在命令行提示符状态下输入： E 2020 在命令行提示符状态下输入： D2020 断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元20202023的值。 2用A命令输入一段程序，执行并观察结果。 在命令行提示符状态下输入

3、： A 2000 在命令行提示符状态下输入： T 2000 在命令行提示符状态下输入： G 2000 在命令行提示符状态下输入： R3. 将扩展的ROM芯片（27或27系列的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROMP”的自锁进插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不对，会导致芯片毁坏，然后锁紧插座。4. 将扩展芯片右边的插针按下列方式短接：将EXTROMH芯片右上方的标有“WE”“ALL”的插针下面两个短接，将他右边标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插座左边两个短接，标有XTROMLCS的插针短接，标有“TEC”“OE”“G

4、ND”“FPGA”的四个指针上边一排左边的两个短接。5. 在第四部中用户可以将右侧标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插针左边两个短接这表示扩展的ROM的内存地址是从4000H开始，可用空间是4000H5FFFH，用户可在这个范围内输入程序或改变内存单元的值，也可以将这个插针断开，将标有/CS的圆孔针与标有MEM/CS的一排圆孔针中的任意一个用导线相连；注意连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。6. 将标有“DataBus15-8”和“DataBus7-0”的数据总线的指示灯下方的插针短接；7. 将标有“AdressBus15-8”和“AdressBus7-0”的数据总线的指

5、示灯下方的插针短接；AT28C64B的读写操作和一般的RAM一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。在E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。E 5000屏幕将显示： 5000 内存单元原值：按如下形式键入：5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值： 5050在命令行提示符状态下输入： D 5000屏幕将显示5000H507FH内容单元的值，从5000开始的连续四个内存单元的值一次为24243636 4848 5050.断电后重新启动，用D命令观察看内存单元50005003的值，会发现这四个单元的值没有发生改变，说明EEPROM的内容断电后可保存。2）AT28C64B 存储器不能直接用A命令出入程序，单字节的指令可能会写进去，双字节指令的低位会出错（建议试一试），可将编写好的程序用编程器写入片内；也可以将程序放到RAM（6116）中，调用延时子程序，访问AT28C64B中的内存地址。运行主程序，在命令提示符下输入： G 2000程序执行结束后，在命令提示符下输入： D