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文档简介

1、q=1.610-19C；kT/q=0.026V (T=300K)；ni(Si)= 1.51010/cm3；ln102.30；(Si)110-12 F/cm,1、室温下某突变PN结的ND=2.251015/cm3, NA=2.251018/cm3，试求：a、np0、pn0、nn0、pp0（4分）b、外加0.26V时的P区势垒区边界处的非平衡空穴浓度（8分）c、外加-0.52V时的N区势垒区边界处的非平衡空穴浓度（e102.2104，e204.85108）（8分）,2、某P+N-N+ 结雪崩击穿临界电场Ec为32V/m，当N- 区的长度足够长且掺杂浓度为ND=11015/cm3，试求：a、击穿时的

2、N-区空间电荷区宽度（8分）b、此时的击穿电压（8分）c、如果施加反向电压使得最大电场强度为16V/m，此时的反向电压为多少？（8分）d、如果把此N-区换成一宽度为15m的本征I层，试求此P+IN+ 结的击穿电压（8分）（内建电势Vbi相对于反偏电压可忽略不计，不考虑N-N+ 结）,3、某PN结ND=2.251015/cm3, NA=2.251018/cm3，其P区中性区宽度为100m，N区中性区宽度为2m，少子扩散长度Lp=10m，Ln=20m，Dp=1cm2s-1，Dn=10cm2s-1，试求此PN结在正向电压为0.52V时的电流密度J（此时为小注入，e204.85108）（18分）,4、一个均匀掺杂的PNP型硅双极型晶体管工作于放大区（室温）。WB=1.0 m，WE=100 m，DE= 12.1cm2/s，E=1.610-6 s，DB=4 cm2/s，B= 110-6s。晶体管掺杂浓度为NE=2.251018/cm3，NB= 2.251016/cm3，NC = 2.251015/cm3，发射结偏压VEB为0.52 V，试计算：（e204.85108）a、nE0 、pB0和pC0 ；（3分）b、基区输运系数*；（6分）c、发射结

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