Array工艺原理及工程检查-检查

1、1,Array检查概要,2,内容：,Array检查流程 检查项目及使用装置 TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查,3,ARRAY 检查流程,4,检查设备一览表,5,ARRAY检查流程,TN：4Mask Process,G工程,O/S检查,AOI检查,Laser Repair,D/I工程,G检,AOI检查,Laser Repair,Laser CVD,D检,C工程,PI工程,特性检查,Array Test,Laser Repair,MMO,最终检查,GPR显影后检查,DPR显影后检查,CPR显影后检查,PIPR显影后检查,6,Array检查项目,TN的G检 TN的D检 TN的A检

2、 TN的显影后检查,7,TN的G检,使用设备：O/S检查、自动外观检查、激光切断,检查目的：通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查，对于检出 的短路可以进行修复,对应措施：,8,TN的D检查,检查目的,通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查、可以检出图形缺陷、工程不良和异物付着等缺陷。对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复,使用设备,自动外观检查装置(ORBOTECH ) LaserRepair装置（NEC） LaserCVD装置（NEC）,检出缺陷,9,TN的D检查流程,10,11,Drain 刻蚀 剥離完成,自动外观检查,激光切断 （短路）,激光CVD （断路）,激光切断,根据座

3、标数据对短路的部分进行激光切断,D-D短路 点缺陷（将来）,激光 CVD,根据座标数据对断路的部分进行激光CVD修复,断路,12,自动外观检查装置示意图,13,检查方法概略,取得画像,画像处理 （比较）,例）,例）,Lot NoPanel No缺陷No X座標座標 Size Mode等,例）,重复比较相邻画素图案,对Array基板全面扫描使用Sensor进行取像,（、）,area 3,Origin,获得缺陷情报,14,缺陷检出方式,Real time buffer,Delayed buffer,Defect detection,Difference,No Difference,Differen

4、ce,15,实时缺陷信息,16,D工程后象素图形,17,D工程后短路缺陷,18,TN的Array检查流程,检查目的,检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复,使用设备,Array检查装置(岛津) 激光切断装置（NEC）,检出缺陷,19,TN的Array检查流程,Array基板完成品,Array检查,激光切断,短路,PI工程完成后，使用Array检查装置对基板进行电气特性检查。对于短路不良，之后可以用激光切断装置进行修复,20,TN的Array检查流程,Array检查装置,激光切断 （短路）,Array检查装置,激光切断 （短路）,检查结果例 Sheet No Panel 、 Panel 、,Array检查装置（全数）,对Array基板的完成品进行缺陷检出,点缺陷,激光切断,根据座标数据对短路的部分进行激光切断,点缺陷,21,检查的基本原理,高能量电子束打在TFT基板上,给TFT基板加电压,二次电子从ITO上出射,测量ITO电极上的二次电子信号,非正常电压为基板上有缺陷,22,装置的外观图,23,电子枪的外观图,E-GUN外観,S1用、電子銃搭載,24,Array工程完成品象素图形,25,特性检查装置,Sheet内的点（像素）