练习1到练习5

1、练习一一、填空(16分)1半导体二极管的主要特性是_ 。2三极管工作在放大区时，发射结为_ 偏置，集电结为_偏置；工作在饱和区时发射结为_偏置，集电结为_偏置。4为提高放大电路输入电阻应引入_反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_反馈。5乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =_、静态时的电源功耗PDC =_。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_，但这种功放有_失真。6在串联型稳压电路中，引入了负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在_区域。二、选择正确答案填空(24分)1在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。A

2、.NPN 型硅管 BNPN 型锗管 CPNP 型硅管 DPNP 型锗管2某场效应管的转移特性如图所示，该管为( )。 AP沟道增强型MOS管BP沟道结型场效应管CN沟道增强型MOS管DN沟道耗尽型MOS管3在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。A差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。B.差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。C差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。D差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。4通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。A输入电阻高 B输出电阻低 C共模抑制比大 D电压

3、放大倍数大5在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A减小C，减小Ri B减小C，增大RiC增大C，减小Ri D增大C，增大 Ri6如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。A1500 B80 C50 D308已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。A积分运算电路 B微分运算电路 C过零比较器 D滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。1分别指出V1、V2的电路组态；2画出

4、图示电路简化的H参数微变等效电路；3计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)四、图示运算放大电路中，已知uI1 = 10 mV，uI2 = 30 mV，求uO = ？(10分)六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12分)1它们是正反馈还是负反馈？2是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？3它们属于何种组态？八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240，电容C = 200 F。求：(8分)1整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？2当电

5、网电压在 10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？练习二一、 填空：(18分)2在三极管多级放大电路中，总的电压增益 = ；Au1是_放大器；Au2是_放大器；Au3是_ 放大器。3单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =_A。5在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。6甲类放大电路是指放大管的导通角为 ；乙类放大电路则其放

6、大管的导通角为 ；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 。二、选择正确答案填空(9分)1图示电路中二极管是理想的，电阻R为6。当普通指针式万用表置于R X 1 档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万用表的指示值为 。a18 ； b9 ； c3 ； d2 ； e0 。2有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。a输入电阻大； b输入电阻小； c输出电阻大； d输出电阻小3某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 k 的负载电阻后输出电压降为3 V。这说明放

7、大电路的输出电阻为 。a10 k ； b2 k ； c1 k ； d0.5 k 。二、 三、判断下列管子的工作状态(10分)1测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。三、四、 四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。1求静态工作点(IB、IC、UCE)；2画出半边对称放大电路的微变等效电路；3当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各

8、输出电压Uo的值。(10分)五、六、七、八、 七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1试判断级间反馈的极性和组态；九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为 12 V。(12分)练习三一、填空(26分)1杂质半导体有_型和_型两种；双极型晶体管的结构有_型和_型两种；场效应管根据导电沟道不同有_和_两种。2图中二极管为理想器件，V1工作在_状态；V2工作在_状态；UA为_V。3三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电

9、极是：A为_极、B为_极、C为_极，晶体管为_型三极管。5若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为_dB，折合为_倍。二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：1静态工作点；2画出微变等效电路；3电压放大倍数 及输入电阻Ri、输出电阻Ro。(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件， (8分)四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出

10、电压幅值为12 V。1试说明A1、A2、A3各组成什么电路？2A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？3若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)六、图为一高通有源滤波电路。设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。(8分)七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。1指出这是两个什么类型的电路；2画出它们的电压传输特性。(10分)练习四一、填空(20分)1在常温下，硅二极管的门槛电压约为_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V；锗二极管的门槛电压约为 _V，导通后在

11、较大电流下的正向压降约为_V。2场效应管属于_控制型器件，而晶体三极管则是_控制型器件。3某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = 2 V称为该管的 电压。4已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为_，上限频率为 ， 5在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 =

12、，共模输入信号 DUIc = 。二、两级放大电路如图所示，已知三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 k，rbe2 = 1.3 k，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共14分)1试说明V1和V2各组成什么电路组态？2画出中频区的H参数微变等效电路；3计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4计算中频区源电压放大倍数Aus。四、电路如图所示，设满足深度负反馈条件，电容C1、C2的容抗很小，可以忽略不计。(10分)1试判断级间反馈的极性和组态； 五、图示电路为一阶低通有源滤波器。设A为理想运算放大器，试推导该电路的传递函数，并求出通带截止频率fp。(8分)八、在图示电路中

13、，设运算放大器是理想的，电阻R1 = 33 k，R2 = 50 k，R3 = 300 k，R4 = Rf = 100 k，电容C = 100 mF。试计算下列各值：1当uI1 = 1 V时，uo1 = ？2要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V，uI2应为多大？(设电容两端的初始电压uc = 0。)设t = 0时uI1 = 1 V，uI2 = -2 V，uc = 0 V，求t = 10 s时uo = ？ (12分)练习五一、 填空题(20分)1处于放大状态的NPN型晶体管，UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_ ；2理想

14、运算放大器的开环电压放大倍数为_，输入电阻为_，输出电阻为_；工作在线性区时，运放两个输入端电压_，称做_；流入输入端的电流为_，称做_。3如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_V，经过电容滤波后为_ V，二极管所承受的最大反向电压为_ V。4差分放大电路，若两个输入信号uI1 = uI2，则输出电压，uO =_；若u I1 = 100 mV，u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =_；共摸电压uIc =_。5某晶体管的极限参数PCM = 200 mW，ICM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压UCE为10 V，则

15、工作电流不得超过_mA；若工作电流IC = 1 mA，则工作电压不得超过_ V。6某放大电路的电压增益为80 dB，相当电压放大倍数为_ 倍。7产生正弦波振荡的幅值平衡条件是_，相位平衡条件是_ 。二、选择题(7分)1工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。a开环或正反馈状态 b深度负反馈状态 c放大状态 d线性工作状态2某电路有用信号频率为2 kHz， 可选用( )。a低通滤波器 b高通滤波器 c带通滤波器 d带阻滤波器3某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选( )。a电流串联负反馈 b

16、电流并联负反馈 c电压串联负反馈 d电压并联负反馈4与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是( )。a不用输出变压器 b不用输出端大电容 c效率高 d无交越失真5集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。a增大放大倍数 b减小温漂 c提高输入电阻6稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。a正向导通区 b反向截止区 c反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：VCC = 12 V，RB1 = 120 k，RB2 = 39 k，RC = 3.9 k，RE = 2.1 k，RL = 3.9 k，rbb = 200，电流放大系数 = 50，电路中电容容量足够

17、大，要求：1求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V )；2画出放大电路的微变等效电路；3求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。4去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au ，输入电阻Ri 。 (14分)二、 四、设图中A为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分)三、四、 五、题图四个中间级电路，假设各电路都设置有合适的静态工作点(图中未画出)。(12分)1指出其级间反馈的极性，若为负反馈说明组态；五、 七、题图电路，A1，A2为理想运放。1说明电路由哪些基本单元电路组成；2画出u0与u01的电压传输特性曲线；3设t = 0时，uc(0

18、) = 0，u0 = 12 V，现接入uI = -10 V，经过多长时间u0 翻转到 -12 V ？4若uI 输入如图所示的矩形波，请画出u01和u0的波形。 (14分)六、 七、 九、图示电路中，输入信号是正弦电压，V1，V2管的饱和压降可以忽略，且静态电流很小，VCC = VEE = 15 V，RL = 8 。1请说明该功放电路的类型；2负载上可能得到的最大输出功率；八、 试卷一(答案)一、填空(16分)1单向导电性。2正向、反向；正向、正向。4交流串联负反馈、交流电压负反馈。50、0、78.5%、交越。6电压串联负反馈，放大。二、(24分)1A 2D 3C 4C 5D 6A 8A三、(1

19、2分)1V1组成共射放大电路，V2组成共集电极放大电路；2图略；3四、(10分)六、(12分)图(a)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压并联组态，；图(b)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压串联组态， 。八、(8分)1U I(AV) 24 V。2故求得100 RL 133 。 试卷二(答案) 一、填空(18分)2-200，共基极，共发射极，共集电极。327 V，0.135 A。4RC串并联、1/3、0。5低通，高通，带阻，带通。62p，p，大于 p 小于2p。二、(9分)a、b、c?。三、(10分)1V1截止，V2倒置，V3饱和；四、(13分)1， ， UCE1 = UC - UE = 8.7 V

20、；2图略；3， uo = -548 mV。六、(10分)(a) Uo = 0.45 V；(b) Uo = 0.15 V。七、(10分)1(a)为电压并联负反馈，(b)为电流串联负反馈；九、(12分)试卷三(答案)一、填空(26分)1P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道。2截止，导通，-2.7 V。3E，C，B，PNP。580 ?dB，104倍。二、(12分)1IB = 18.5 mA，IC = 1.11 mA，UCE = 6.25 V；2图略；3，Ri = 1.58 k， Ro = 4.9 k。三、(8分)电压串联负反馈； 。四、(12分)1A1组成反相比例电路，A2组成单值比较器，A3组成电压跟随器；2A1和A3工作在线性区，A2工作在非线性区；3uO1 = -10 V，