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第三十一讲 随机存取存储器9.3 随机存取存储器9.3.1 RAM 的基本结构和工作原理 9.3.2 RAM 的存储单元一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路1存储单元2列选择线 Y 和读写控制电路二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路9.3.3 集成随机存储器 2114A、2116 介绍一、集成静态存储器 2114A二、集成动态存储器 21169.3.4 RAM 的扩展一、RAM 的位扩展二、RAM 的字扩展三、RAM 的字、位扩展9.3 随机存取存储器9.3.1 RAM 的基本结构和工作原理优点：读写方便，使用灵活。缺点：掉电丢失信息。一、 RAM 的结构和读写原理9.3.2 RAM 的存储单元一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路1存储单元存储单元由 V1V6 组成。两个稳定状态，分别存储数据 1 和 0。2列选择线 Y 和读写控制电路图中 V5、 V6 为受列选择线 Y 控制的门控管，G4、G5 和三态门 G1G3 构成读写控制电路。当列选择线为低电子 0 时，V7、V8 均截止，封锁了存储单元位线与输入/输出端的通路，使存储单元的数据不能读出，也不能被外信号改写。当列选线为高电平 1 时，V7、V8 导通，对存储单元可进行读/写操作，由读/写控制电路和 的状态控制二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路动态存储单元是由 MOS 管的栅极电容 C 和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容上的电压高表示存储数据 1；电容没有储存电荷，电压为 0，表明存储数据 0。因存在漏电，使电容存储的信息不能长久保持，为防止信息丢失，就必须定时地给电容补充电荷，这种操作称为“刷新”，由于要不断地刷新，所以称为动态存储。包括 4 管 MOS 动态存储单元电路和单管 MOS 动态存储单元等9.3.3 集成随机存储器 2114A、2116 介绍采用数字电路网络课程或 PowerPoint一、集成静态存储器 2114AIntel2114A 是单片 1 K4 位（即有 1 K 个字，每个字 4 位）的静态存储器（SRAM），它是双列直插 18脚封装器件，采用 5V 供电，与 TTL 电平完全兼容。二、集成动态存储器 2116Intel 2116 单片 16 K1 位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插 16 脚封装器件，采用+12V 和 5V 三组电源供电，其逻辑电平与 TTL 兼容。9.3.4 RAM 的扩展 （采用数字电路网络课程或 PowerPoint 并进行讨论。）当单片 RAM 不能满足存储容量的要求时，这时可把多个单片 RAM 进行组合，扩展成大容量存储器。一、RAM 的位扩展二、RAM 的字扩展字扩展就是把几片相同 RAM 的数据线并接在一起作为共用输入输出端（即位不变），读/写控制线也接在一起，把地址线加以扩展，用扩展的地址线去控制
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